【文章內容簡介】 作電位不同的器件要做到電性隔離。3． 制做PN結隔離區(qū)實現(xiàn)電路工作電位的相對獨立。 稱其為：PN結隔離工藝結構 結構思路如下： 隔離島 P 型 隔離島 P 型 隔離島 P型 隔離島 N型外延層 隔離 N型外延層 隔離 N型外延層 隔離 N型外延層 墻 墻 墻 P型硅襯底4． 相同工作電位的器件做在同一隔離島內。5． 集成電路襯底基片與島內的器件已無直接關系。6． 制做島下同型高濃度隱埋層降低集電區(qū)體電阻。 稱其為：隱埋層工藝結構 結構思路如下： 隔離島 P 型 隔離島 P 型 隔離島 P型 隔離島 N型外延層 隔離 N型外延層 隔離 N型外延層 隔離 N型外延層 N+型埋層 墻 N+型埋層 墻 N+型埋層 墻 N+型埋層 P型硅襯底結論：制做集成電路，要首先考慮在器件電性區(qū)下設置同導電類型的高濃度隱埋擴散區(qū)，其次再考慮制做電性隔離區(qū)。隨后，在隔離島內制做晶體管同分立器件的制造類同。但器件的發(fā)射極、基極和集電極將均在上表面引出，且最后完成既定的電極布線，制做出電路的輸入、輸出及工作端點的壓焊點以便連接內引線。(6) 課件綜述篇硅集成電路平面工藝流程教學內容輔導教案 ★ 學習該部分教學內容的學時：4學時 典型的集成運算放大器管芯平面工藝過程描述 以下是集成運算放大器管芯平面工藝加工過程的工藝條件與工藝剖面結構的對應描述示意圖。它形象地描述了集成運算放大器管芯平面工藝加工的過程。襯底制備SUBSTRUCT OF PREPARATION 單晶硅切割（500800微米）+研磨+拋光 P型硅襯底材料 晶體取向〈111〉 濃度=1E15埋層氧化BURIED OXIDATION埋層氧化條件步驟干氧(STEP1)+濕氧(STEP2)+干氧(STEP3)時間 10分鐘+100分鐘+10分鐘STEP1TEMP=1180℃（度） TIME=10 （分鐘） 干氧氧化STEP2TEMP=1180℃（度） TIME=100（分鐘） 濕氧氧化STEP3TEMP=1180℃（度） TIME=10 （分鐘） 干氧氧化 (SiO2) P型硅襯底材料 晶體取向〈111〉 濃度=1E15埋層光刻BURIED PH0TOETCHING 光刻條件: 常規(guī)光刻工藝采用負性光致抗蝕劑(聚乙烯醇肉桂酸脂PVAC類)顯影液丁酮 定影液乙酸丁脂 腐蝕氫氟酸(含氟化銨)緩沖液濃硫酸去膠 (SiO2) P型硅襯底材料 晶體取向〈111〉 濃度=1E15埋層擴散BURIED [SB SOURCE] DIFFUSION埋層擴散條件：雜質源銻(SB)箱法 擴散(屬一次性擴散) 預淀積溫度： 1200度（℃） 預淀積時間： 70分鐘再分布溫度=1200度（℃） 時間=150分氮氧比–93：7 CONC(濃度)=2E18 (SiO2) 銻擴散埋層 P型硅襯底材料腐蝕(去除)埋層氧化層ETCH THE BURIDE OXID LAYERON常規(guī)腐蝕氫氟酸(含氟化銨)緩沖液 腐蝕溫度25度（℃） 銻擴散埋層 P型硅襯底材料外延生長前的化學汽相拋光CHEMICAL POLISHING IN BEFORE EPITAXY 化學汽相拋光：拋光溫度:1200度（℃）拋光時間:3分 拋光時間:3分 腐蝕速率: N型外延層NEpi 銻擴散埋層 P型硅襯底外延生長ROWTH OF EPITAXY LAYER 外延生長(化學氣相淀積)參考條件 淀積溫度：1200度（℃） 淀積速率： 淀積時間：15分 外延生長過程中的摻雜元素: 磷(P) 摻雜濃度: N型外延層NEpi 銻擴散埋層 P型硅襯底生長隔離氧化層GROW OXID MASK LAYER FOR ISOLATION OXIDATION 隔離掩蔽層氧化條件:步驟干氧+濕氧+干氧溫度1180度（℃）時間10分+100分+10分 (SiO2) N型外延層NEPi 銻擴散埋層 P型硅襯底隔離光刻與隔離擴散ETCH ANDISOLATION DIFFUSION隔離擴散以截斷外延層。 (SiO2) N型 P型 外延層 P型 N型 隔離 銻擴散埋層 隔離 P型硅襯底腐蝕隔離掩蔽層ETCH ISOLATION OXID LAYER常規(guī)腐蝕 腐蝕溫度25度（℃） N型 P型 N型外延層 P型 N型 隔離 銻擴散埋層 隔離 P型硅襯底基區(qū)氧化LAYER FOR BASE OXIDATION 氧化條件：步驟干氧+濕氧+干氧溫度1180度（℃）時間 10分+30分+10分 (SiO2) N型 P型 N型外延層 P型 N型 隔離 銻擴散埋層 隔離 P型硅襯底刻蝕基區(qū)擴散窗口ETCH THE MASK OXID FOR BASE 常規(guī)光刻條件：腐蝕溫度25度（℃） (SiO2) N型 P型 N型外延層 P型 N型 隔離 銻擴散埋層 隔離 P型硅襯底基區(qū)擴散DIFFUSION FOR BASE基區(qū)擴散預淀積元素硼(B)基區(qū)擴散再分布干氧+濕氧+干氧 (SiO2) P P N型 P型 N型 N型 P型 N型 隔離 銻擴散埋層 隔離 P型硅襯底刻蝕發(fā)射區(qū)擴散窗口ETCH THE OXID MASK FOR EMITTER 常規(guī)光刻條件：腐蝕溫度25度（℃） (SiO2) P P N型 P型 N型 N型 P型 N型 隔離 銻擴散埋層 隔離 P型硅襯底發(fā)射區(qū)擴散DIFFUSION FOR EMITTER SiO2 SiO2 N+型 P P N型 P型 N型 N型 P型 N型 隔離 銻擴散埋層 隔離 P型硅襯底表面鈍化FIRST PASSIVATION ON THE SURFACE常規(guī)氧化工藝 SiO2 SiO2 N+型 P P N型 P型 N型 N型 P型 N型 隔離 銻擴散埋層 隔離 P型硅襯底綜上所述 ,典型的雙極性(常規(guī)晶體管)集成電路管芯加工過程如下:埋層氧化； 埋層光刻；埋層擴散；腐蝕埋氧層；汽相拋光；外延生長；隔離氧化；隔離光刻；隔離擴散；腐蝕隔離氧化層；基區(qū)氧化；基區(qū)光刻；基區(qū)擴散；發(fā)射區(qū)光刻；發(fā)射區(qū)擴散；四次氧化諸項工序。(7) 課件原理篇氧化生長工藝教學內容輔導教案★ 該章節(jié)教學內容的學習重點：掌握在集成電路工藝條件環(huán)境下所制備出的二氧化硅介質膜具有的結構特征；理解二氧化硅介質膜對硼、磷等雜質元素所具有的抑制其遷移行為的作用，理解二氧化硅介質膜具有這種作用的內在機理。深刻理解二氧化硅介質膜的結構特征使其在微電子器件中所起到的重要作用。 ★ 學習該部分教學內容的學時：4學時1 關于氧化硅介質膜的基本結構和結構特征 科學家自一九五七年在實驗中發(fā)現(xiàn)了氧化硅（其典型結構為二氧化硅）介質膜對某些元素（特別是包括能使半導體材料改變其基本特性的：硼、磷、砷、銻等三、五價化學元素）具有掩蔽作用。當然，這里所講的并非簡單意義上的掩蔽或阻擋。實驗證實，常規(guī)熱生長模式所生成的氧化硅介質膜屬非本征氧化硅介質膜結構，其主體結構單元為硅氧四面體構成的三維無序組合的網絡結構。見下圖所示： ☉ ☉ ○氧原子 ☉ ● ◎ ☉ ◎ ▼ ☉ ◎ ○ ▼ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ○ ● ◎ Si● ○氧原子 ☉ ○ ○ ● ☉ ○ ☉ 氧原子○ ● ◎ ▼ ○ ◎ ◎ ▼ ○氧原子 ☉ ☉ ◎ ☉ （a）硅氧四面體單元結構 （b）非本征硅氧四面體網絡結構 圖示 氧化硅介質膜的硅氧四面體及其組合的二維描述上圖中， ●為硅原子；○為橋聯(lián)氧原子；☉為非橋聯(lián)氧原子； ▼為網絡形成劑（硼、磷、砷、銻等）元素；◎ 網絡改變劑（眾多重金屬離子）元素。上圖所表示的是非本征氧化硅介質膜的硅氧四面體結構及其二維的組合模式。它相對于本征型氧化硅結構的結構模式，區(qū)別在于后者不存在圖（b）所示的含有一定數(shù)量的網絡形成劑元素及網絡改變劑元素，這說明本征型氧化硅結構的結構模式是理想化了的。而實際上，無論是在再分布的介質膜生長條件下還是在實施雜質掩蔽作用的情況下，均或多或少的存在著摻雜雜質的環(huán)境和氣氛，不可否認的是當代的實際工藝條件也無法避免來自各個環(huán)節(jié)的沾污。顯然，忽略或不考慮氧化硅介質膜中含有以網絡形成劑元素及網絡改變劑元素為代表的各類雜質，是不存在的。2 氧化硅介質膜牽制雜質遷移行為的內在機理實驗表明：存在于氧化硅介質膜中的各類雜質絕大部分處