半導體制造工藝之光刻原理課件-文庫吧在線文庫
【正文】 V 90/65…32nm F2 (激光 ) 157 VUV CaF2 lenses 激光激發(fā) Xe等離子體 EUV Reflective mirrors NAkR?1? Using light source with shorter ? 提高分辨率的方法 12 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) 248 nm 157 nm nm 193 nm 13 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) Reducing resolution factor k1 Phase Shift Mask Pattern dependent ? k1 can be reduced by up to 40 % NAkR ?1?Normal Mask *EEI ?? PSM (phase shift mask) 附加材料造成光學 路逕差異，達到反相 14 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) Alternating PSM Attenuated PSM …… 相移技術提高圖形分辨率 選擇性腐蝕石英基板造成光學 路逕差異，達到反相 i ~ e2 )1/( ?? nd ?15 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) (RET) 光學臨近修正 OPC (optical proximity correction) 在光刻版上進行圖形修正，來補償衍射帶來的光刻圖形變形 16 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) OPC實例 17 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) 離軸照明技術 OAI (offaxis illumination) 可以減小對分辨率的限制、增加成像的焦深且提高了 MTF 18 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) Mask design and resist process ? [nm] k1 436 365 248 193 NAkR ?1?Resist chemistry 436,365 nm: PhotoActiveComponent (PAC) 248,193 nm: PhotoAcidGenerator (PAG) Contrast 436,365 nm: ?=23, (Qf/Q0?) 248,193 nm: ?=510 (Qf/Q0?) 光刻膠對比度改進 19 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) Lens fabrication ? [nm] NA 436 365 248 193 NAkR ?1?State of the Art: ?=193 nm, k1=, NA= ? R?60 nm = ? R?40 nm Numerical Aperture: NA=nsina Immersion Lithography 2 ??? NAn OHa n H2O 增加數(shù)值孔徑 20 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) 21 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) 22 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) EUV 超紫外光曝光
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