半導體制造工藝第2版(編輯修改稿)
2025-03-19 04:30 本頁面
【文章內容簡介】 業(yè)技術學院光刻腐蝕方便? 鎢絲蒸發(fā)利用鎢絲作為鋁源承載體，在蒸發(fā)過程中，由于高溫下鎢 鋁直接接觸而變成合金，因此在蒸發(fā)的鋁膜中含有鎢或其他金屬雜質，這給光刻帶來一定困難；? 電子束蒸發(fā)時，鋁是放在用水冷卻的紫銅坩堝中內，坩堝有較高的熱傳遞性和充分的接觸面積，當鋁源中心熔化蒸發(fā)時，與坩堝接觸的四壁和底部仍處于固態(tài)，防止銅鋁反應，所以電子束蒸發(fā)所得到的鋁膜純度高，易于光刻，線條整齊；學習情景三常州信息職業(yè)技術學院鍍膜層均勻? 電子束蒸發(fā)時采用行星式轉動機構，硅片在空間不斷旋轉，因此鍍膜十分均勻（ 鎢絲蒸發(fā)時硅片是固定不動的 ）；學習情景三常州信息職業(yè)技術學院節(jié)省大量鎢絲和鋁源? 鎢絲蒸發(fā)時每根鎢絲使用 5~8次就得更換，而電子束蒸發(fā)采用屏蔽燈絲結構，燈絲壽命較長，使用得當，可以使用一年，并省去清洗鎢絲的工作；? 電子束蒸發(fā)將鋁放在坩堝里，由于坩堝容積大，可放源 150g左右，每蒸發(fā)一次所用鋁源不多，而鎢絲蒸發(fā)每次都得加鋁源；學習情景三常州信息職業(yè)技術學院不能產生均勻的臺階覆蓋? 通過片架的 “自轉 ”和 “公轉 ”，在臺階覆蓋覆蓋方面取得了一些進步；? 在超大規(guī)模集成電路制造技術中，金屬化需要能夠填充具有高深寬比的小孔，并且產生等角的臺階覆蓋；? 蒸發(fā)技術在高深寬比的孔填充方面遠遠不能滿足要求，所以導致蒸發(fā)在現(xiàn)代 IC生產中被淘汰；蒸發(fā)缺點學習情景三常州信息職業(yè)技術學院難以淀積合金材料? 由于合金是兩種金屬材料組成，而兩種金屬就會有兩種不同的熔點，這使得利用蒸發(fā)使合金材料按原合金比例淀積到硅片上是不可能的；學習情景三常州信息職業(yè)技術學院濺射概念： ? 利用等離子體中的離子，對被濺鍍物體（粒子靶 ）進行轟擊，使氣相等離子體內具有被濺鍍物體的粒子，這些粒子淀積到硅晶片上形成濺射薄膜；學習情景三常州信息職業(yè)技術學院濺射優(yōu)點：? 可在一個面積很大的靶上進行，這樣解決了大尺寸硅片淀積鋁膜厚度均勻性的問題；? 在選定工作條件下，膜厚較容易控制，只要調節(jié)時間就可以得到所需要厚度；? 濺射淀積薄膜的合金成分要比用蒸發(fā)容易控制；學習情景三常州信息職業(yè)技術學院濺射工作原理：? 產生離子并導向一個靶；? 離子把靶表面上的原子轟擊出來；? 被轟擊出的原子向硅片運動；? 在硅片表面這些原子凝成薄膜；學習情景三常州信息職業(yè)技術學院濺射示意圖學習情景三常州信息職業(yè)技術學院輝光放電? 轟擊靶材料的高能粒子是輝光放電產生的；原理： 一根玻璃管中充滿了壓力為 1Torr的氬氣，兩個電極之間的距離為 15cm，電壓為，在玻璃管中引入一個電子，這個電子在兩個電極間的電場中加速，這個自由電子有可能碰撞氬原子，把氬原子中的電子激發(fā)出來，激發(fā)出來的電子就是轟擊源材料的轟擊源；學習情景三常州信息職業(yè)技術學院濺射方式：? 直流濺射 （ 無法濺射絕緣材料，少用 ）? 射頻（ RF）濺射 （ 可濺射絕緣材料 ）? 磁控濺射學習情景三常州信息職業(yè)技術學院濺射優(yōu)勢（與蒸發(fā)相比）216。 適合于淀積合金，而且具有保持復雜合金成分的能力；216。 能獲得良好的臺階覆蓋 （ 蒸發(fā)來自于點源，而濺射來自平面源并且可以從各個角度覆蓋硅片表面，通過旋轉和加熱硅片，臺階覆蓋還可以得到進一步提高 ） ；216。 形成的薄膜與硅片的黏附性比蒸發(fā)工藝好；216。 能夠淀積難容金屬；學習情景三常州信息職業(yè)技術學院銅（ Cu）制備216。 CVD淀積銅216。 電鍍銅（ Cu Ecp）252。 Cu淀積，需要在制備銅互連之前， CVD一層薄 Cu種子層；252。 CVD方式用于淀積 Cu布線種子層；電鍍銅工藝用于同互連線制備；學習情景三常州信息職業(yè)技術學院銅電鍍（ Cu Ecp）216。 ECP是工業(yè)上傳統(tǒng)的鍍膜工藝之一，電鍍工藝存在
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