半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)教材-展示頁(yè)
2025-03-07 04:28本頁(yè)面
【正文】 光刻1掩膜版制作 接觸式、接近式光刻12半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )電子束直寫熔融石英玻璃片80nmCr10～ 15nmARC（ antireflection coating）光刻膠高透明度（散射?。崤蛎浶?52。再將圖案直接轉(zhuǎn)移至對(duì)電子束敏感的掩模版上。掩模版的第一步為設(shè)計(jì)者用 CAD系統(tǒng)完整地將版圖描繪出來(lái)。塵埃粒子在掩模版圖案上所造成的不同腐蝕的影響在 IC制造中必須要求潔凈的廠房，特別是圖形曝光的工作區(qū)域，因?yàn)閴m埃可能會(huì)粘附于晶片或掩模版上造成器件的缺陷從而是電路失效。6半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )? ? 提高了經(jīng)濟(jì)效益? 但是要在大面積的晶圓上實(shí)現(xiàn)均勻的膠膜涂覆，均勻感光，均勻顯影，比較困難? 高溫會(huì)引起晶圓的形變，需要對(duì)周圍環(huán)境的溫度控制要求十分嚴(yán)格，否則會(huì)影響光刻質(zhì)量缺陷會(huì)使電路失效，因此應(yīng)該盡量減少缺陷7半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )光學(xué)圖形曝光－潔凈室在集成電路制造中，主要的圖形曝光設(shè)備是利用紫外光 [λ=]的光學(xué)儀器。? 由于圖形的特征尺寸在亞微米數(shù)量級(jí)上，因此，對(duì)套刻要求很高。為了提高產(chǎn)量 ,要求光刻周期越短越好，這就要求曝光時(shí)間越短越好，也就要求高靈敏度。? 通常以每毫米內(nèi)能刻蝕出可分辨的最多線條數(shù)目來(lái)表示。3半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )光刻的要求? 對(duì)光刻的基本要求： （ 1） 高分辨率 （ 2） 高靈敏度 （ 3） 精密的套刻對(duì)準(zhǔn) （ 4） 大尺寸硅片上的加工 （ 5） 低缺陷 4半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )? 1. 高分辨率? 分辨率是將硅片上兩個(gè)鄰近的特征圖形區(qū)分開(kāi)來(lái)的能力，即對(duì)光刻工藝中可以達(dá)到的最小光刻圖形尺寸的一種描述，是光刻精度和清晰度的標(biāo)志之一。 所謂特征尺寸（ CD： characteristic dimension）是指設(shè)計(jì)的多晶硅柵長(zhǎng)，它標(biāo)志了器件工藝的總體水平，是設(shè)計(jì)規(guī)則的主要部分。2半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 ) 集成電路的 特征尺寸 是否能夠進(jìn)一步減小，也與 光刻技術(shù) 的進(jìn)一步發(fā)展有密切的關(guān)系。半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )光刻的作用和目的圖形的產(chǎn)生和布局1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 ) 光刻的定義 光刻是一種 圖形復(fù)印 和 化學(xué)腐蝕 相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。用 照相復(fù)印的方法將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面的光刻膠上 ，以實(shí)現(xiàn)后續(xù)的有選擇 刻蝕或注入摻雜 光刻的目的 ： 光刻的目的就是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形， 把掩模版上的圖形轉(zhuǎn)換成晶圓上的器件結(jié)構(gòu) ,從而實(shí)現(xiàn) 選擇性擴(kuò)散 和 金屬薄膜布線 的目的 。 通常人們用特征尺寸來(lái)評(píng)價(jià)一個(gè)集成電路生產(chǎn)線的技術(shù)水平 。通常我們所說(shuō)的 ?m,?m工藝就是 指的光刻技術(shù)所能達(dá)到最小線條的工藝。? 隨著集成電路的集成度提高，加工的線條越來(lái)越細(xì)，對(duì)分辨率的要求也越來(lái)越高。5半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )? ? 靈敏度是指光刻膠感光的速度。? ? 集成電路制作需要十多次甚至幾十次光刻，每次光刻都要相互套準(zhǔn)。要求套刻誤差在特征尺寸的 10％左右。主要討論曝光裝置、掩模版、抗蝕劑
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