半導(dǎo)體制造工藝之光刻原理課件(完整版)
【正文】 23 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) Minimum feature size Production 2023 2023 2023 2023 2023 Technology Node 90 nm 65 nm 45 nm 32 nm 22 nm Half pitch [nm] 110 105 ~80 ~ 55 ~39 LG [nm] 60 42 ~30 ~21 ~16 ??193 nm ??193 nm immersion ?193 nm immersion with higher n? pitch LG P. Bai, et. al., IEDM2023 24 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) EUV（ Extreme ultra violet) 25 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 反射式掩模版 26 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 電子束圖形曝光 電子束圖形曝光主要版。 線條寬度改變！ 1 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 下層反射造成駐波，下層散射降低圖像分辨率。 正膠：丙酮 氧化去膠 450 ?C O2+膠 ?CO2?+H2O? 等離子去膠（ Oxygen plasma ashing） 高頻電場 O2?電離 O－ ＋ O＋ O＋ 活性基與膠反應(yīng) CO2?， CO ?， H2O?。 聚焦電子束掃描主要分成兩種形式：光柵掃描、向量掃描。 100個能量為 20keV的電子 在 PMMA中的運(yùn)動軌跡模擬 在抗蝕劑與襯底界面間，正向散射 與背散射的劑量分布 33 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) X射線圖形曝光（ XRL） XRL圖形曝光極有潛力繼承光學(xué)圖形曝光來制作 100nm的集成電路。所有這些過程都會造成電子射出，所以抗蝕劑在 X射線照射下，就相當(dāng)于被大量的二次電子照射。 根據(jù)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會的設(shè)想， IC制作技術(shù)將在 2023年時(shí)會達(dá)到 50nm。 2023年 3月 22日星期三 下午 2時(shí) 53分 20秒 14:53: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 14:53:2023:53:2023:53Wednesday, March 22, 2023 ? 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 14:53:2023:53:2023:533/22/2023 2:53:20 PM ? 1越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 下午 2時(shí) 53分 20秒 下午 2時(shí) 53分 14:53: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感 謝 您 的 下 載 觀 看 專家告訴 。 14:53:2023:53:2023:53Wednesday, March 22, 2023 ? 1知人者智，自知者明。 2023年 3月 22日星期三 下午 2時(shí) 53分 20秒 14:53: ? 1楚塞三湘接，荊門九派通。 2023年 3月 下午 2時(shí) 53分 :53March 22, 2023 ? 1行動出成果，工作出財(cái)富。 38 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 )
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