半導體制造工藝設計流程-免費閱讀
【正文】 Al—NSi 歐姆接觸：ND≥1019cm3，去SiO2—氧化涂膠—烘烤掩膜（曝光）顯影堅膜—蝕刻—清洗—去膜—清洗—擴散第五次光刻—引線接觸孔去SiO2—氧化涂膠—烘烤掩膜（曝光）顯影堅膜—蝕刻—清洗—去膜—清洗第六次光刻—金屬化內連線：反刻鋁圖表 4 Da VinciTM濕法表面處理設備SiO2去SiO2—氧化涂膠—烘烤掩膜（曝光）顯影堅膜—蝕刻—清洗—去膜—清洗—蒸鋁高能點膠光刻系統(tǒng)圖表 6 高產能點膠系統(tǒng)半自動焊接鍵合系統(tǒng)圖表 5 半自動焊接鍵合系統(tǒng)內存修正系統(tǒng)圖表 2 內存修正系統(tǒng)光掩膜缺陷檢查裝置圖表 7 光掩膜缺陷檢查裝置缺陷檢測設備圖表 12 缺陷檢測您好，歡迎您閱讀我的文章，本WORD文檔可編輯修改，也可以直接打印。經研磨、拋光、切片后，即成半導體之原料 晶圓片第一次光刻—N+埋層擴散孔1。一般晶圓制造廠，將多晶硅融解 后，再利用硅晶種慢慢拉出單晶硅晶棒。nbsp。nbsp。單晶硅是原子以三維空間模式周期形成的固體，這種模式貫穿整個材料。多晶硅是很多具有不同晶向的小單晶體單獨形成的，不能用來做半導體電路。amp。切割晶圓片后，開始進入研磨工藝。一支85公分長， 8寸 硅晶棒，約需 2天半時間長成。減小集電極串聯電阻2。閱讀過后，希望您提出保貴的
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