[精選]半導(dǎo)體制造工藝_05光刻(下)-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)光刻膠的一些問(wèn)題1、由于硅片表面高低起伏，可能造成曝光不足或過(guò)曝光。線條寬度改變！1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)2、下層反射造成駐波，下層散射降低圖像分辨率。DUV膠—ARCg線和i線膠—使用添加劑，吸光并

2025-02-28 12:03

[精選]半導(dǎo)體制造工藝_07擴(kuò)散(上)-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(上)摻雜（doping）：將一定數(shù)量和一定種類的雜質(zhì)摻入硅中，并獲得精確的雜質(zhì)分布形狀（dopingprofile）。MOSFET：阱、柵、源/漏、溝道等BJT：基極、發(fā)射極、集電極等摻雜應(yīng)用：BECppn+n-p+p+n+n+B

2025-03-03 14:53

半導(dǎo)體制造工藝流程(ppt97)-生產(chǎn)制度表格-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料：純硅9-10個(gè)9?N型硅：摻入V族元素--磷P、砷As、銻Sb?P型硅：摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié)：NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過(guò)程可分為?

2024-08-18 19:38

[精選]半導(dǎo)體制造工藝第3章清洗工藝-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝第3章　清洗工藝第3章　清洗工藝　引言　污染物雜質(zhì)的分類　清洗方法概況　常用清洗設(shè)備——超聲波清洗設(shè)備　質(zhì)量控制　引言表3-1　國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)指南——清洗技術(shù)　引言表3-1　國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)指南——清洗技術(shù)　污染物雜質(zhì)的分類表3-2　各種沾污的來(lái)源和相對(duì)的影響　污染物雜質(zhì)的分類　

2025-03-01 04:30

[精選]半導(dǎo)體制造工藝_11刻蝕-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理兩大關(guān)鍵問(wèn)題：?選擇性?方向性：各向同性/各向異性21rrS?待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率vertlatrrA??1橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程演示圖形轉(zhuǎn)移＝光刻＋刻蝕

2025-03-04 15:10

[精選]半導(dǎo)體制造工藝_01晶體的生長(zhǎng)-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長(zhǎng)1半導(dǎo)體器件與工藝半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長(zhǎng)2一、襯底材料的類型1.元素半導(dǎo)體Si、Ge….2.化合物半導(dǎo)體GaAs、SiC、GaN…半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長(zhǎng)3二、對(duì)襯底材料的要求?導(dǎo)電

2025-02-28 15:09

[精選]半導(dǎo)體制造工藝之光刻原理課件-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)光刻膠的一些問(wèn)題1、由于硅片表面高低起伏，可能造成曝光不足或過(guò)曝光。線條寬度改變！1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)2、下層反射造成駐波，下層散射降低圖像分辨率。DUV膠—ARCg線和i線膠—使用添加劑，吸光并

2025-03-03 14:53

[精選]半導(dǎo)體制造工藝第1章緒論-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝張淵主編張淵主編半導(dǎo)體制造工藝高職高?！笆濉彪娮有畔㈩悓I(yè)規(guī)劃教材第1章　緒　　論第1章　緒　　論　引言　基本半導(dǎo)體元器件結(jié)構(gòu)　半導(dǎo)體器件工藝的發(fā)展歷史　集成電路制造階段　半導(dǎo)體制造企業(yè)　基本的半導(dǎo)體材料　半導(dǎo)體制造中使用的化學(xué)品　芯片制造的生產(chǎn)環(huán)境　引言圖1-1　集成電路組成的抽象結(jié)構(gòu)圖

2025-03-01 12:19

[精選]半導(dǎo)體制造工藝_03硅的氧化-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】通信與電子工程學(xué)院第三章第三章硅的硅的氧化氧化v緒論vSiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)vSiO2的掩蔽作用v硅的熱氧化生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)v決定氧化速度常數(shù)和影響氧化速率的各種因素v熱氧化過(guò)程中的雜質(zhì)再分布v初始氧化階段以及薄氧化層的生長(zhǎng)vSi-SiO2界面特性下一頁(yè)通信與電子工程學(xué)院二氧化硅是上帝賜給二氧化硅是上帝賜給IC的材料。的材料。通信與電

2025-02-28 12:01

[精選]半導(dǎo)體制造工藝之?dāng)U散原理概述-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步？結(jié)深？薄層電阻？固溶度？2、兩種特殊條件下的費(fèi)克第二定律的解及其特點(diǎn)？特征擴(kuò)散長(zhǎng)度？預(yù)淀積＋退火。預(yù)淀積：氣固相預(yù)淀積擴(kuò)散或離子注入。Rs：表面為正方形的半導(dǎo)體薄層（結(jié)深），在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻，單位為?/?，反映擴(kuò)散入硅

2025-03-03 14:53

[精選]半導(dǎo)體制造工藝第4章氧化-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝第4章　氧　　化第4章　氧　　化　引言　二氧化硅膜的性質(zhì)　二氧化硅膜的用途　熱氧化原理　氧化設(shè)備　氧化膜的質(zhì)量控制　氧化工藝模擬　引言二氧化硅(SiO2)是一種絕緣介質(zhì)。它在半導(dǎo)體器件中起著十分重要的作用。硅暴露在空氣中，即使在室溫條件下，其表面也能生長(zhǎng)一層4nm左右的氧化膜。這一層氧化膜結(jié)構(gòu)致密，能防止硅表面繼續(xù)被氧

2025-03-01 04:30

[精選]半導(dǎo)體制造技術(shù)--離子注入工藝-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】Chapter?8離子注入1目標(biāo)?至少列出三種最常使用的摻雜物?辨認(rèn)出至少三種摻雜區(qū)域?描述離子注入的優(yōu)點(diǎn)?描述離子注入機(jī)的主要部分?解釋通道效應(yīng)?離子種類和離子能量的關(guān)系?解釋后注入退火?辨認(rèn)安全上的危害2離子注入?簡(jiǎn)介?安全性?硬件?制程?概要3材料設(shè)計(jì)光罩IC生產(chǎn)

2025-03-01 12:19

半導(dǎo)體制作工藝流程講義-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料：純硅9-10個(gè)9?N型硅：摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅：摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié)：NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過(guò)程可分為

2025-03-12 19:26

半導(dǎo)體制造裝備概述-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系先進(jìn)制造技術(shù)半導(dǎo)體制造裝備華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系微電子封裝一般可分為4級(jí),如圖所示,即:0級(jí)封裝———芯

2025-02-26 08:37

半導(dǎo)體制造工藝流程【強(qiáng)烈推薦，實(shí)戰(zhàn)精華版】-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料：純硅9-10個(gè)9?N型硅：摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅：摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié)：NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過(guò)程可分為?前段

2024-10-19 12:48

半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)流程-閱讀頁(yè)

半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)流程(文件)

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