mos集成電路的基本制造工藝(已修改)
2025-08-06 19:09 本頁面
【正文】 半導(dǎo)體集成電路 MOS集成電路的基本制造工藝 半導(dǎo)體集成電路 半導(dǎo)體集成電路 ? CMOS工藝技術(shù) 是當代 VLSI工藝的 主流工藝技術(shù) ，它是在 PMOS與 NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。其 特點 是將 NMOS器件與PMOS器件同時制作在同一硅襯底上。 ? CMOS工藝技術(shù) 一般可分為 三類 ，即 ? P阱 CMOS工藝 ? N阱 CMOS工藝 ? 雙阱 CMOS工藝 半導(dǎo)體集成電路 P阱 CMOS工藝 P阱雜質(zhì)濃度 的典型值要比 N型襯底中的高 5~10倍才能保證器件性能。然而 P阱的 過度摻雜 會對 N溝道晶體管產(chǎn)生有害的影響，如提高了背柵偏置的靈敏度，增加了源極和漏極對 P阱的電容等。 半導(dǎo)體集成電路 P阱 CMOS工藝 電連接時， P阱接最負電位， N襯底接最正電位，通過反向偏置的 PN結(jié)實現(xiàn) PMOS器件和 NM
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