射頻電路設(shè)計(jì)第一章(編輯修改稿)
2025-02-03 06:44 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ? 目前，在射頻電路中主要應(yīng)用的是薄膜片狀電阻，該類電阻的尺寸能夠做得非常小，可以有效地減少引線電感和分布電容的影響。 ? 片狀電阻的形式有 060 080120 202 2512，功率范圍為1/10W～ 1W，阻值范圍為 ?～10M?。 ? 例如， 0603的封裝尺寸僅為（長） （寬） （高）。 高頻電容－ 射頻特性 ? 一個(gè)電容器的高頻等效電路如圖所示，圖中，電感 L等效為引線電感，電阻 Rs表示引線導(dǎo)體損耗，電阻 Re表示介質(zhì)損耗。 ? 由圖可見，電容器的引線電感將隨著頻率的升高而降低電容器的特性。如果引線電感與實(shí)際電容器的電容諧振，這將會(huì)產(chǎn)生一個(gè)串聯(lián)諧振，使總電抗趨向?yàn)?0 ?。由于這個(gè)串聯(lián)諧振產(chǎn)生一個(gè)很小的串聯(lián)阻抗，所以非常適合在射頻電路的耦合和去耦電路中應(yīng)用。然而，當(dāng)電路的工作頻率高于串聯(lián)諧振頻率時(shí)，該電容器將表現(xiàn)為電感性而不是電容性。 ? 一個(gè)電容器的阻抗絕對(duì)值與頻率的關(guān)系如右下圖所示。 一個(gè)電容器的阻抗絕對(duì)值與頻率的關(guān)系 ?片狀電容器有高頻用（高 Q）多層陶瓷片狀電容器、 X7R介質(zhì)片狀電容器、 NPO介質(zhì)片狀電容器、 Y5V介質(zhì)片狀電容器、固體鉭質(zhì)片狀電容器等多種形式。 ?目前，多層陶瓷片狀電容器在射頻電路中廣泛使用，它們可用于射頻電路中的各個(gè)部分，使用頻率可以高達(dá) 15GHz。 ?例如一種型號(hào)為 CDR系列的片狀電容器，最小封裝尺寸僅為 （長） （寬） （高），電容值范圍從 ～ 470 000pF，電壓為 100V。 高頻電容－ 類型 高頻電感 －射頻特性 ? 線圈通常時(shí)用導(dǎo)線在圓柱體上繞制而成，相鄰位置線段間有分離的移動(dòng)電荷，寄生電容的影響上升。如右圖 ? 一個(gè)電感器的高頻等效電路如圖所示，圖中，電容 Cs為等效分布電容， Rs為等效電感線圈電阻， Cs和 Rs分別代表分布電容 Cd和電阻 Rd的綜合效應(yīng)。 ? 從圖可見，分布電容 Cs與電感線圈并聯(lián)，這也意味著，一定存在著某一頻率，在該頻率點(diǎn)線圈電感和分布電容產(chǎn)生并聯(lián)諧振，使阻抗迅速增加。通常稱這一諧振頻率點(diǎn)為電感器的自諧振頻率（ SRF，Self Resonant Frequency）。當(dāng)頻率超過諧振頻率點(diǎn)時(shí)，分布電容 C
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