半導(dǎo)體制造工藝_05光刻(下)-展示頁
2025-03-06 12:03本頁面
【正文】 光刻原 理 (下 ) 光刻膠的一些問題 由于硅片表面高低起伏，可能造成曝光不足或過曝光。 線條寬度改變！ 1 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 下層反射造成駐波，下層散射降低圖像分辨率。 2 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 駐波對于光刻圖形的影響 3 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 光刻步驟簡述 前烘 對準(zhǔn)及曝光 堅(jiān)膜 曝光后烘 4 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 光刻步驟詳述 硅片 增粘處理 ?高溫烘培 ?增粘劑處理 ：六甲基二硅胺烷（ HMDS） 勻膠機(jī) 涂膠： 3000～ 6000 rpm， ~1 mm 前烘： 10～ 30 min， 90～ 100 ?C 熱板 去除光刻膠中的溶劑，改善膠與襯底的粘附性，增加抗蝕性，防止顯影時(shí)浮膠和鉆蝕。 7 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) Stepper Scan System Canon FPA4000ES1: 248 nm, 8” wafer 80/hr, field view: 25 mm 33 mm, alignment: ?70 nm, NA: , OAI 透鏡成本下降、性能提升 視場大 尺寸控制更好 變形小 8 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 圖形轉(zhuǎn)移 —— 刻蝕 9 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 圖形轉(zhuǎn)移 —— 剝離（ liftoff） 10 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 去膠 溶劑去膠 （ strip） ： Piranha (H2SO4:H2O2)。 干法去膠（ Ash) 11 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 光源 NGL: X射線 (5197。) 光源 波長 ?(nm) 術(shù)語 技術(shù)節(jié)點(diǎn) 汞燈 436 g線 汞燈 365 i線 KrF(激光 ) 248 DUV ArF (激光 ) 193 193DUV 90/65…32nm F2 (激光 ) 157 VUV CaF2 lenses 激光激發(fā) Xe等離子體 EUV Reflective mirrors NAkR?1? Using light source with shorter ? 提高分辨率的方法 12 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 248 nm 157 nm nm 193 nm 13 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) Reducing resolution factor k1 Phase Shift Mask Pattern dependent ? k1 can be reduced by up to 40 % NAkR ?1?Normal Mask *EEI ?? PSM (phase shift mask) 附加材料造成光學(xué) 路逕差異，達(dá)到反相 14 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) Alternating PSM Attenuated PSM …… 相移技術(shù)提高圖形分辨率 選擇性腐蝕石英基板造成光學(xué) 路逕差異，達(dá)到反相 i ~ e2 )1/( ?? nd ?15
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