半導(dǎo)體制造工藝_05光刻(下)(存儲版)
【正文】 停止成功！。 11:55:4111:55:4111:553/19/2023 11:55:41 AM ? 1以我獨沈久，愧君相見頻。 37 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 不同圖形曝光方法的比較 先前討論的圖形曝光方法，都有 100nm的或更好分辨率。 掩模版為 XRL系統(tǒng)中最困難且關(guān)鍵的部分，而且 X射線掩模版的制作比光學(xué)掩模版來得復(fù)雜。 PMMA和 PBS 分辨率可達 微米或更好 COP 分辨率可達 1 微米左右 32 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 鄰近效應(yīng) 在光學(xué)圖形曝光中，分辨率的好壞是由衍射來決定的。 用于掩模版的制作，只有相當(dāng)少數(shù)裝置用于將電子束直接對抗蝕劑曝光而不需掩模 優(yōu)點：可以參數(shù)亞微米的幾何抗蝕劑圖案、高自動化及高精度控制的操作、比光學(xué)圖形曝光有較大的聚焦深度與不同掩模版可直接在半導(dǎo)體晶片上描繪圖案。 DUV膠 — ARC g線和 i線膠 — 使用添加劑，吸光并降低反射，曝光后顯影前的烘烤也有利于緩解其駐波現(xiàn)象。 7 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) Stepper Scan System Canon FPA4000ES1: 248 nm, 8” wafer 80/hr, field view: 25 mm 33 mm, alignment: ?70 nm, NA: , OAI 透鏡成本下降、性能提升 視場大 尺寸控制更好 變形小 8 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 圖形轉(zhuǎn)移 —— 刻蝕 9 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 圖形轉(zhuǎn)移 —— 剝離（ liftoff） 10 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 去膠 溶劑去膠 （ strip） ： Piranha (H2SO4:H2O2)。而對不用掩模版的直寫形成圖案方式，設(shè)備必須盡可能提供產(chǎn)率，故要采用與器件最小尺寸相容的最大束徑。因此入射電子在行進中會散開，直到能量完全損失或是因背散射而離開為止。激發(fā)態(tài)原子回到基態(tài)時，會釋放出 X射線，此 X射線被原子吸收，故此過程一直持續(xù)進行。采用混合與配合的方法，可利用每一種圖形曝光工藝的優(yōu)點來改善分辨率與提供產(chǎn)率。 :55:4111:55:41March 19, 2023 ? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 :55:4111:55Mar2319Mar23 ? 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 , March 19, 2023 ? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 2023年 3月 19日星期日 11時 55分 41秒 11:55:4119 March 2023 ? 1一個人即使已登上頂峰，也仍要自強不息。勝人者有力，自勝者強。 。 2023年 3月 19日星期日 11時 55分 41秒 11:55:4119 March 2023 ? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時，你只能或者最好沿著以腳為起點的射線向前。 , March 19, 2023 ? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。下圖為 60keV的 50個氫離子注入 PMMA及不同襯底中的電腦模擬軌跡。 XRL是利用類似光學(xué)遮蔽接近式曝光的一種遮蔽式曝光。換言之，通過光照造成抗蝕劑產(chǎn)生化學(xué)或物理變化，這種變化可使抗蝕劑產(chǎn)生圖案。) 光源 波長 ?(nm) 術(shù)語 技術(shù)節(jié)點 汞燈 436 g線 汞燈 365 i線 KrF(激光 ) 248 DUV ArF (激光 ) 193
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