半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)流程-展示頁(yè)
2025-07-05 12:08本頁(yè)面
【正文】 p。amp。amp。amp。amp。amp。晶片由晶圓切割成，直徑和晶圓相同，厚度為300μm由于硅很硬，要用金剛石鋸來(lái)準(zhǔn)確切割晶圓片，以得到比要求尺寸要厚一些的晶片。多晶硅是很多具有不同晶向的小單晶體單獨(dú)形成的，不能用來(lái)做半導(dǎo)體電路。這要從硅錠的生長(zhǎng)開(kāi)始。 半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)本征材料：純硅 910個(gè) N型硅： 摻入V族元素磷P、砷As、銻SbP型硅： 摻入 III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)PN結(jié)：半 導(dǎo)體元件制造過(guò)程可分為前段（Front End）制程 晶圓處理制程（Wafer Fabrication；簡(jiǎn)稱(chēng) Wafer Fab）、 晶圓針測(cè)制程（Wafer Probe）；后段（Back End） 構(gòu)裝（Packaging）、測(cè)試制程（Initial Test and Final Test）晶圓邊緣檢測(cè)系統(tǒng)一、晶圓處理制程 晶圓處理制程之主要工作為在矽晶圓上制作電路與電子元件，為各制程中所需技術(shù)最復(fù)雜且資金投入最多的過(guò)程 ，以微處理器（Microprocessor）為例，其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道，而其所需加工機(jī)臺(tái)先進(jìn)且昂貴，有時(shí)可達(dá)數(shù)千萬(wàn)一臺(tái)，其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與 含塵（Particle）均需控制的無(wú)塵室（CleanRoom），雖然詳細(xì)的處理程序是隨著產(chǎn)品種類(lèi)與所使用的技術(shù)有關(guān)；不過(guò)其基本處理步驟通常
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