【總結】半導體制造工藝流程N型硅:摻入V族元素--磷P、砷As、銻Sb P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng) PN結: 半導體元件制造過程可分為 前段(FrontEnd)制程 晶圓處理制程(WaferFabrication;簡稱WaferFab)、 晶圓針測制程(WaferProbe); 後段(BackEnd) 構裝(Packaging)、 測
2024-08-31 13:36
【總結】半導體制造工藝第3章 清洗工藝第3章 清洗工藝 引言 污染物雜質的分類 清洗方法概況 常用清洗設備——超聲波清洗設備 質量控制 引言表3-1 國際半導體技術指南——清洗技術 引言表3-1 國際半導體技術指南——清洗技術 污染物雜質的分類表3-2 各種沾污的來源和相對的影響 污染物雜質的分類
2025-03-01 04:30
【總結】華中科技大學機械學院機械電子信息工程系先進制造技術半導體制造裝備華中科技大學機械學院機械電子信息工程系華中科技大學機械學院機械電子信息工程系華中科技大學機械學院機械電子信息工程系華中科技大學機械學院機械電子信息工程系微電子封裝一般可分為4級,如圖所示,即:0級封裝———芯
2025-02-26 08:37
【總結】半導體制造工藝基礎第五章刻蝕原理兩大關鍵問題:?選擇性?方向性:各向同性/各向異性21rrS?待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率vertlatrrA??1橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉移過程演示圖形轉移=光刻+刻蝕
2025-03-04 15:10
【總結】半導體制造工藝流程半導體相關知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結:NP+++++半導體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wa
2025-03-01 04:29
【總結】半導體制備工藝原理第一章晶體生長1半導體器件與工藝半導體制備工藝原理第一章晶體生長2一、襯底材料的類型1.元素半導體Si、Ge….2.化合物半導體GaAs、SiC、GaN…半導體制備工藝原理第一章晶體生長3二、對襯底材料的要求?導電
2025-02-28 15:09
【總結】半導體制造工藝張淵主編張淵主編半導體制造工藝高職高專“十二五”電子信息類專業(yè)規(guī)劃教材第1章 緒 論第1章 緒 論 引言 基本半導體元器件結構 半導體器件工藝的發(fā)展歷史 集成電路制造階段 半導體制造企業(yè) 基本的半導體材料 半導體制造中使用的化學品 芯片制造的生產環(huán)境 引言圖1-1 集成電路組成的抽象結構圖
2025-03-01 12:19
【總結】通信與電子工程學院第三章第三章硅的硅的氧化氧化v緒論vSiO2的結構和性質vSiO2的掩蔽作用v硅的熱氧化生長動力學v決定氧化速度常數(shù)和影響氧化速率的各種因素v熱氧化過程中的雜質再分布v初始氧化階段以及薄氧化層的生長vSi-SiO2界面特性下一頁通信與電子工程學院二氧化硅是上帝賜給二氧化硅是上帝賜給IC的材料。的材料。通信與電
2025-02-28 12:01
【總結】半導體制造工藝基礎第六章擴散原理(下)上節(jié)課主要內容1、摻雜工藝一般分為哪兩步?結深?薄層電阻?固溶度?2、兩種特殊條件下的費克第二定律的解及其特點?特征擴散長度?預淀積+退火。預淀積:氣固相預淀積擴散或離子注入。Rs:表面為正方形的半導體薄層(結深),在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻,單位為?/?,反映擴散入硅
2025-03-03 14:53
【總結】半導體制造工藝第4章 氧 化第4章 氧 化 引言 二氧化硅膜的性質 二氧化硅膜的用途 熱氧化原理 氧化設備 氧化膜的質量控制 氧化工藝模擬 引言二氧化硅(SiO2)是一種絕緣介質。它在半導體器件中起著十分重要的作用。硅暴露在空氣中,即使在室溫條件下,其表面也能生長一層4nm左右的氧化膜。這一層氧化膜結構致密,能防止硅表面繼續(xù)被氧
【總結】Chapter?8離子注入1目標?至少列出三種最常使用的摻雜物?辨認出至少三種摻雜區(qū)域?描述離子注入的優(yōu)點?描述離子注入機的主要部分?解釋通道效應?離子種類和離子能量的關系?解釋后注入退火?辨認安全上的危害2離子注入?簡介?安全性?硬件?制程?概要3材料設計光罩IC生產
【總結】現(xiàn)代半導體器件物理與工藝桂林電子科技大學圖形曝光與光刻1圖形曝光與光刻現(xiàn)代半導體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices2022,7,30現(xiàn)代半導體器件物理與工藝桂林電子科技大學圖形曝光與光刻2圖形曝光與刻蝕圖形曝光(lithogra
2025-06-12 18:07
【總結】半導體制造工藝半導體制造工藝l微電子學:Microelectronicsl微電子學——微型電子學l核心——半導體器件l半導體器件設計與制造的主要流程框架設計芯片檢測單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測試物理原理—制造業(yè)—芯片制造過程由氧化、淀積、離子注入或蒸發(fā)形成新的薄膜或膜層曝光刻蝕
2025-03-01 12:21
【總結】半導體制造工藝基礎第五章刻蝕原理兩大關鍵問題:?選擇性?方向性:各向同性/各向異性待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉移過程演示圖形轉移=光刻+刻蝕1半導體制造工藝基礎第五章刻蝕原理刻蝕速率R(etchrate)單位時間刻蝕的薄膜厚度。對產
2025-03-01 12:23
【總結】半導體制造工藝基礎第七章離子注入原理(上)有關擴散方面的主要內容?費克第二定律的運用和特殊解?特征擴散長度的物理含義?非本征擴散?常用雜質的擴散特性及與點缺陷的相互作用?常用擴散摻雜方法?常用擴散摻雜層的質量測量Distributionaccordingtoerrorfunction???
2025-03-04 15:32