集成電路的基本制造工藝教材(編輯修改稿)
2025-01-24 18:37 本頁面
【文章內容簡介】 膜 2：： 光刻有源區(qū)光刻有源區(qū) 有源區(qū) ： nMOS、 PMOS 晶體管形成的區(qū)域P+ N+N+P+NSiPwellPwellPwell? 淀積氮化硅? 光刻有源區(qū)? 場區(qū)氧化? 去除有源區(qū)氮化硅及二氧化硅SiO2隔離島2023/1/28有源區(qū)depositednitride layer有源區(qū)光刻板N型 p型 MOS制作區(qū)域(漏 柵 源 )2023/1/28Pwell1. 淀積氮化硅：氧化膜生長（濕法氧化）Pwell氮化膜生長Pwell涂膠Pwell對版曝光有源區(qū)光刻板2. 光刻有源區(qū)：2023/1/28Pwell顯影Pwell氮化硅刻蝕去膠3. 場區(qū)氧化：Pwell場區(qū)氧化（濕法氧化）Pwell去除氮化硅薄膜及有源區(qū) SiO22023/1/28掩膜掩膜 3：： 光刻多晶硅光刻多晶硅Pwell去除氮化硅薄膜及有源區(qū) SiO2PwellP+ N+N+P+NSiPwell柵極氧化膜多晶硅柵極? 生長柵極氧化膜? 淀積多晶硅? 光刻多晶硅2023/1/28Pwell生長柵極氧化膜Pwell淀積多晶硅Pwell涂膠光刻多晶硅光刻板Pwell多晶硅刻蝕2023/1/28掩膜 4 ： P+區(qū)光刻 P+區(qū)光刻 離子注入 B+，柵區(qū)有多晶硅做掩蔽， 稱為硅柵自對準工藝。 去膠PwellP+ N+N+P+NSiPwellPwellP+ P+2023/1/28PwellP+PwellP+ P+硼離子注入去膠2023/1/28掩膜 5 ： N+區(qū)光刻 N+區(qū)光刻 離子注入 P+，柵區(qū)有多晶硅做掩蔽， 稱為硅柵自對準工藝。 去膠PwellP+ N+N+P+NSiPwellPwellP+ P+ N+ N+2023/1/28PwellN+PwellP+ P+磷離子注入去膠P+ P+N+ N+2023/1/28掩膜 6 ：光刻接觸孔淀積 PSG.光刻接觸孔刻蝕接觸孔PwellP+ N+N+P+NSiPwellPwellP+ P+ N+ N+磷硅玻璃（ PSG)2023/1/28掩膜 6 ：光刻接觸孔PwellP+ P+ N+ N+淀積 PSGPwellP+ P+ N+ N+光刻接觸孔PwellP+ P+ N+ N+刻蝕接觸孔PwellP+ P+ N+ N+去膠2023/1/282023/1/28掩膜 7 ：光刻鋁線淀積鋁 .光刻鋁去膠PwellPwellP+ P+ N+ N+2023/1/28PwellP+ P+ N+ N+鋁線PSG場氧柵極氧化膜P+區(qū)PwellN型硅極板多晶硅N+區(qū)2023/1/28Example: Intel micron Process5 metal layersTi/Al Cu/Ti/TiNPolysilicon dielectric
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