半導(dǎo)體制造工藝_05光刻(下)(存儲(chǔ)版)
【正文】 停止成功！。 11:55:4111:55:4111:553/19/2023 11:55:41 AM ? 1以我獨(dú)沈久，愧君相見(jiàn)頻。 37 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 不同圖形曝光方法的比較 先前討論的圖形曝光方法，都有 100nm的或更好分辨率。 掩模版為 XRL系統(tǒng)中最困難且關(guān)鍵的部分，而且 X射線掩模版的制作比光學(xué)掩模版來(lái)得復(fù)雜。 PMMA和 PBS 分辨率可達(dá) 微米或更好 COP 分辨率可達(dá) 1 微米左右 32 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 鄰近效應(yīng) 在光學(xué)圖形曝光中，分辨率的好壞是由衍射來(lái)決定的。 用于掩模版的制作，只有相當(dāng)少數(shù)裝置用于將電子束直接對(duì)抗蝕劑曝光而不需掩模 優(yōu)點(diǎn)：可以參數(shù)亞微米的幾何抗蝕劑圖案、高自動(dòng)化及高精度控制的操作、比光學(xué)圖形曝光有較大的聚焦深度與不同掩模版可直接在半導(dǎo)體晶片上描繪圖案。 DUV膠 — ARC g線和 i線膠 — 使用添加劑，吸光并降低反射，曝光后顯影前的烘烤也有利于緩解其駐波現(xiàn)象。 7 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) Stepper Scan System Canon FPA4000ES1: 248 nm, 8” wafer 80/hr, field view: 25 mm 33 mm, alignment: ?70 nm, NA: , OAI 透鏡成本下降、性能提升 視場(chǎng)大 尺寸控制更好 變形小 8 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 圖形轉(zhuǎn)移 —— 刻蝕 9 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 圖形轉(zhuǎn)移 —— 剝離（ liftoff） 10 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 去膠 溶劑去膠 （ strip） ： Piranha (H2SO4:H2O2)。而對(duì)不用掩模版的直寫(xiě)形成圖案方式，設(shè)備必須盡可能提供產(chǎn)率，故要采用與器件最小尺寸相容的最大束徑。因此入射電子在行進(jìn)中會(huì)散開(kāi)，直到能量完全損失或是因背散射而離開(kāi)為止。激發(fā)態(tài)原子回到基態(tài)時(shí)，會(huì)釋放出 X射線，此 X射線被原子吸收，故此過(guò)程一直持續(xù)進(jìn)行。采用混合與配合的方法，可利用每一種圖形曝光工藝的優(yōu)點(diǎn)來(lái)改善分辨率與提供產(chǎn)率。 :55:4111:55:41March 19, 2023 ? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國(guó)見(jiàn)青山。 :55:4111:55Mar2319Mar23 ? 1世間成事，不求其絕對(duì)圓滿，留一份不足，可得無(wú)限完美。 , March 19, 2023 ? 閱讀一切好書(shū)如同和過(guò)去最杰出的人談話。 2023年 3月 19日星期日 11時(shí) 55分 41秒 11:55:4119 March 2023 ? 1一個(gè)人即使已登上頂峰，也仍要自強(qiáng)不息。勝人者有力，自勝者強(qiáng)。 。 2023年 3月 19日星期日 11時(shí) 55分 41秒 11:55:4119 March 2023 ? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時(shí)，你只能或者最好沿著以腳為起點(diǎn)的射線向前。 , March 19, 2023 ? 雨中黃葉樹(shù)，燈下白頭人。下圖為 60keV的 50個(gè)氫離子注入 PMMA及不同襯底中的電腦模擬軌跡。 XRL是利用類(lèi)似光學(xué)遮蔽接近式曝光的一種遮蔽式曝光。換言之，通過(guò)光照造成抗蝕劑產(chǎn)生化學(xué)或物理變化，這種變化可使抗蝕劑產(chǎn)生圖案。) 光源 波長(zhǎng) ?(nm) 術(shù)語(yǔ) 技術(shù)節(jié)點(diǎn) 汞燈 436 g線 汞燈 365 i線 KrF(激光 ) 248 DUV ArF (激光 ) 193
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