集成電路工藝之離子注入(編輯修改稿)
2025-05-29 18:30 本頁面
【文章內容簡介】 ?實際的硅片 —— 單晶 ? 在單晶靶中，原子是按一定規(guī)律周期地重復排列，而且晶格具有一定的對稱性。 ? 靶對入射離子的阻止作用將不是各向同性的，而與晶體取向有關。 **離子注入的溝道效應 電子科技大學中山學院 **離子注入的溝道效應 電子科技大學中山學院 **離子注入的溝道效應 ?定義：當離子注入的方向與靶晶體的某個晶向平行時，一些離子將沿 溝道 運動。溝道離子唯一的能量損失機制是電子阻止，因此注入離子的能量損失率就很低，故注入深度較大。 ? 離子方向 =溝道方向時 ……… 離子因為沒有碰到晶格而長驅直入 ……… ? 效果：在不應該存在雜質的深度發(fā)現雜質 —— 多出了一個峰！ 電子科技大學中山學院 射程分布與注入方向的關系 電子科技大學中山學院 怎么解決？？？ ?傾斜樣品表面，晶體的主軸方向偏離注入方向，典型值為 7176。 。 ?先重轟擊晶格表面，形成無定型層 ?表面長二氧化硅薄層 電子科技大學中山學院 怎么解決？？？ 電子科技大學中山學院 淺結的形成 ?為了抑制 MOS晶體管的穿通電流和減小器件的短溝效應，要求減小 CMOS的源 /漏結的結深 ?形成硼的淺結較困難，目前采用的方法： ? 硼質量較輕，投影射程深，故采用 BF2分子注入法 ? F的電活性、 B的擴散系數高 ? B被偏轉進入主晶軸的幾率大 ? 降低注入離子的能量形成淺結 ? 低能下溝道效應比較明顯，且離子的穩(wěn)定向較差。 ? 預先非晶化 ? 注 B之前，先用重離子高劑量注入，使硅表面變?yōu)榉蔷У谋砻鎸印? 電子科技大學中山學院 注入后發(fā)生了什么 ……… ?晶格損傷和無定型層 ? 靶原子在碰撞過程中，獲得能量，離開晶格位置，進入間隙，形成間隙－空位缺陷對； ? 脫離晶格位置的靶原子與其它靶原子碰撞，也可使得被碰靶原子脫離晶格位置。 ? 缺陷的存在使得半導體中載流子的遷移率下降，少子壽命縮短，影響器件性能。 ?雜質未激活 ? 在注入的離子中，只有少量的離子處在電激活的晶格位置。 電子科技大學中山學院 注入損傷 ?級聯碰撞？ ?簡單晶格損傷 ? 孤立的點缺陷或缺陷群（注入離子每次傳遞給硅原子的能量約等于移位閾能） ? 局部的非晶區(qū)域（單位體積的移位原子數目接近半導體的原子密度） ?非晶層 ? 注入離子引起損傷的積累 電子科技大學中山學院 輕離子注入 電子科技大學中山學院 重離子注入 電子科技大學中山學院 非晶層的形成 電子科技大學中山學院 注入后需要做什么 …… ? 退火： ? 定義： ? 又叫熱處理，集成電路工藝中所有的在氮氣等不活潑氣氛中進行的熱處理過程都可以稱為退火 ? 作用 ? 激活雜
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