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半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)流程(留存版)

2025-08-10 12:08上一頁面

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【正文】 程,制成棒狀或粒狀的「多晶硅」。氧化TepiXjc+Xmc+TBLup+tepiox第二次光刻—P+隔離擴(kuò)散孔圖表 3CD檢測(cè)設(shè)備 半導(dǎo)體國際在襯底上形成孤立的外延層島,實(shí)現(xiàn)元件的隔離.SiO2涂膠—烘烤掩膜(曝光)顯影堅(jiān)膜—蝕刻—清洗—去膜清洗—P+擴(kuò)散(B)第三次光刻—P型基區(qū)擴(kuò)散孔決定NPN管的基區(qū)擴(kuò)散位置范圍去SiO2—氧化涂膠—烘烤掩膜(曝光)顯影堅(jiān)膜—蝕刻—清洗—去膜—清洗—基區(qū)擴(kuò)散(B) 圖表 9 Da VinciTM濕法表面處理設(shè)備第四次光刻—N+發(fā)射區(qū)擴(kuò)散孔集電極和N型電阻的接觸孔,以及外延層的反偏孔。減小集電極串聯(lián)電阻2。切割晶圓片后,開始進(jìn)入研磨工藝。多晶硅是很多具有不同晶向的小單晶體單獨(dú)形成的,不能用來做半導(dǎo)體電路。nbsp。一般晶圓制造廠,將多晶硅融解 后,再利用硅晶種慢慢拉出單晶硅晶棒。Al—NSi 歐姆接觸:ND≥1019cm3,去SiO2—氧化涂膠—烘烤掩膜(曝光)顯影堅(jiān)膜—蝕刻—清洗—去膜—清洗—擴(kuò)散第五次光刻—引線接觸孔去SiO2—氧化涂膠—烘烤掩膜(曝光)顯影堅(jiān)膜—蝕刻—清洗—去膜—清洗第六次光刻—金屬化內(nèi)連線:反刻鋁圖表 4 Da VinciTM濕法表面處理設(shè)備SiO2去SiO2—氧化涂膠
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