【正文】 IC 雙極 IC SSI 102 100 30 MSI 102~103 100~500 30~100 LSI 103~105 500~2021 100~300 VLSI超 105~107 2021 300 ULSI特 107~109 GSI巨大規(guī)模 109 集成電路相關知識 3 ? 摩爾定律 集成電路的集成度 每三年 提高 四倍 ,加工的特征尺寸 縮小 為 1/SQRT2. 1965年以來證明了其的存在。 集成電路相關知識 1 ? 晶體管發(fā)明人： 1947/12 美國貝爾試驗室 John Bardean和 Walter Brattain 發(fā)明第一個點接觸的晶體管 1948/1 William Shockley 提出結型晶體管理論。然后將扳手壓回原處，利用插座本身的特殊結構生成的擠壓力，將CPU的引腳與插座牢牢地接觸，絕對不存在接觸不良的問題。唯一的區(qū)別是 QFP一般為正方形，而 PFP既可以是正方形，也可以是長方形。 ThroughHole Axial amp。 離心測試（ constant acceleration） ? 9。 硅器件失效機理 ? 1 氧化層失效：針孔、熱電子效應 ? 2 層間分離： ALSi、 CuSi合金與襯底熱膨脹系數(shù)不匹配。 5剪切 /成形（ Trim /Form） ? 剪切之目的為將導線架上構裝完成之晶粒獨立分開，並 把不需要的連接用材料及部份凸出之樹脂切除（ dejunk）。 欲進行晶片切割，首先必須進行 晶圓黏片，而後再送至晶片切割機上進行切割。再由一或多組偵測器接收自晶圓表面繞射出來的光線，并將該影像交由高功能軟件進行底層圖案消除，以辨識并發(fā)現(xiàn)瑕疵。 制 程 監(jiān) 控 量測芯片內次微米電路之微距，以確保制程之正確性。 離子植入（ Ion Implant） ? 離子植入技術可將摻質以離子型態(tài)植入半導體組件的特定區(qū)域上，以獲得精確的電子特性。電漿蝕刻中蝕刻的作用，可能是電漿中離子撞擊晶片表面所產生的物理作用，或者是電漿中活性自由基（ Radical）與晶片表面原子間的化學反應，甚至也可能是以上兩者的復合作用。 PSG NSi P+ P P+ N+ N+ VDD IN OUT P N S D D S 集成電路中電阻 1 AL SiO2 R+ P P+ PSUB N+ R VCC N+BL Nepi P+ 基區(qū)擴散電阻 集成電路中電阻 2 SiO2 R N+ P+ PSUB R N+BL Nepi P+ 發(fā)射區(qū)擴散電阻 集成電路中電阻 3 基區(qū)溝道電阻 SiO2 R N+ P+ PSUB R N+BL Nepi P+ P 集成電路中電阻 4 外延層電阻 SiO2 R P+ PSUB R Nepi P+ P N+ 集成電路中電阻 5 MOS中多晶硅電阻 SiO2 Si 多晶硅 氧化層 其它： MOS管電阻 集成電路中電容 1 SiO2 A P+ PSUB B+ N+BL N+E P+ N P+I A B+ Cjs 發(fā)射區(qū)擴散層 —隔離層 —隱埋層擴散層 PN電容 集成電路中電容 2 MOS電容 Al SiO2 AL P+ PSUB Nepi P+ N+ N+ 主要制程介紹 矽晶圓材料（ Wafer） 圓晶是制作矽半導體 IC所用之矽晶片，狀似圓形，故稱晶圓。 NSi P B+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 10。 光刻膠 NSi P B+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 6。 VPE（ Vaporous phase epitaxy) 氣相外延生長硅 SiCl4+H2→Si+HCl 2。一般晶圓制造廠，將多晶硅融解 后，再利用硅晶種慢慢拉出單晶硅晶棒。 二、晶圓針測制程 ? 經過 Wafer Fab之制程後，晶圓上即形成一格格的小格 ，我們稱之為晶方或是晶粒（ Die），在一般情形下，同一片晶圓上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圓 上制作不同規(guī)格的產品；這些晶圓必須通過晶片允收測試，晶粒將會一一經過針測（ Probe）儀器以測試其電氣特性， 而不合格的的晶粒將會被標上記號（ Ink Dot），此程序即 稱之為晶圓針測制程（ Wafer Probe）。減小集電極串聯(lián)電阻 ? 2。光刻 I阱區(qū)光刻，刻出阱區(qū)注入孔 NSi NSi SiO2 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 2。光 Ⅳ p管場區(qū)光刻， p管場區(qū)注入， 調節(jié) PMOS管的開啟電壓，生長多晶硅。長 PSG（磷硅玻璃）。生成單晶體或多晶體與晶體生長時的溫度，速率與雜質都有關系。 化學氣相沉積 CVD 氣體 氣體 化 學 氣 相 沉 積 技 術 常用的 CVD技術有： (1)「常壓化學氣相沈積（ APCVD）」； (2)「低壓化學氣相沈積（ LPCVD）」； (3)「電漿輔助化學氣相沈積（ PECVD）」 較為常見的 CVD薄膜包括有： ■ 二氣化硅（通常直接稱為氧化層） ■ 氮化硅 ■ 多晶硅 ■ 耐火金屬與這類金屬之其硅化物 物理氣相沈積（ PVD） 主要是一種物理制程而非化學制程?；旧希藫劫|濃度（劑量）系由離子束電流（離子束內之總離子數(shù)）與掃瞄率（晶圓通過離子束之次數(shù)）來控制，而離子植入之深度則由離子束能量之大小來決定。光罩必須是完美無缺，才能呈現(xiàn)完整的電路圖像，否則不完整的圖像會被復制到晶圓上。在半導體制程設備供貨商中，只有應用材料公司能提供完整的銅制程全方位解決方案與技術，包括薄膜沉積、蝕刻、電化學電鍍及化學機械研磨等。黏晶完成後之導線架則經由傳輸設 備送至彈匣（ magazine）內，以送至下一製程進行銲線。 6印字（ Mark） ? 印字乃將字體印於構裝完的膠體之上，其目的在於註明 商品之規(guī)格及製造者等資訊。芯片目檢（ die visual） ? 3。高溫老化（ burnin） ? 12。用這種形式封裝的芯片必須采用 SMD（表面安裝設備技術）將芯片與主板焊接起來。根據(jù)引腳數(shù)目的多少，可以圍成 25圈。 。 微處理器發(fā)展年表 發(fā)布年代 型號 晶體管數(shù) /個 特征尺寸 um 1971 4004 2 250 1972 8008 3 000 1974 8080 4 500 1976 8085 7 000 1978 8086 29 000 1982 80286 134 000 1985 80386 275 000 1989 80486 1 200 000 1993 Pentium 3 100 000 1995 Pentium Pro 5 500 000 1997 Pentium II 7 500 000 1999 Pentium III 24 000 000 2021 Pentium IV 42 000 000 2021 Pentium IV 55 000 000 90納米對半導體廠商來說，是更加尖端的技術領域，過去工藝都以 “