【總結(jié)】學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)習(xí)情景三:薄膜制備子情景4:物理氣相淀積學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院半導(dǎo)體制造工藝第2版?書名:半導(dǎo)體制造工藝第2版?書號:978-7-111-50757-4?作者:張淵?出版社:機械工業(yè)出版社學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院物理氣相淀積?概念:物
2025-03-01 04:30
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識本征材料:純硅9-10個N型硅:摻入V族元素--磷P、砷As、銻SbP型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)PN結(jié):半導(dǎo)體元件制造過程可分為前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(WaferFabrication;簡稱WaferFab)、晶
2025-06-26 12:08
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴散原理(上)摻雜(doping):將一定數(shù)量和一定種類的雜質(zhì)摻入硅中,并獲得精確的雜質(zhì)分布形狀(dopingprofile)。MOSFET:阱、柵、源/漏、溝道等BJT:基極、發(fā)射極、集電極等摻雜應(yīng)用:BECppn+n-p+p+n+n+B
2025-03-03 14:53
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wa
2025-03-01 04:28
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程N型硅:摻入V族元素--磷P、砷As、銻Sb P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng) PN結(jié): 半導(dǎo)體元件制造過程可分為 前段(FrontEnd)制程 晶圓處理制程(WaferFabrication;簡稱WaferFab)、 晶圓針測制程(WaferProbe); 後段(BackEnd) 構(gòu)裝(Packaging)、 測
2024-08-31 13:36
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝第3章 清洗工藝第3章 清洗工藝 引言 污染物雜質(zhì)的分類 清洗方法概況 常用清洗設(shè)備——超聲波清洗設(shè)備 質(zhì)量控制 引言表3-1 國際半導(dǎo)體技術(shù)指南——清洗技術(shù) 引言表3-1 國際半導(dǎo)體技術(shù)指南——清洗技術(shù) 污染物雜質(zhì)的分類表3-2 各種沾污的來源和相對的影響 污染物雜質(zhì)的分類
2025-03-01 04:29
【總結(jié)】華中科技大學(xué)機械學(xué)院機械電子信息工程系先進制造技術(shù)半導(dǎo)體制造裝備華中科技大學(xué)機械學(xué)院機械電子信息工程系華中科技大學(xué)機械學(xué)院機械電子信息工程系華中科技大學(xué)機械學(xué)院機械電子信息工程系華中科技大學(xué)機械學(xué)院機械電子信息工程系微電子封裝一般可分為4級,如圖所示,即:0級封裝———芯
2025-02-26 08:37
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理兩大關(guān)鍵問題:?選擇性?方向性:各向同性/各向異性21rrS?待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率vertlatrrA??1橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉(zhuǎn)移過程演示圖形轉(zhuǎn)移=光刻+刻蝕
2025-03-04 15:10
【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長1半導(dǎo)體器件與工藝半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長2一、襯底材料的類型1.元素半導(dǎo)體Si、Ge….2.化合物半導(dǎo)體GaAs、SiC、GaN…半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長3二、對襯底材料的要求?導(dǎo)電
2025-02-28 15:09
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝張淵主編張淵主編半導(dǎo)體制造工藝高職高專“十二五”電子信息類專業(yè)規(guī)劃教材第1章 緒 論第1章 緒 論 引言 基本半導(dǎo)體元器件結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體器件工藝的發(fā)展歷史 集成電路制造階段 半導(dǎo)體制造企業(yè) 基本的半導(dǎo)體材料 半導(dǎo)體制造中使用的化學(xué)品 芯片制造的生產(chǎn)環(huán)境 引言圖1-1 集成電路組成的抽象結(jié)構(gòu)圖
2025-03-01 12:19
【總結(jié)】通信與電子工程學(xué)院第三章第三章硅的硅的氧化氧化v緒論vSiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)vSiO2的掩蔽作用v硅的熱氧化生長動力學(xué)v決定氧化速度常數(shù)和影響氧化速率的各種因素v熱氧化過程中的雜質(zhì)再分布v初始氧化階段以及薄氧化層的生長vSi-SiO2界面特性下一頁通信與電子工程學(xué)院二氧化硅是上帝賜給二氧化硅是上帝賜給IC的材料。的材料。通信與電
2025-02-28 12:01
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝第4章 氧 化第4章 氧 化 引言 二氧化硅膜的性質(zhì) 二氧化硅膜的用途 熱氧化原理 氧化設(shè)備 氧化膜的質(zhì)量控制 氧化工藝模擬 引言二氧化硅(SiO2)是一種絕緣介質(zhì)。它在半導(dǎo)體器件中起著十分重要的作用。硅暴露在空氣中,即使在室溫條件下,其表面也能生長一層4nm左右的氧化膜。這一層氧化膜結(jié)構(gòu)致密,能防止硅表面繼續(xù)被氧
【總結(jié)】Chapter?8離子注入1目標?至少列出三種最常使用的摻雜物?辨認出至少三種摻雜區(qū)域?描述離子注入的優(yōu)點?描述離子注入機的主要部分?解釋通道效應(yīng)?離子種類和離子能量的關(guān)系?解釋后注入退火?辨認安全上的危害2離子注入?簡介?安全性?硬件?制程?概要3材料設(shè)計光罩IC生產(chǎn)