集成電路制造工藝課件(ppt34頁)(已修改)
2025-01-14 18:34 本頁面
【正文】 集成電路制造工藝 東華理工 大學(xué) 彭新村 13687095856 第 10章 工藝集成 集成電路中的隔離 1 CMOS集成電路的工藝集成 2 3 4 雙極集成電路的工藝集成 BiCMOS集成電路的工藝集成 天津工業(yè)大學(xué) ?工藝集成： —— 運(yùn)用各類工藝形成電路結(jié)構(gòu)的制造過程 ?CMOS集成電路的工藝集成 ?雙極型 集成電路的工藝集成 ?BiCMOS集成電路的工藝集成 天津工業(yè)大學(xué) 167。 集成電路中的隔離 ? 一 . MOS集成電路中的隔離 ?局部場氧化工藝（ Local oxidation of silicon，LOCOS） ?改進(jìn)的 LOCOS工藝 ?淺槽隔離（ Shallow trench isolation ， STI） M OSFET 1 M OSFET 2寄生的厚氧M OSFETn+n+n+n+Si O 2Alp 型襯底CMOS自隔離及寄生 MOS示意圖 天津工業(yè)大學(xué) LOCOS工藝流程 硅片清洗 生長緩沖 SiO2層 LPCVD淀積 Si3N4 涂膠 天津工業(yè)大學(xué) LOCOS掩模板 曝光 顯影 刻蝕 天津工業(yè)大學(xué) 去膠 隔離注入 熱氧化 刻蝕氮化硅 天津工業(yè)大學(xué) LOCOS工藝的缺點(diǎn) 1. 鳥嘴的形成（ Bird’ s beak） ?由于氧的橫向擴(kuò)散，硅的氧化反應(yīng)是各向同性的 ?氧化物在氮化硅下面的生長形成鳥嘴 ?浪費(fèi)硅片的有效面積 2. 厚的氧化層造成表面凹凸不平，加重臺(tái)階覆蓋問題 天津工業(yè)大學(xué) 改進(jìn)的 LOCOS工藝 ?回刻的 LOCOS工藝 ?側(cè)墻掩蔽的隔離工藝 ?多晶硅緩沖層的 LOCOS工藝（ PBL） 天津工業(yè)大學(xué) 淺槽隔離（ STI） STL ?不會(huì)產(chǎn)生鳥嘴 ?更平坦的表面 ?更多的工藝步驟 LOCOS ?工藝相對(duì)簡單，便宜，高產(chǎn)率 ?當(dāng)特征尺寸 um不再適用 天津工業(yè)大學(xué) STI工藝流程 掩模板 光刻 刻蝕形成淺槽 天津工業(yè)大學(xué) STI工藝流程 高壓 CVD SiO2 CMP SiO2至 Si3N4層 CMP去除 Si3N4 天津工業(yè)大學(xué) SOI技術(shù)介質(zhì)隔離 ?絕緣體上外延硅結(jié)合 STI技術(shù)
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