【正文】 KECW 2,后工程程序 形成工程 L/F 載入 模子一鋼模 L/ F 載入 接近地死 轉(zhuǎn)移下 模子治療 一鋼模打開(kāi) EMC 預(yù)熱 L/F 載入 項(xiàng)目 目的 形成 M/C 金型閉合 使 EMC 溫度上升 促使 EMC 流動(dòng)，減少 PKG 空虛發(fā)生等 促使 EMC 沖進(jìn) （移動(dòng)下降變速點(diǎn)～治療開(kāi)始） 形成治療 使 EMC 充分硬化（ 120 年代） L/F 預(yù)熱充分膨脹 EMC 軟化 （ 80 ℃ 、 60 秒以內(nèi)使用） 形成注意事項(xiàng) : 1,模子臨時(shí)雇員 2,螺絲鉗力量 3,移動(dòng)力量 4,移動(dòng)時(shí)間 5,預(yù)先加熱臨時(shí)雇員 6,治療時(shí)間 ４ 下載 BIS 工程 緩沖 測(cè)試 整理 /形式 排列 排列 分類(lèi) 作標(biāo)記于 刷 視覺(jué) 輕打 L/ F 堆疊和負(fù)荷 L/ F 和 PKG 分離，對(duì) PKG 領(lǐng)引形成 PKG 位置整列 裝置測(cè)試 不良品分類(lèi) PKG 表面上打上字符 除去印記 PKG 表面的雜質(zhì) 檢測(cè)馬克的好壞 PKG 位置整列 把裝置放入運(yùn)送者音帶內(nèi) ,貼上掩護(hù)音帶 BIS 工程注意事項(xiàng) : 1,L/ F 負(fù)荷速度 2,測(cè)試時(shí)間 3,馬克時(shí)間 4,空氣雜志報(bào)紙 5,輕打臨時(shí)雇員 6,輕打時(shí)間 最好的 和 Camp。 C 的我 amp。 2. 作標(biāo)記于 。 裁剪者 /運(yùn)送機(jī)： L/ F 切并送到小片盒子中 *采用凸輪 amp。 真空裝 上面的部份替換 , 較低的部份沒(méi)有移動(dòng) 距離 amp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 印記程序 功能 :在 PKG 表面印刷所需的數(shù)據(jù)，如：運(yùn)氣號(hào)碼等 印記方法：激光印記 。 C 的我 amp。 我 KECW ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 20 下載 最好的 KECW 和 Camp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 檢測(cè) Ｋ ey 董事會(huì) COM1 區(qū)域網(wǎng)絡(luò) 印刷 PS2 老鼠 COM2 PC 后援 搭乘 接口 邏輯 amp。 15 V 系統(tǒng)內(nèi)直流來(lái)源補(bǔ)給 直流以電力驅(qū)動(dòng)的： 177。 C 的我 amp。 測(cè)試時(shí)間 R/ D 時(shí)間 繼電器推進(jìn)力時(shí)間 F/T1,F/T2 力量時(shí)間 R/D F/T1 固定 3 MS 測(cè)試 說(shuō)明： F/ T2 只在 FET 測(cè)試中使用 26 下載 最好的 KECW 和 Camp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 6)FET F/ T 調(diào)整 用 IDON 新建 *.mtm 文件 FT1 FT2 100 我們 (VR3) 100 我們 (VR4) 4)INT 時(shí)間調(diào)整 選項(xiàng) INT 100 nA, 韓國(guó) 60 HZ JP2 短 VR2 調(diào)整 ms。 GENERATOR BALANCE調(diào)節(jié) 董事會(huì) 1. VCESAT(集成電路 ): 平衡調(diào)節(jié) ,得到調(diào)節(jié) 。 H/ B 電纜與頭盒子接好后，不要經(jīng)常更換（保證連絡(luò)好），裝置變更，通過(guò)測(cè)試計(jì)畫(huà)重新設(shè)定極性。 考試人連絡(luò) ) ( 裝置 NANEamp。 C 的我 amp。 SEMICODUCTOR 基礎(chǔ)教育情況介紹： ?4 36 下載 最好的 和 Camp。 memory:Memory semiconductor 儲(chǔ)存 amp。氧化 開(kāi)著的 diff:P 類(lèi)型或 N類(lèi)型 e。 C 的我 amp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 KECW b)電晶體的制造 1. wafer 生的肉晶圓 (N類(lèi)型 ,P類(lèi)型 ) thickness=630um Epi 點(diǎn)燃船搬運(yùn) doped 層 Thickness=12um 3. 起始氧化物 SiO2 ＝ 10000 197。 C 的我 amp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 KECW 12. Metallization 開(kāi)著的射極窗戶 Em 來(lái)源 DepoPOCL3 Em 來(lái)源 930 ℃ 的推進(jìn)力 ,時(shí)間 =100 min 連絡(luò)窗戶打開(kāi) Al 蒸發(fā) ,thickness= 力 15. pad 活力 填補(bǔ)打開(kāi) 9. Em Depo Diff 43 下載 最好的 和 Camp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 KECW DIFF:來(lái)源散布 沈淀 + 推進(jìn)力在 N類(lèi)型 ,先將Ｂ元素注入－生成Ｐ極； Ｐ 類(lèi)型 ,先將 P 元素注入－生成 N 極 。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 KECW FABRICATON 的程序 氧化 : 弄干氧化 O2+ Si SiO2 變濕氧化 H2 O+ Si SiO2+2 H2 B。calculation:Logic semiconductor $ d。小的信號(hào)大的信號(hào)擴(kuò)大的電晶體 c。 C 的我 amp。 C 的我 amp。 C 的我 amp。 C 的我 amp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 KECW 2. a/ D 董事會(huì) : OSC 水平檢查 A/ D 信號(hào) TP1 ， TP2 波形與 TP1 反向，走開(kāi)向在，信號(hào)小于 V ， Q1 上的 Q1 ，信號(hào)大于 V ， Q1 作信號(hào)。測(cè)試?yán)^電器時(shí)間 R/D 時(shí)間 =3 ms+ 力量時(shí)間 是由于Ｒ elay 的響應(yīng)速度有延遲 測(cè)試 M/ C 繼電器延遲時(shí)間 Ass39。 700 V 產(chǎn)生器 HV 產(chǎn)生器 1. LV1 產(chǎn)生器 2. 我發(fā)現(xiàn)者 (2 mA20 mA) 1. 我發(fā)現(xiàn)者 (IBamp。U5 的相關(guān)電路 數(shù)字電路的 5 個(gè)熔斷絲檢測(cè) : HV ， 177。 C 的我 amp。 現(xiàn)在的衡量能力 :LV1 30 V/ A :LV2 25 V/1 A : 如果 25 V/ A :HV 600 V/20 mA 測(cè)試時(shí)間 汽車(chē) :500 我們 年代 (仰賴涌流 amp。緩沖變化 ,輕打停止動(dòng)作， T2 種類(lèi)區(qū)分者動(dòng)作 1 2 ７６－１００ 輕打插入物 輕打飼養(yǎng)者 1 動(dòng)作 , T3 視覺(jué)動(dòng)作 3 ９０－１２０ 測(cè)試，馬克， SORT1,SORT2 動(dòng)作 。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 KECW 17 視覺(jué)設(shè)定 下載 最好的 KECW 和 Camp。更下 ) 替換口袋單位 操作的 SMD PKG 對(duì)噴嘴的補(bǔ)給空氣 amp。 C 的我 amp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 BIS 系統(tǒng)桌子概況圖 載入程序 緩沖 飼養(yǎng)者 雜志報(bào)紙 /整齊 裁剪者 T1 T2 排列 測(cè)試 分類(lèi) 排列 作標(biāo)記于 刷 VISION2 分類(lèi) T3 T4 排列 排列 TAPING1 TAPING2 TAPING3 排列 拒絕 10 VISION1 下載 最好的 KECW 和 Camp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國(guó)研究總數(shù)報(bào)告 KECW