半導(dǎo)體制造技術(shù)--離子注入工藝(編輯修改稿)
2025-03-19 12:19 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 不均勻的離子分布? 電弧型態(tài)放電引發(fā)晶圓表面的缺陷? 使匣極氧化層崩潰，低良率? 需要將帶電效應(yīng)消除或最小化80帶電效應(yīng)++++離子軌跡晶圓81電荷中性化系統(tǒng)? 需要提供電子以中性化離子? 電漿泛注系統(tǒng)? 電子槍 ? 電子淋浴器82電壓泛注系統(tǒng)直流電力燈絲電流+?鎢燈絲電漿氬 離子束晶圓電子83電子槍離子束電子槍二次電子熱燈絲電子晶圓二次電子靶84晶圓處理器? 離子束直徑 :~25mm(~1”),? 晶圓直徑 :200mm(8”)或更大? 需要移動(dòng)離子束或晶圓或兩者，使離子束均勻地掃描整個(gè)晶圓– 旋轉(zhuǎn)輪式– 旋轉(zhuǎn)盤(pán)式– 單晶圓掃描85旋轉(zhuǎn)輪式晶圓處理系統(tǒng)旋轉(zhuǎn)速率 :最高到 2400rpm搖擺周期 :~10sec離子束注入帶區(qū)晶圓旋轉(zhuǎn)臂86旋轉(zhuǎn)盤(pán)式晶圓處理系統(tǒng)離子束晶圓87單晶圓掃描系統(tǒng)離子束掃描電極掃描離子束 晶圓移動(dòng)88離子注入：射束阻擋器? 吸收離子束的能量 ? 離子束檢測(cè)器– 射束電流、射束能量和射束形狀量測(cè)? 水冷式的金屬平板用來(lái)帶走所產(chǎn)生的熱量，并阻擋 x光輻射89離子注入：終端分析儀? 法拉第電荷檢測(cè)器? 用來(lái)校正射束電流、能量和形狀90離子阻擋器示意圖離子束磁鐵晶圓冷卻平板石墨 俯視圖法拉第電流偵測(cè)器91離子注入制程? CMOS應(yīng)用? CMOS離子注入的要求? 注入制程評(píng)估92CMOS離子注入規(guī)范注入步驟 , 64 Mb , 256 Mb , 1 GbN型井區(qū) 井區(qū) P/600/2?1013 P/400/2?1013 P/300/1?1013抗接面擊穿 P/100/5?1013 As/100/5?1012 As/50/2?1012臨界電壓 B/10/7?1012 B/5/3?1012 B/2/4?1012多晶硅注入 P/30/2?1015 B/20/2?1015 B/20/3?1015多晶硅擴(kuò)散阻隔 N2/20/3?1015低摻雜漏極 (LDD) B/7/5?1013 B/5/1?1014 B/2/8?1013Halo(45?注入 ) As/30/5?1013源極 /漏極 接觸 B/10/2?1015 B/7/2?1015 B/6/2?1015P型井區(qū) 井區(qū) B/225/3?1013 B/200/1?1013 B/175/1?1013抗接面擊穿 B/30/2?1013 B/50/5?1012 B/45/5?1012臨界電壓 B/10/7?1012 B/5/3?1012 B/2/4?1012多晶硅注入 P/30/5?1015 P/20/2?1015 As/40/3?1015多晶硅擴(kuò)散阻隔 N2/20/3?1015低摻雜漏極 (LDD) P/20/5?1013 P/12/5?1013 P/5/3?1013Halo(45?注入 ) B/30/3?1012 B/20/3?1012 B/7/2?1013源極 /漏極 接觸 As/30/3?1015 As/20/3?1015 As/15/3?101593? 高能量 (到 MeV),低劑量 (1013/cm2)P型磊晶層P型晶圓光阻N型井區(qū)P+注入制程：井區(qū)注入94光阻B+P型 外延 層P型晶圓N型井區(qū)P型 井區(qū)STI USG低能量 ,低劑量臨界電壓 (VT)調(diào)整的注入說(shuō)明N通道 VT調(diào)整 P通道 VT調(diào)整95光阻P+P型 外延 層P型晶圓N型井區(qū)P型井區(qū)STI USG? 低能量 (10keV),低劑量 (1013/cm2)離子注入：低摻雜漏極 (LDD)注入96? 低能量 (20keV),高劑量 t(1015/cm2)P型磊晶層P型晶圓N型井區(qū)P型井區(qū)光阻P+STI USGn+n+離子注入：源極 /漏極注入97離子注入制程離子注入 能量 劑量井區(qū) 高 低源極 /漏 極 低 高臨界電壓調(diào)整 低 低低摻雜漏極 低 低98制程爭(zhēng)點(diǎn)? 晶圓帶電? 粒子污染物? 元素污染? 制程評(píng)估99晶圓帶電? 導(dǎo)致匣極氧化層的崩潰? 二氧化硅的介電質(zhì)強(qiáng)度 :~10MV/cm? 100197。匣極氧化層的崩潰電壓是 10V? 匣極氧化層 :30到 35197。,對(duì) ? 需要較好的電荷中性化100晶圓帶電監(jiān)測(cè)? 天線式電容器帶電的測(cè)試結(jié)構(gòu)? 多晶硅襯墊區(qū)的面積和薄氧化層區(qū)域的面積比稱為天線比例 (antennaratio)? 可以高到 100,000： 1? 天線比例越大，越容
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