離子注入培訓(xùn)資料ppt課件-在線瀏覽
2025-02-28 18:03本頁面
【正文】 ? ? ? ? ? ? 注入機(jī)系統(tǒng)真空度 的高低對(duì)束流品質(zhì)的影響相當(dāng)關(guān)鍵。真空度底，示波器的聚焦就不會(huì)很好，同時(shí)注入的純度也達(dá)不到要求；同時(shí)真空度對(duì)注入均勻性也會(huì)有一定的影響，因?yàn)殡x子束在加速的路徑上會(huì)遇到一些雜散的氣體分子的阻擋，導(dǎo)致注入深度不夠，而相反的，未經(jīng)阻擋的離子注入的深度比較深，兩部分的離子不在硅片的同一層面上，注入的均勻性就比較差。如果真空度偏低，系統(tǒng)內(nèi)剩余氣體含量偏高，離子束與這些剩余氣體分子發(fā)生級(jí)聯(lián)碰撞，產(chǎn)生許多低能電子和派生離子，發(fā)生能量轉(zhuǎn)移，運(yùn)動(dòng)方向雜亂，這不僅對(duì)于離子束本身是一種污染，同時(shí)因碰撞的隨機(jī)性，使得束內(nèi)離子能量出現(xiàn)統(tǒng)計(jì)偏差，表現(xiàn)出較高的能散度。特別是低能電子會(huì)中和離子束，降低離子束的離子產(chǎn)額，從而影響束流的穩(wěn)定性。由上式可知dNe/dt與真空度成正比關(guān)系，所以合適的真空度是必須考慮的，一般要求系統(tǒng)各段靜態(tài)真空度優(yōu)于 6 104 Pa，這樣剩余氣體分子對(duì)束能的穩(wěn)定性影響就可忽略。 ? 襯底表面潔凈度對(duì)束能的間接影響 ? 如果由于其他工序或者環(huán)境的原因，襯底表面有塵埃和固體顆粒物，它會(huì)成為離子束的散射中心而降低注入離子的有效注入能量，產(chǎn)生局部橫向擴(kuò)散效應(yīng)，使得注入均勻性變壞，這就要求注入前必須對(duì)襯底表面進(jìn)行凈化處理。隨著離子源工作時(shí)間的延長，電離室內(nèi)壁和引出孔長期遭受等離子體濺射，內(nèi)壁常有異物淀積；燈絲絕緣子表面有污斑或者金屬化；引出孔孔徑因離子轟擊而漸漸變大，這些原因可能使陽極與陰極間電場(chǎng)畸變，也可能使陽極與燈絲發(fā)生瞬時(shí)短路，造成弧壓不穩(wěn)，啟弧間斷。這是弧流不穩(wěn)定的原因之二。同樣的原因，初聚電極表面應(yīng)確保光滑避免粗糙。 ? 加速電壓的穩(wěn)定性 ? 離子注入機(jī)使
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