半導(dǎo)體制造工藝第2章半導(dǎo)體制造工藝概況-文庫吧在線文庫
【正文】 工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝 20世紀(jì) 90年代的 CMOS工藝技術(shù) 數(shù)字通信設(shè)備、個(gè)人計(jì)算機(jī)和互聯(lián)網(wǎng)有關(guān)的應(yīng)用推進(jìn)了 CMOS工藝技術(shù)的發(fā)展。7)二氧化硅表面平坦化 (CMP)。4)熱氧化，氮化硅作為氧化阻擋層保護(hù)下面的硅不被氧化，隔離區(qū)的硅被氧化。圖 21 PN結(jié)隔離 器件的隔離2)在外延層上淀積二氧化硅 (SiO2)，并進(jìn)行光刻和刻蝕。半導(dǎo)體制造工藝第 2章 半導(dǎo)體制造工藝概況第 2章 半導(dǎo)體制造工藝概況 引言 器件的隔離 雙極型集成電路制造工藝 CMOS器件制造工藝 引言集成電路的制造要經(jīng)過大約 450道工序，消耗 6~8周的時(shí)間，看似復(fù)雜，而實(shí)際上是將幾大工藝技術(shù)順序、重復(fù)運(yùn)用的過程，最終在硅片上實(shí)現(xiàn)所設(shè)計(jì)的圖形和電學(xué)結(jié)構(gòu)。1)首先在 P型襯底上采用外延淀積工藝形成 N型外延層。3)刻蝕氮化硅，露出隔離區(qū)的硅。6)淀積二氧化硅進(jìn)行硅槽的填充。6)用等離子體刻蝕和濕法刻蝕工藝進(jìn)行圖形刻蝕。5)光刻技術(shù)方面使用 Gline(436nm)、 Iline(365nm)、深紫外線DUV(248nm)光源曝光，并使用分辨率高的正性光刻膠，用步進(jìn)曝光取代整體曝光。13)Ti和 TiN成為鎢的阻擋層。21)單個(gè)硅片加工系統(tǒng)提高了可控硅片和硅片之間的一致性。7)銅和低 k的介質(zhì)用來減小 RC延遲。 二月 21二月 2104:50:0904:50:09February 01, 2023? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 二月 2104:50:0904:50Feb2101Feb21? 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 2023/2/1 4:50:0904:50:0901
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1