第二章____集成電路制造工藝_(編輯修改稿)
2025-01-24 13:54 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 離子束光刻 . 刻蝕技術(shù) （ 1）概念：將未被光刻膠掩蔽的部分有選擇地腐蝕掉，從而實(shí)現(xiàn)將光刻膠圖形轉(zhuǎn)換為硅片上的圖形的方法。 分類： ① 濕法刻蝕 ② 干法刻蝕 刻蝕直接影響到特征尺寸二、薄膜制備技術(shù) 概念 ：指通過一定的工序，在襯底表面生產(chǎn)成一層薄膜的技術(shù)，此薄膜可以是作為后序加工的選擇性的保護(hù)膜、作為電絕緣的絕緣膜、器件制作區(qū)的外延層、起電氣連接作用的金屬膜等。 分類： 氧化、化學(xué)汽相淀積、物理汽相淀積等等。氧化 : (1) 概念 : 主要是指在硅表面生長二氧化硅 (SiO2）膜。 (2) 作用： ① 在 MOS集成電路中， SiO2層作為 MOS器件的絕緣柵介質(zhì)，到深亞微術(shù)或亞 ，用氮氧化硅膜替代（是因?yàn)殡S特征尺寸縮小，膜厚減小，氮氧化硅絕緣性能更好）。 ② 在擴(kuò)散硼、磷、砷等雜質(zhì)時(shí)用作掩蔽膜。③ 作為集成電路的隔離介質(zhì)材料。④ 作為電容器的絕緣介質(zhì)的材料。⑤ 作為多層金屬互連層之間的介質(zhì)材料。⑥ 作為對器件和電路進(jìn)行鈍化層材料。（ 1）概念：指通過氣態(tài)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)在襯底上淀積一層薄膜材料的過程。 VCD的結(jié)構(gòu)可以是單晶、多晶或非晶態(tài)。 （ 2）作用：生長外延層，淀積隔離膜，導(dǎo)電線等?；瘜W(xué)汽相淀積（ VCD）物理汽相淀積 （ 1）概念：用物理的方法，如蒸
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