【正文】 NO2是硅的有效氧化劑半導(dǎo)體器件原理與工藝 硅的 HNA腐蝕 4167。 總體反應(yīng)：216。H3PO4 + CH3COOH + HNO3 + H2O216。 S 受化學(xué)溶液 , 濃度和溫度控制167。 工藝集成167。 Operation216。 產(chǎn)量低 , 10wafers/hr.半導(dǎo)體器件原理與工藝 XRay Lithography167。 重氮醌類化合物經(jīng)紫外光照射后，分解釋放出氮?dú)?，同時(shí)分子結(jié)構(gòu)進(jìn)行重排，產(chǎn)生環(huán)的收縮作用，再經(jīng)水解生成茚羧酸衍生物，成為能溶于堿性溶液的物質(zhì)，從而顯示圖形半導(dǎo)體器件原理與工藝 光刻膠的對(duì)比度半導(dǎo)體器件原理與工藝 光刻膠的對(duì)比度167。 粘附性：描述了光刻膠粘著于襯度的強(qiáng)度167。 增加數(shù)值孔徑 NA，最小特征尺寸減小，但聚焦深度也減小，必須折中考慮。 光刻系統(tǒng)的設(shè)備需要216。 CMOS半導(dǎo)體器件原理與工藝 光刻167。 光刻167。 溫度216。 Resolution R 167。 敏感度：硅片表面光刻膠中產(chǎn)生一個(gè)良好圖形所需要的一定波長光的最小能量值167。 初始材料不溶于基本溶液167。 例 : 30keV, ?=167。ssMA150 production mode system216。 化學(xué)氣相淀積167。 Etch rate anisotropyRL : lateral etch rateRV: vertical etch rateA=0, isotropic etchingA=1, anisotropic etching半導(dǎo)體器件原理與工藝 腐蝕選擇性167。 H3PO4 , 140~200 ℃ ~100A/min216。 氧化還原反應(yīng)：兩種反應(yīng)的競爭半導(dǎo)體器件原理與工藝 硅的 HNA腐蝕 1167。 自催化以形成亞硝酸和空穴 HNO2+HNO3?N2O4+H2O N2O4+HNO2??2NO2+2h+ 2NO2+2h+??2HNO2216。醋酸的電絕緣常數(shù)比水低 ? CH3COOH H2O 81 ? 減少了硝酸的溶解，提高了氧化能力半導(dǎo)體器件原理與工藝 硅的 HNA腐蝕 5半導(dǎo)體器件原理與工藝 硅的 HNA腐蝕 6半導(dǎo)體器件原理與工藝 硅的 HNA腐蝕 7167。硅表面點(diǎn)隨即變成氧化或還原點(diǎn)；類似于電化學(xué)電池半導(dǎo)體器件原理與工藝 硅的 HNA腐蝕 2167。硝酸 HNO3— 改善臺(tái)階性能216。 Physical etching167。 BiCMOS167。 Wafer is then loaded with backside alignment marks facing the microscope objectives216。 Liftoff is a additive process for metal film patterning:216。 電子束光刻 Electron beam Lithography167。167。 正膠 Positive Resist曝光區(qū)域去除167。 對(duì)準(zhǔn)與曝光機(jī)對(duì)準(zhǔn)機(jī) Aligner3個(gè)性能標(biāo)準(zhǔn)167。對(duì)準(zhǔn)和曝光的目的216。 熱氧化167。正膠：四甲基氫氧化銨（ TMAH) 水性顯影液不會(huì)使光刻膠產(chǎn)生不漲現(xiàn)象，僅需去離子水沖洗半導(dǎo)體器件原理與工藝