半導(dǎo)體制造工藝第2版-文庫(kù)吧在線文庫(kù)
【正文】 的接觸面積，當(dāng)鋁源中心熔化蒸發(fā)時(shí)，與坩堝接觸的四壁和底部仍處于固態(tài)，防止銅鋁反應(yīng)，所以電子束蒸發(fā)所得到的鋁膜純度高，易于光刻，線條整齊；學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院鍍膜層均勻? 電子束蒸發(fā)時(shí)采用行星式轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)，硅片在空間不斷旋轉(zhuǎn)，因此鍍膜十分均勻（ 鎢絲蒸發(fā)時(shí)硅片是固定不動(dòng)的 ）；學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院節(jié)省大量鎢絲和鋁源? 鎢絲蒸發(fā)時(shí)每根鎢絲使用 5~8次就得更換，而電子束蒸發(fā)采用屏蔽燈絲結(jié)構(gòu)，燈絲壽命較長(zhǎng)，使用得當(dāng)，可以使用一年，并省去清洗鎢絲的工作；? 電子束蒸發(fā)將鋁放在坩堝里，由于坩堝容積大，可放源 150g左右，每蒸發(fā)一次所用鋁源不多，而鎢絲蒸發(fā)每次都得加鋁源；學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院不能產(chǎn)生均勻的臺(tái)階覆蓋? 通過片架的 “自轉(zhuǎn) ”和 “公轉(zhuǎn) ”，在臺(tái)階覆蓋覆蓋方面取得了一些進(jìn)步；? 在超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)中，金屬化需要能夠填充具有高深寬比的小孔，并且產(chǎn)生等角的臺(tái)階覆蓋；? 蒸發(fā)技術(shù)在高深寬比的孔填充方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足要求，所以導(dǎo)致蒸發(fā)在現(xiàn)代 IC生產(chǎn)中被淘汰；蒸發(fā)缺點(diǎn)學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院難以淀積合金材料? 由于合金是兩種金屬材料組成，而兩種金屬就會(huì)有兩種不同的熔點(diǎn)，這使得利用蒸發(fā)使合金材料按原合金比例淀積到硅片上是不可能的；學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院濺射概念： ? 利用等離子體中的離子，對(duì)被濺鍍物體（粒子靶 ）進(jìn)行轟擊，使氣相等離子體內(nèi)具有被濺鍍物體的粒子，這些粒子淀積到硅晶片上形成濺射薄膜；學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院濺射優(yōu)點(diǎn)：? 可在一個(gè)面積很大的靶上進(jìn)行，這樣解決了大尺寸硅片淀積鋁膜厚度均勻性的問題；? 在選定工作條件下，膜厚較容易控制，只要調(diào)節(jié)時(shí)間就可以得到所需要厚度；? 濺射淀積薄膜的合金成分要比用蒸發(fā)容易控制；學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院濺射工作原理：? 產(chǎn)生離子并導(dǎo)向一個(gè)靶；? 離子把靶表面上的原子轟擊出來；? 被轟擊出的原子向硅片運(yùn)動(dòng)；? 在硅片表面這些原子凝成薄膜；學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院濺射示意圖學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院輝光放電? 轟擊靶材料的高能粒子是輝光放電產(chǎn)生的；原理： 一根玻璃管中充滿了壓力為 1Torr的氬氣，兩個(gè)電極之間的距離為 15cm，電壓為，在玻璃管中引入一個(gè)電子，這個(gè)電子在兩個(gè)電極間的電場(chǎng)中加速，這個(gè)自由電子有可能碰撞氬原子，把氬原子中的電子激發(fā)出來，激發(fā)出來的電子就是轟擊源材料的轟擊源；學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院濺射方式：? 直流濺射 （ 無法濺射絕緣材料，少用 ）? 射頻（ RF）濺射 （ 可濺射絕緣材料 ）? 磁控濺射學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院濺射優(yōu)勢(shì)（與蒸發(fā)相比）216。m；216。? 關(guān)閉烘烤電源開關(guān)，待襯底溫度降低到100℃ 時(shí)開始蒸發(fā)；學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院216。因?yàn)橛驼羝肿拥馁|(zhì)量大，并且作定向運(yùn)動(dòng)，所以氣體分子就會(huì)被油蒸汽分子帶到前方；學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院蒸發(fā)設(shè)備216。為了達(dá)到這個(gè)目的，所選用的源材料必須滿足以下幾個(gè)條件：? 有良好的導(dǎo)電性能；? 容易與硅形成良好的歐姆接觸；? 便于鍵合和引出金屬線；? 適合用蒸發(fā)工藝；學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院252。它是以物理方式進(jìn)行薄膜淀積的一種方式；216。 在半導(dǎo)體器件和集成電路制造中， 選用鋁材料作為蒸發(fā)源；原因： 鋁和 P型和 N型硅都能形成低電阻的歐姆接觸，而且對(duì)二氧化硅附著力強(qiáng)，易于蒸發(fā)和光刻，導(dǎo)電能力強(qiáng)，價(jià)格便宜；216。 在粗的鎢絲上繞上 ф ，或者采用幾股細(xì)鎢絲絞合成多股絲，然后加工成所需形狀；學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院蒸發(fā)操作過程：蒸發(fā)前準(zhǔn)備工作蒸發(fā)源加熱器處理? 一般鎢絲表面會(huì)有臟
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1