半導(dǎo)體制造工藝_05光刻(下)-文庫(kù)吧在線(xiàn)文庫(kù)
【正文】 193DUV 90/65…32nm F2 (激光 ) 157 VUV CaF2 lenses 激光激發(fā) Xe等離子體 EUV Reflective mirrors NAkR?1? Using light source with shorter ? 提高分辨率的方法 12 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 248 nm 157 nm nm 193 nm 13 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) Reducing resolution factor k1 Phase Shift Mask Pattern dependent ? k1 can be reduced by up to 40 % NAkR ?1?Normal Mask *EEI ?? PSM (phase shift mask) 附加材料造成光學(xué) 路逕差異，達(dá)到反相 14 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) Alternating PSM Attenuated PSM …… 相移技術(shù)提高圖形分辨率 選擇性腐蝕石英基板造成光學(xué) 路逕差異，達(dá)到反相 i ~ e2 )1/( ?? nd ?15 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) (RET) 光學(xué)臨近修正 OPC (optical proximity correction) 在光刻版上進(jìn)行圖形修正，來(lái)補(bǔ)償衍射帶來(lái)的光刻圖形變形 16 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) OPC實(shí)例 17 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 離軸照明技術(shù) OAI (offaxis illumination) 可以減小對(duì)分辨率的限制、增加成像的焦深且提高了 MTF 18 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) Mask design and resist process ? [nm] k1 436 365 248 193 NAkR ?1?Resist chemistry 436,365 nm: PhotoActiveComponent (PAC) 248,193 nm: PhotoAcidGenerator (PAG) Contrast 436,365 nm: ?=23, (Qf/Q0?) 248,193 nm: ?=510 (Qf/Q0?) 光刻膠對(duì)比度改進(jìn) 19 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) Lens fabrication ? [nm] NA 436 365 248 193 NAkR ?1?State of the Art: ?=193 nm, k1=, NA= ? R?60 nm = ? R?40 nm Numerical Aperture: NA=nsina Immersion Lithography 2 ??? NAOHa n H2O 增加數(shù)值孔徑 20 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 21 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 22 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) EUV 超紫外光曝光
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