半導(dǎo)體制造工藝_08擴(kuò)散(下)(完整版)
【正文】 ial conditions Simplification ! 7 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) 電場效應(yīng)（ Field effect） —— 非本征擴(kuò)散 ?電場的產(chǎn)生：由于載流子的遷移率高于雜質(zhì)離子，二者之間形成內(nèi)建電場。氧化時由于體積膨脹，造成大量 Si間隙原子注入，增加了 B和 P的擴(kuò)散系數(shù) （ 1＋ 2?） Si＋ 2OI＋ 2?V?SiO 2＋ 2?I＋ stress A+I AI 16 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) 2） ORD： 對于 Sb來說，其在硅中的擴(kuò)散主要是通過空位進(jìn)行。因此磷常作為深結(jié)擴(kuò)散的雜質(zhì) s/ 2?????? ?? kTD i ??????????????????????????? ??20iiiiie nnDnnDDhD20 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) 3）砷 ?Ⅴ 族元素，施主雜質(zhì)，半徑與硅相同， ?擴(kuò)散系數(shù)小，僅磷、硼的十分之一。 28 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) 旋涂摻雜法（ spinonglass） 用旋涂法在 Si表面形成摻雜氧化層，然后在高溫下雜質(zhì)向硅中擴(kuò)散。 Mass Sp ec DetectorSputter Gun34 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) 35 非本征擴(kuò)散 前面討論對于恒定擴(kuò)散系數(shù)而言，只發(fā)生在摻雜濃度低于擴(kuò)散溫度下的本征載流子濃度 ni時。高摻雜濃度時， EF向?qū)У滓苿?，指?shù)項(xiàng)大于 1，這是 CV增大，進(jìn)而是 D變大。 40 磷在不同表面濃度下，在1000℃ 下擴(kuò)散 1h后的分布 41 在砷化鎵中的鋅擴(kuò)散 在砷化鎵中的擴(kuò)散會比在硅中要來得復(fù)雜，因?yàn)殡s質(zhì)的擴(kuò)散包含砷和鎵兩種晶格原子移動。此外，如果掩蔽層有尖銳的角，在這個角處的結(jié)將因橫向擴(kuò)散而近似與圓球狀。 2023年 3月 22日星期三 下午 2時 53分 6秒 14:53: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 14:53:0614:53:0614:53Wednesday, March 22, 2023 ? 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 14:53:0614:53:0614:533/22/2023 2:53:06 PM ? 1越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 下午 2時 53分 6秒 下午 2時 53分 14:53: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感謝您的下載觀看 專家告訴 。 14:53:0614:53:0614:53Wednesday, March 22, 2023 ? 1知人者智，自知者明。 2023年 3月 22日星期三 下午 2時 53分 6秒 14:53: ? 1楚塞三湘接，荊門九派通。 2023年 3月 下午 2時 53分 :53March 22, 2023 ? 1行動出成果，工作出財富。 45 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) 本節(jié)課主要內(nèi)容 常用雜質(zhì)的擴(kuò)散特性？ B, P, As 常用擴(kuò)散摻雜方法？ 常用擴(kuò)散摻雜層的質(zhì)量測量？ B： p型雜質(zhì)， OED； P： n型雜質(zhì)，深結(jié)， OED； As： n型雜質(zhì)，離子注入精確控制實(shí)現(xiàn)淺結(jié) 氣態(tài)源、液態(tài)源、固態(tài)源、旋涂法 薄層電阻：四探針法；結(jié)深：染色法；摻雜分布：CV法， SIMS 非本征擴(kuò)散 22 41inCCh??? ?????????????xCDxtC effA220 ????????????????????????????????????? ?????iiiie nnDnnDnpDnpDDD46 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) ? 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。 鋅是砷化鎵中最廣為使用的擴(kuò)散劑，它的 D會隨 C2而變化，所以擴(kuò)散分布如下圖所示，是陡峭的。 37 ()ssCDDC??考慮擴(kuò)散系數(shù)時， D可以寫成： Cs為表面濃度， Ds為表面擴(kuò)散系數(shù)， γ是用來描述與濃度有關(guān)的參數(shù)。非本征擴(kuò)散區(qū)內(nèi)，同時擴(kuò)散或相繼擴(kuò)散的雜質(zhì)之間存在著相互作用和協(xié)同效應(yīng)，使擴(kuò)散更為復(fù)雜。 1和 4稱為電流探針，由穩(wěn)壓電源恒電流供電； 3和 4稱為電位探針，測量這兩個探針之間的電位差 IVIVxRxIVjsj2ln2ln????????V I t S S S S t時成
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