半導體制造工藝之光刻原理課件-全文預覽
【正文】 要有意義，不要越軌。 14:53:2023:53:2023:53Wednesday, March 22, 2023 ? 1知人者智，自知者明。 下午 2時 53分 20秒 下午 2時 53分 14:53: ? 楊柳散和風，青山澹吾慮。 2023年 3月 22日星期三 下午 2時 53分 20秒 14:53: ? 1楚塞三湘接，荊門九派通。 14:53:2023:53:2023:533/22/2023 2:53:20 PM ? 1成功就是日復一日那一點點小小努力的積累。 2023年 3月 下午 2時 53分 :53March 22, 2023 ? 1行動出成果，工作出財富。 14:53:2023:53:2023:53Wednesday, March 22, 2023 ? 1乍見翻疑夢，相悲各問年。 38 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) 各種圖形曝光技術的比較如下 光學 248/193nm SCALPEL EUV X射線 離子束 光刻機 光源 激光 電子束 極遠紫外線 同步輻射 離子束 衍射限制 有 沒有 有 有 沒有 曝光法 折射式 折射式 折射式 直接光照 全區(qū)折射式 步進與掃描 是 是 是 是 步進機 200mm硅晶片的產(chǎn)率（片 /h） 40 3035 2030 30 30 掩模版 縮小倍率 4x 4x 4x 1x 4x 光學鄰近修正 需要 不需要 需要 需要 不需要 輻射路徑 穿透 穿透 反射 穿透 印刷式 抗蝕劑 單層或多層 單層 單層 表面成像 單層 單層 化學放大抗蝕劑 是 是 不是 是 不是 39 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) 光刻總結 理論分辨率： NAkR?1?短波長光源 大 NA：透鏡系統(tǒng)、浸潤 小 k1： RET及工藝和光刻膠改進 實際分辨率：光刻膠、曝光系統(tǒng)、光源 PSM OPC OAI 焦深 : 22 )( NAkDOF?? ???40 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) ? 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。 對于 IC的制造，多層掩模版是必需的，然而，所有的掩模版層并不需要都用相同的圖形曝光方法。最主要的應用為修補光學圖形曝光用的掩模版。 可以利用電子束抗蝕劑來作為 X射線抗蝕劑，因為當 X射線被原子吸收，原子會進入激發(fā)態(tài)而射出電子。它提供一個大的聚光通量，且可輕易容納 1020臺光刻機。當電子穿過抗蝕劑與下層的基材時，這些電子將經(jīng)歷碰撞而造成能量損失與路徑的改變。 ?和離子注入類似 31 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) 電子束抗蝕劑 電子束抗蝕劑是一種聚合物，其性質與一般光學用抗蝕劑類似。這對生產(chǎn)掩模版、需求量小的定制電路或驗證性電路是足夠了。)， 電子束 ()， 離子束 ( 197。 5 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) 硅片對準，曝光 每個視場對準 曝光強度 150 mJ/cm2 曝光后烘烤（ PEB）： 10 min， 100 ?C 顯影： 30～ 60 s 浸泡顯影或噴霧顯影 干法顯影 Alignment mark Previous pattern 6 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) 堅膜： 10～ 30 min，100～ 140 ?C 去除殘余溶劑、顯影時膠膜所吸收的顯影液和殘留水分，改善光刻膠
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1