【正文】 :53:2023:53Mar2322Mar23 ? 1越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯兒。 。 34 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 35 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) X射線圖形曝光的幾何效應(yīng) 36 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 離子束圖形曝光 離子束圖形曝光比光學(xué)、 X射線與電子束圖形曝光技術(shù)有更高的分辨率，因為離子有較高的質(zhì)量而且比電子有較小的散射。 27 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 光柵掃描（左）和矢量掃描 28 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 電子束光刻問題： 1）速度慢！ 29 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 電子束光刻問題： 2）電子散射及二次電子：線條寬 束斑 ?真空下工作 ?焦深大 ?直寫，無掩膜版 30 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 電子束源： 熱電子發(fā)射 場發(fā)射 光發(fā)射 ?電子束發(fā)射后 , 被準(zhǔn)直或聚焦，然后加速到 20 kV ?束斑直徑 ≈100 197。半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 光刻膠的一些問題 由于硅片表面高低起伏，可能造成曝光不足或過曝光。 ?和離子注入類似 31 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 電子束抗蝕劑 電子束抗蝕劑是一種聚合物，其性質(zhì)與一般光學(xué)用抗蝕劑類似。最主要的應(yīng)用為修補光學(xué)圖形曝光用的掩模版。 2023年 3月 下午 2時 53分 :53March 22, 2023 ? 1行動出成果，工作出財富。 14:53:2023:53:2023:53Wednesday, March 22, 2023 ? 1知人者智，自知者明。 14:53:2023:53:2023:533/22/2023 2:53:20 PM ? 1越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 2023年 3月 22日星期三 下午 2時 53分 20秒 14:53: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。所有這些過程都會造成電子射出，所以抗蝕劑在 X射線照射下，就相當(dāng)于被大量的二次電子照射。 聚焦電子束掃描主要分成兩種形式：光柵掃描、向量掃描。 線條寬度改變！ 1 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 下層反射造成駐波，下層散射降低圖像分辨率。換言之，通過光照造成抗蝕劑產(chǎn)生化學(xué)或物理變化，這種變化可使抗蝕劑產(chǎn)生圖案。下圖為 60keV的 50個氫離子注入 PMMA及不同襯底中的電腦模擬軌跡。 2023年 3月 22日星期三 2時 53分 20秒 14:53:2023 March 2023 ? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時，你只能或者最好沿著以腳為起點的射線向前。勝人者有力，自勝者強。 , March 22, 2023 ? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 :53:2023:53:20March 22, 2023 ? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。激發(fā)態(tài)原子回到基態(tài)時，會釋放出 X射線，此 X射線被原子吸收，故此過程一直持續(xù)進(jìn)行。而對不用掩模版的直寫形成圖案方式，設(shè)備必須盡可能提供產(chǎn)率，故要采用與器件最小尺寸相容的最大束徑。 DUV膠 — ARC g線和 i線膠 — 使用添加劑，吸光并降低反射，曝光后顯影前的烘烤也有利于緩解其駐波現(xiàn)象。 PMMA和 PBS 分辨率可達(dá) 微米或更好 COP 分辨率可達(dá) 1 微米左右