【總結(jié)】復(fù)習(xí)1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttO
2025-04-30 13:59
【總結(jié)】第四章集成電路制造工藝CMOS集成電路制造工藝?形成N阱?初始氧化?淀積氮化硅層?光刻1版,定義出N阱?反應(yīng)離子刻蝕氮化硅層?N阱離子注入,注磷?形成P阱?在N阱區(qū)生長(zhǎng)厚氧化層,其它區(qū)域被氮化硅層保護(hù)而不會(huì)被氧化?去掉光刻膠及氮化硅層?P阱離子注入,
【總結(jié)】集成電路制造工藝原理課程總體介紹:1.課程性質(zhì)及開課時(shí)間:本課程為電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)(微電子技術(shù)方向和光電子技術(shù)方向)的專業(yè)選修課。本課程是半導(dǎo)體集成電路、晶體管原理與設(shè)計(jì)和光集成電路等課程的前修課程。本課程開課時(shí)間暫定在第五學(xué)期。2.參考教材:《半導(dǎo)體器件工藝原理》國(guó)防工業(yè)出版社
2025-06-25 19:01
【總結(jié)】國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理2022/5/30韓良1第一章集成電路制造工藝流程集成電路(IntegratedCircuit)制造工藝是集成電路實(shí)現(xiàn)的手段,也是集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理2022/5/30韓
2025-05-02 18:02
【總結(jié)】第四章集成電路制造工藝?集成電路設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)芯片檢測(cè)單晶、外延材料掩膜版芯片制造過(guò)程封裝測(cè)試系統(tǒng)需求集成電路的設(shè)計(jì)過(guò)程:設(shè)計(jì)創(chuàng)意+仿真驗(yàn)證集成電路芯片設(shè)計(jì)過(guò)程框架From吉利久教授
2025-05-07 07:17
【總結(jié)】第八章光刻與刻蝕工藝光刻是集成電路工藝中的關(guān)鍵性技術(shù)。在硅片表面涂上光刻膠薄層,經(jīng)過(guò)光照、顯影,在光刻膠上留下掩模版的圖形。在集成電路制造中,利用光刻膠圖形作為保護(hù)膜,對(duì)選定區(qū)域進(jìn)行刻蝕,或進(jìn)行離子注入,形成器件和電路結(jié)構(gòu)。隨著集成電路的集成度不斷提高,器件的特征尺寸不斷減小,期望進(jìn)一步縮小光刻圖形的尺寸。
2025-01-08 14:36
【總結(jié)】集成電路制造技術(shù)第八章光刻與刻蝕工藝西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院戴顯英2023年9月主要內(nèi)容n光刻的重要性n光刻工藝流程n光源n光刻膠n分辨率n濕法刻蝕n干法刻蝕第八章光刻與刻蝕工藝nIC制造中最重要的工藝:①?zèng)Q定著芯片的最小特征尺寸②占芯片制造時(shí)間的40-50%③占制造成本的30%n光刻
2025-01-06 18:34
【總結(jié)】集成電路工藝概述課程介紹普通高校專業(yè)學(xué)科目錄(1998版)?01哲學(xué)?02經(jīng)濟(jì)學(xué)?03法學(xué)?04教育學(xué)?05文學(xué)?06歷史學(xué)?07理學(xué)?08工學(xué)?09農(nóng)學(xué)?10醫(yī)學(xué)?11管理學(xué)?0806電氣信息類?080601電氣工程及其自動(dòng)化?080
2025-01-03 00:06
【總結(jié)】半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路?CMOS工藝技術(shù)是當(dāng)代VLSI工藝的主流工藝技術(shù),它是在PMOS與NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。其特點(diǎn)是將NMOS器件與PMOS器件同時(shí)制作在同一硅襯底上。?CMOS工藝技術(shù)一般可分為三類,即?P阱CMOS工藝?
2024-08-03 19:09
【總結(jié)】半導(dǎo)體集成電路2.雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2022/5/24pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+雙極集成電路的基本工藝2022/5/24P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-
2025-04-26 12:59
【總結(jié)】第二章制造工藝本章分為四部分:紫外線光掩模版光刻膠可進(jìn)行摻雜,離子注入,擴(kuò)散等工藝n版圖是集成電路從設(shè)計(jì)走向制造的橋梁,它包含了集成電路尺寸、各層拓?fù)涠x等器件相關(guān)的物理信息數(shù)據(jù)。n版圖(Layout)集成電路制造廠家根據(jù)這些數(shù)據(jù)來(lái)制造掩膜。掩模版的作用n掩膜上的圖形決定著芯片上器件或連接物理層的尺寸
2025-01-23 10:42
2025-01-06 18:36
【總結(jié)】集成電路工藝原理第七章離子注入原理(上)1集成電路工藝原理集成電路工藝原理第七章離子注入原理(上)2大綱第一章前言第二章晶體生長(zhǎng)第三章實(shí)驗(yàn)室凈化及硅片清洗第四章光刻第五章熱氧化第六章
2025-01-08 13:40
【總結(jié)】集成電路Contentsv集成電路的定義v集成電路的分類v集成電路的工藝微電子技術(shù)課程ppt微電子技術(shù)課程ppt集成電路定義v集成電路(integrated?circuit)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連
2025-01-08 12:24
【總結(jié)】1第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝2第四章集成電路器件工藝表3圖幾種IC工藝速度功耗區(qū)位圖4雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的V
2025-01-06 18:35