【摘要】第1章集成電路的基本制造工藝一般TTL集成電路與集成運(yùn)算放大器電路在選擇外延層電阻率上有何區(qū)別?為什么?答:集成運(yùn)算放大器電路的外延層電阻率比一般TTL集成電路的外延層電阻率高。第2章集成電路中的晶體管及其寄生效應(yīng)復(fù)習(xí)思考題利用截錐體電阻公式,計(jì)算TTL“與非”門輸出管的,所示。提示:先求截錐
2025-06-13 16:48
【摘要】第一章集成電路中的晶體管及寄生效應(yīng)內(nèi)容提要、歷史、發(fā)展-M模型第1章集成電路中的晶體管及寄生效應(yīng)?為什么要研究寄生效應(yīng)?1、IC中各元件均制作于同一襯底,注定了元件與元件之間,元件與襯底之間存
2024-10-24 23:49
【摘要】《半導(dǎo)體集成電路》課程教學(xué)教案山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)教研室(微電)
2025-04-23 00:00
【摘要】半導(dǎo)體半導(dǎo)體集成電路集成電路2.雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2023/2/1pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+雙極集成電路的基本工藝雙極集成電路的基本工藝2023/2/1P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-BLTepiAA’
2025-03-05 04:35
【摘要】1第二部分參考答案第0章緒論,將晶體管,二極管等有源器件和電阻,電容等無源元件,按一定電路互連。集成在一塊半導(dǎo)體基片上。封裝在一個(gè)外殼內(nèi),執(zhí)行特定的電路或系統(tǒng)功能。(SSI),中規(guī)模集成電路(MSI),大規(guī)模集成電路(VSI),超大規(guī)模集成電路(VLSI),特大規(guī)模集成電路(ULSI),巨大規(guī)模集成電路(
2025-01-15 05:37
【摘要】半導(dǎo)體集成電路常見封裝縮寫解釋1.DIP(dualin-linePACkage)雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝,應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC,存貯器LSI,微機(jī)電路等。,引腳數(shù)從6到64。。的封裝分別稱為skinnyDIP和slimDIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分,
2025-04-13 21:53
【摘要】SemiconductorMaterialsBasicPrincipleofICPlanarProcessing半導(dǎo)體材料和集成電路平面工藝基礎(chǔ)?References:(Materials)3.材料科學(xué)與技術(shù)叢書—半導(dǎo)體工藝,K.A.杰克遜等主編,(科學(xué)出版社,1999)Process
【摘要】第四章集成電路制造工藝芯片制造過程?圖形轉(zhuǎn)換:將設(shè)計(jì)在掩膜版(類似于照相底片)上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上。?摻雜:根據(jù)設(shè)計(jì)的需要,將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上,形成晶體管、接觸等。?制膜:制作各種材料的薄膜?;静襟E:硅片準(zhǔn)備、外延、氧化、摻雜、淀積、刻蝕、光刻硅片準(zhǔn)備光刻(Lithography)圖形轉(zhuǎn)移
2025-03-05 12:22
【摘要】第一部分考試試題第0章緒論?,分為哪些類型,請(qǐng)同時(shí)寫出它們對(duì)應(yīng)的英文縮寫?,半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類?,半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類??它對(duì)集成電路工藝有何影響?:集成度、wafersize、diesize、摩爾定律?第1章集成電路的基本制造工藝?,襯底材料電阻率的選取對(duì)器件有何影響?。????并請(qǐng)?zhí)岢龈倪M(jìn)方法。7.請(qǐng)畫出N
2025-06-25 16:51
【摘要】半導(dǎo)體器件原理與工藝半導(dǎo)體器件原理與工藝
2025-03-28 02:49
【摘要】模擬集成電路的基本放大電路積分電路微分電路集成儀器放大器動(dòng)態(tài)校零型斬波放大器第2章模擬集成電路的線性應(yīng)用反相型放大器(1)基本型反相放大器12FRRA??模擬集成電路的基本放大電路基本反相放大器+?+
2024-10-24 22:21
【摘要】2021/03模擬電路第一章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體的基本知識(shí)半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體三極管BJT模型2021/03模擬電路半導(dǎo)體的基本知識(shí)在物理學(xué)中。根據(jù)材料的導(dǎo)電能力,可以將他們劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半導(dǎo)體是硅Si和鍺Ge,它們都是4價(jià)元素。sisi硅原
2024-10-24 22:17
【摘要】1234緒論?引言?集成電路制造工藝發(fā)展?fàn)顩r?集成電路工藝特點(diǎn)與用途?本課程內(nèi)容5?早在1830年,科學(xué)家已于實(shí)驗(yàn)室展開對(duì)半導(dǎo)體的研究。?1874年,電報(bào)機(jī)、電話和無線電相繼發(fā)明等早期電子儀器亦造就了一項(xiàng)新興的工業(yè)──電子業(yè)的誕生。1引言6
2025-01-10 13:18
【摘要】集成電路分析與設(shè)計(jì)第一章集成電路基本制造工藝本章概要?雙極工藝流程?CMOS工藝流程?CMOS先進(jìn)工藝?BiCMOS工藝流程?無源器件雙極工藝流程典型NPN管剖面圖雙極工藝流程襯底選擇(1)襯底選擇對(duì)于典型的PN結(jié)隔離雙極集成電路,襯底一
2025-01-13 01:53
【摘要】123456789101112131415161718192021222324252627
2024-08-18 16:51