半導體制造工藝之離子注入原理課件-展示頁
2025-03-07 12:18本頁面
【正文】 淺結(jié)低濃度 8’’across 平面上雜質(zhì)摻雜分布非常均勻（ 1%cm2）和能量（ 1400離子注入原 理 (上 )離子注入特點216?？刂茢U散深度和表面濃度2半導體制造工藝基礎第七章 為有限源的擴散（ Drivein），往往同時氧化function1半導體制造工藝基礎第七章 accordingtoerroraccording常用擴散摻雜方法216。非本征擴散216。費克第二定律的運用和特殊解216。半導體制造工藝基礎第七章 離子注入原 理 (上 )有關擴散方面的主要內(nèi)容216。特征擴散長度的物理含義216。常用雜質(zhì)的擴散特性及與點缺陷的相互作用216。常用擴散摻雜層的質(zhì)量測量DistributiontofunctionDistributionGaussian離子注入原 理 (上 )實際工藝中二步擴散第一步 為恒定表面濃度的擴散（ Predeposition）（稱為預沉積或預擴散）控制摻入的雜質(zhì)總量第二步 （稱為主擴散或再分布）離子注入原 理 (上 )什么是離子注入離化后的原子在強電場的加速作用下，注射進入靶材料的表層，以改變這種材料表層的物理或化學性質(zhì) 離子注入的基本過程v將某種元素的原子或攜帶該元素的分子經(jīng)離化變成帶電的離子v在強電場中加速，獲得較高的動能后，射入材料表層（靶）v以改變這種材料表層的物理或化學性質(zhì)3半導體制造工藝基礎第七章 可通過精確控制摻雜劑量（ 10111018keV）來達到各種雜質(zhì)濃度分布與注入濃度216。variationanwafer ）216?；蛏罱Y(jié)高濃度216。 可用多種材料作掩膜，如金屬、光刻膠、介質(zhì)；可防止玷污，自由度大216。 橫向效應比氣固相擴散小得多，有利于器件尺寸的縮小? 會產(chǎn)生缺陷，甚至非晶化，必須經(jīng)高溫退火加以改進? 設備相對復雜、相對昂貴（ 尤其是超低能量離子注入機 ）? 有不安全因素，如高壓、有毒氣體4半導體制造工藝基礎第七章 BF+， BF++B10B115半導體制造工藝基礎第七章 一般采用 氣體源 ，如 如用固體或液體做源材料，一般先加熱，得到它們的蒸汽，再導入放電區(qū)。Source）： 燈絲（ filament）發(fā)出的自由電子在電磁場作用下，獲得足夠的能量后撞擊源分子或原子，使它們電離成離子，再經(jīng)吸極吸出，由初聚焦系統(tǒng)聚成離子束，射向磁分析器氣體源： BF3， AsH3， PH3， Ar， GeH4， O2， N2， ...離子源： B ， 離子注入原 理 (上 )離子注入過程是一個 非平衡 過程，高能離子進入靶后不斷與原子核及其核外電子碰撞，逐步損失能量，最后停下來。7半導體制造工藝基礎第七章 ScharffSchiott首先確立了注入離子在靶內(nèi)分布理論，簡稱 ? 該理論認為，注入離子在靶內(nèi)的能量損失分為兩個彼此獨立的過程(1)stopping）(2)（ electronic離子注入原 理 (上 )power） ：材料中注入離子的能量損失大小單位路程上注入離子由于核阻止和電子阻止所損失的能量 )。? 電子阻止本領 ：來自靶內(nèi)自由電子和束縛電子的阻止。離子注入原 理 (上 )dE/dx：能量隨距離損失的平均速率E：注入離子在其運動路程上任一點 x處的能量Sn(E)：核阻止本領 /截面 靶原子密度 cm3SiLSS理論能量 E的函數(shù)能量為 E的
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