集成電路工藝之離子注入-在線(xiàn)瀏覽
2025-06-19 18:30本頁(yè)面
【正文】 的中性離子不能到達(dá)靶上。 離子注入系統(tǒng)原理 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 離子注入的優(yōu)缺點(diǎn) ?優(yōu)點(diǎn)： ? 注入的離子 純度高 ? 可以精確控制摻雜原子數(shù)目，同一平面的摻雜均勻性得到保證，電學(xué)性能得到保證。低溫注入，避免高溫?cái)U(kuò)散所引起的熱缺陷；擴(kuò)散掩膜能夠有更多的選擇 ? 摻雜深度和摻雜濃度可控，得到不同的雜質(zhì)分布形式 ? 非平衡過(guò)程，雜質(zhì)含量不受固溶度限制 ? 橫向擴(kuò)散效應(yīng)比熱擴(kuò)散小得多 ? 離子通過(guò)硅表面的薄膜注入，防止污染。 靶原子 也因碰撞而獲得能量，如果獲得的能量大于原子束縛能，就會(huì)離開(kāi)原來(lái)所在晶格位置， 進(jìn)入晶格間隙 ，并留下一個(gè)空位，形成缺陷。 電子 則被激發(fā)至更高的能級(jí) （激發(fā)） 或脫離原子 （電離）。 ? 輕離子 /重離子入射對(duì)高斯分布的影響 ? 實(shí)踐中，用高斯分布快速估算注入離子在靶材料中的分布。 射程與能量的關(guān)系 注入離子在無(wú)定形靶中的分布 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 ? 以上討論的是 無(wú)定形靶 的情形。 ?實(shí)際的硅片 —— 單晶 ? 在單晶靶中，原子是按一定規(guī)律周期地重復(fù)排列，而且晶格具有一定的對(duì)稱(chēng)性。 **離子注入的溝道效應(yīng) 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 **離子注入的溝道效應(yīng) 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 **離子注入的溝道效應(yīng) ?定義：當(dāng)離子注入的方向與靶晶體的某個(gè)晶向平行時(shí)，一些離子將沿 溝道 運(yùn)動(dòng)。 ? 離子方向 =溝道方向時(shí) ……… 離子因?yàn)闆](méi)有碰到晶格而長(zhǎng)驅(qū)直入 ……… ? 效果：在不應(yīng)該存在雜質(zhì)的深度發(fā)現(xiàn)雜質(zhì) —— 多出了一個(gè)峰！ 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 射程分布與注入方向的關(guān)系 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 怎么解決？？？ ?傾斜樣品表面，晶體的主軸方向偏離注入方向，典型值為 7176。 ?先重轟擊晶格表面，形成無(wú)定型層 ?表面長(zhǎng)二氧化硅薄層 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 怎么解決？？？ 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 淺結(jié)的形成 ?為了抑制 MOS晶體管的穿通電流和減小器件的短溝效應(yīng)，要求減小 CMOS的源 /漏結(jié)的結(jié)深 ?形成硼的淺結(jié)較困難，目前采用的方法： ? 硼質(zhì)量較輕，投影射程深，故采用 BF2分子注入法 ? F的電活性、 B的擴(kuò)散系數(shù)高 ? B被偏轉(zhuǎn)進(jìn)入主晶軸的幾率大 ? 降低注入離子的能量形成淺結(jié) ? 低能下溝道效應(yīng)比較明顯，且離子的穩(wěn)定向較差。 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 注入后發(fā)生了什么 ……… ?晶格損傷和無(wú)定型層 ? 靶原子在碰撞過(guò)程中，獲得能量，離開(kāi)晶格位置，進(jìn)入間隙，形成間隙－空位缺陷對(duì)； ? 脫離晶格位置的靶原子與其它靶原子碰撞，也可使得被碰靶原子脫離晶格位置。 ?雜質(zhì)未激活 ? 在注入的離子中，只有少量的離子處在電激活的晶格位置。 ? 高溫下， 非晶區(qū)域損傷恢復(fù) 發(fā)生在損
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