【摘要】第二章半導體材料特性1提綱2原子結構化學鍵材料分類硅可選擇的半導體材料新型半導體電子與光電材料原子結構原子由三種不同的粒子構成:中性中子和帶正電的質子組成原子核,以及圍繞原子核旋轉的帶負電核的電子,質子數與電子數相等呈現中性。圖碳原子的基本模型
2025-03-10 23:56
【摘要】半導體制造工藝基礎第六章擴散原理(下)上節(jié)課主要內容1、摻雜工藝一般分為哪兩步?結深?薄層電阻?固溶度?2、兩種特殊條件下的費克第二定律的解及其特點?特征擴散長度?預淀積+退火。預淀積:氣固相預淀積擴散或離子注入。Rs:表面為正方形的半導體薄層(結深),在平行電流方向所呈現的電阻,單位為?/?,反映擴散入硅
2025-03-03 14:53
【摘要】學習情景三常州信息職業(yè)技術學院學習情景三:薄膜制備子情景4:物理氣相淀積學習情景三常州信息職業(yè)技術學院半導體制造工藝第2版?書名:半導體制造工藝第2版?書號:978-7-111-50757-4?作者:張淵?出版社:機械工業(yè)出版社學習情景三常州信息職業(yè)技術學院物理氣相淀積?概念:物
2025-03-01 04:30
【摘要】半導體制備工藝基礎第四章光刻原理(下)光刻膠的一些問題1、由于硅片表面高低起伏,可能造成曝光不足或過曝光。線條寬度改變!1半導體制備工藝基礎第四章光刻原理(下)2、下層反射造成駐波,下層散射降低圖像分辨率。DUV膠—ARCg線和i線膠—使用添加劑,吸光并
2025-02-28 12:03
【摘要】半導體制造工藝基礎第六章擴散原理(上)摻雜(doping):將一定數量和一定種類的雜質摻入硅中,并獲得精確的雜質分布形狀(dopingprofile)。MOSFET:阱、柵、源/漏、溝道等BJT:基極、發(fā)射極、集電極等摻雜應用:BECppn+n-p+p+n+n+B
【摘要】半導體制冷片工作原理致冷器件是由半導體所組成的一種冷卻裝置,隨著近代的半導體發(fā)展才有實際的應用,也就是致冷器的發(fā)明。其工作原理是由直流電源提供電子流所需的能量,通上電源后,電子負極(-出發(fā),首先經過P型半導體,于此吸熱量,到了N型半導體,又將熱量放出,每經過一個NP模塊,就有熱量由一邊被送到令外一邊造成溫差而形成冷熱端。冷熱端分別由兩片陶瓷片所構成,冷端要接熱源,
2025-08-03 06:03
【摘要】半導體照明技術方志烈教授復旦大學SemiconductorLightingTechnology???(1)發(fā)光效率和顯色性的折中?(2)二基色體系?(3)多基色體系?LED?(1)二基色熒光粉轉換白光LED?(2)多基色熒光粉轉換白光LED?(3)
2025-08-01 16:32
【摘要】第一章半導體中的電子狀態(tài)?半導體的晶格結構和結合性質?半導體中的電子狀態(tài)和能帶?半導體中電子的運動有效質量?本征半導體的導電機構空穴?常見半導體的能帶結構重點:有效質量、空穴概念的理解研究方法?單電子近似:假設每個電子是在周期性排列且固定不動的原子核勢場及其他電子的平均勢場中運動。該勢
2025-03-22 06:44
【摘要】半導體產業(yè)分析組員:93114114林怡欣93114124蔡松展93114251謝瑋璘93114169蔡文杰目錄III半導體產業(yè)結V.邏輯ICVI.記憶體VII.臺灣半導體產業(yè)概況半導體的定義所謂的半導體,是指在某些情況下,
2024-10-11 21:13
【摘要】三、pn結在前面幾結中我們了解了本征半導體和雜質半導體,根據對導電性的影響,雜質半導體又分為n型半導體和p型半導體。如果把一塊n型半導體和p型半導體結合在一起,在兩者的交界面就形成了所謂的pn結,在這一結我們就是要了解pn結的一些性質。1、pn結的形成和雜質分布在一塊n型(或p型)半導體單晶上,
2025-07-25 02:12
【摘要】考試時間:18周周五上午10:00(1月4日第二大節(jié))考試地點:望江基C2022022級半導體物理總結第l章半導體(晶體)中的電子狀態(tài)問題的提出:半導體獨特的物理性質半導體中電子的狀態(tài)及其運動特點二者之間關系與結構的關系本章介紹重點半導體單晶材料中的電子狀態(tài)及其運動規(guī)律
2025-01-14 10:18
【摘要】半導體制造工藝基礎第五章刻蝕原理兩大關鍵問題:?選擇性?方向性:各向同性/各向異性21rrS?待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率vertlatrrA??1橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉移過程演示圖形轉移=光刻+刻蝕
2025-03-04 15:10