離子注入培訓(xùn)資料ppt課件-展示頁
2025-01-20 18:03本頁面
【正文】 弱，氣體電離效率降低，這是弧流不穩(wěn)定的原因之一。 ? 壓力補(bǔ)償 K因子 ? K因子間接影響著注入結(jié)果 ,通常表現(xiàn)為 Rs達(dá)不到要求的結(jié)果 . ? K值存在的話注入后的 Rs要比未設(shè)置 K值的要大 . ? 另外我們應(yīng)該特別關(guān)注離子源這一部分的真空，如果真空度低會(huì)造成束流在吸極頻繁打火 ,具體表現(xiàn)為束流不穩(wěn)定 ,波形時(shí)有時(shí)無 ,而且有可能在波峰產(chǎn)生“塵峰”，這樣會(huì)直接影響束流的品質(zhì)。低能電子單位時(shí)間的產(chǎn)生額滿足如下關(guān)系式： 760)(?P Z LqIdtdNeB?? 式中， P為真空度， σ為碰撞有效截面， Z為離子束傳輸距離， L為 Loschmit常數(shù)， IB為束流值， q為離子的電荷量。 ? 另外，派生離子存在有各種荷質(zhì)比，對(duì)于這樣的離子束在隨后的聚焦掃描波形上會(huì)產(chǎn)生許多塵峰信號(hào)，嚴(yán)重時(shí)會(huì)使聚焦變得困難，這將直接影響注入時(shí)的均勻性。 ? 離子束從離子源到注入靶要經(jīng)歷 5 m長的路徑，這對(duì)于整個(gè)光路系統(tǒng)的真空度提出了較高的要求。 ? 如果真空度過低，就不會(huì)引出大束流，直接影響注入的速度 。因此，應(yīng)協(xié)調(diào)控制一些相關(guān)因素，盡量減小離子束的不穩(wěn)定度來提高注入的均勻性 。離子注入各參數(shù)對(duì)注入結(jié)果的影響 ? 半導(dǎo)體離子注入是半導(dǎo)體芯片 IC生產(chǎn)過程中的重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，它的各個(gè)參數(shù)的調(diào)整直接影響產(chǎn)品質(zhì)量和成品率的高低。那么究竟哪些因素是我們平時(shí)工作中應(yīng)當(dāng)考慮的呢？ ? 束流強(qiáng)度的穩(wěn)定性和束能的穩(wěn)定性決定了束流品質(zhì)的好壞，一個(gè)穩(wěn)定的離子束通過平穩(wěn)聚焦與掃描在注入時(shí)間域里恒定注入襯底，讓襯底單位面積獲取趨于一致的劑量積分，從而實(shí)現(xiàn)注入的均勻性，否則襯底表面會(huì)出現(xiàn)積分偏差而影響均勻性。 ?
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