【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步?結(jié)深?薄層電阻?固溶度?2、兩種特殊條件下的費(fèi)克第二定律的解及其特點(diǎn)?特征擴(kuò)散長(zhǎng)度?預(yù)淀積+退火。預(yù)淀積:氣固相預(yù)淀積擴(kuò)散或離子注入。Rs:表面為正方形的半導(dǎo)體薄層(結(jié)深),在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻,單位為?/?,反映擴(kuò)散入硅
2025-03-03 14:53
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝第4章 氧 化第4章 氧 化 引言 二氧化硅膜的性質(zhì) 二氧化硅膜的用途 熱氧化原理 氧化設(shè)備 氧化膜的質(zhì)量控制 氧化工藝模擬 引言二氧化硅(SiO2)是一種絕緣介質(zhì)。它在半導(dǎo)體器件中起著十分重要的作用。硅暴露在空氣中,即使在室溫條件下,其表面也能生長(zhǎng)一層4nm左右的氧化膜。這一層氧化膜結(jié)構(gòu)致密,能防止硅表面繼續(xù)被氧
2025-03-01 04:30
【總結(jié)】Chapter?8離子注入1目標(biāo)?至少列出三種最常使用的摻雜物?辨認(rèn)出至少三種摻雜區(qū)域?描述離子注入的優(yōu)點(diǎn)?描述離子注入機(jī)的主要部分?解釋通道效應(yīng)?離子種類和離子能量的關(guān)系?解釋后注入退火?辨認(rèn)安全上的危害2離子注入?簡(jiǎn)介?安全性?硬件?制程?概要3材料設(shè)計(jì)光罩IC生產(chǎn)
2025-03-01 12:19
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為
2025-03-12 19:26
【總結(jié)】華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系先進(jìn)制造技術(shù)半導(dǎo)體制造裝備華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系微電子封裝一般可分為4級(jí),如圖所示,即:0級(jí)封裝———芯
2025-02-26 08:37
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段
2024-10-19 12:48
【總結(jié)】一、晶圓處理制程?? 晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子組件(如晶體管、電容體、邏輯閘等),為上述各制程中所需技術(shù)最復(fù)雜且資金投入最多的過程,以微處理器(Microprocessor)為例,其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道,而其所需加工機(jī)臺(tái)先進(jìn)且昂貴,動(dòng)輒數(shù)千萬一臺(tái),其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與含塵量(Particle)均需控制的無塵室(Clean-Ro
2025-04-07 20:43
【總結(jié)】下載最好的KEC-W和C&C的我&我(20xx.)PEGKEC-公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告KEC-公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告決裁贊成者助手設(shè)計(jì)Reportor:朱Zhao六月日期:~總數(shù)標(biāo)明的頁數(shù)S以系統(tǒng)P字新的(包裹,機(jī)器
2025-05-22 20:19
2025-02-28 12:01
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝半導(dǎo)體制造工藝l微電子學(xué):Microelectronicsl微電子學(xué)——微型電子學(xué)l核心——半導(dǎo)體器件l半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)芯片檢測(cè)單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測(cè)試物理原理—制造業(yè)—芯片制造過程由氧化、淀積、離子注入或蒸發(fā)形成新的薄膜或膜層曝光刻蝕
2025-03-01 12:21
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理兩大關(guān)鍵問題:?選擇性?方向性:各向同性/各向異性待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉(zhuǎn)移過程演示圖形轉(zhuǎn)移=光刻+刻蝕1半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理刻蝕速率R(etchrate)單位時(shí)間刻蝕的薄膜厚度。對(duì)產(chǎn)
2025-03-01 12:23
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第七章離子注入原理(上)有關(guān)擴(kuò)散方面的主要內(nèi)容?費(fèi)克第二定律的運(yùn)用和特殊解?特征擴(kuò)散長(zhǎng)度的物理含義?非本征擴(kuò)散?常用雜質(zhì)的擴(kuò)散特性及與點(diǎn)缺陷的相互作用?常用擴(kuò)散摻雜方法?常用擴(kuò)散摻雜層的質(zhì)量測(cè)量Distributionaccordingtoerrorfunction???
2025-03-04 15:32
【總結(jié)】通信與電子工程學(xué)院第三章第三章硅的硅的氧化氧化v緒論vSiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)vSiO2的掩蔽作用v硅的熱氧化生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)v決定氧化速度常數(shù)和影響氧化速率的各種因素v熱氧化過程中的雜質(zhì)再分布v初始氧化階段以及薄氧化層的生長(zhǎng)vSi-SiO2界面特性下一頁通信與電子工程學(xué)院二氧化硅是上帝賜給二氧化硅是上帝賜給IC的材料。的材料。通信與電
2025-03-01 04:27
【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長(zhǎng)1半導(dǎo)體器件與工藝半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長(zhǎng)2一、襯底材料的類型1.元素半導(dǎo)體Si、Ge….2.化合物半導(dǎo)體GaAs、SiC、GaN…半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長(zhǎng)3二、對(duì)襯底材料的要求?導(dǎo)電
【總結(jié)】芯片制造-半導(dǎo)體工藝教程MicrochipFabrication????????----APracticalGuidetoSemicondutorProcessing????????
2025-07-27 13:48