第二章____集成電路制造工藝_-免費(fèi)閱讀
【正文】 內(nèi)容：在考慮器件正常工作的條件下，根據(jù)實際工藝水平（包括光刻水平、刻蝕能力、對準(zhǔn)容差等）和成品率的要求，給出一組同一工藝層及不同工藝層之間幾何尺寸的限制，主要包括線寬、間距、覆蓋、露頭、凹口、面積等規(guī)則，分別給出它們的最小值，以防止掩膜圖形的斷裂、連接和一些不良物理效應(yīng)的出現(xiàn)。 離子注入 概念：離子注入是將具有很高能量的帶電雜質(zhì)離子射入半導(dǎo)體襯底中的摻雜技術(shù)。⑤ 作為多層金屬互連層之間的介質(zhì)材料。 ④ 離子束光刻 . 刻蝕技術(shù) （ 1）概念：將未被光刻膠掩蔽的部分有選擇地腐蝕掉，從而實現(xiàn)將光刻膠圖形轉(zhuǎn)換為硅片上的圖形的方法。第三節(jié) 集成電路制造工藝的關(guān)鍵技術(shù) 一、圖形轉(zhuǎn)換技術(shù) ： 將掩膜板上設(shè)計好的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上的技術(shù)，包括光刻與刻蝕技術(shù)。教學(xué)目的和要求 ：了解集成電路制造的過程和典型工藝流程。 光刻 ： 概念：是指通過類似于洗印照片的原理，通過暴光和選擇腐蝕等工序，將掩膜版上設(shè)計好的圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面涂敷的感光膠上的過程。 分類： ① 濕法刻蝕 ② 干法刻蝕 刻蝕直接影響到特征尺寸二、薄膜制備技術(shù) 概念 ：指通過一定的工序，在襯底表面生產(chǎn)成一層薄膜的技術(shù)，此薄膜可以是作為后序加工的選擇性的保護(hù)膜、作為電絕緣的絕緣膜、器件制作區(qū)的外延層、起電氣連接作用的金屬膜
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