【正文】 助手 設(shè)計(jì) Reportor ： 朱 Zhao 六月 日期： ~ 總數(shù)標(biāo)明的頁數(shù) S 以系統(tǒng) P 字 新的 (包裹，機(jī)器 ,裝置 ) 程序 為 前部安定建立 (放置 提高 時(shí)間 表保管 ) 和管理的 M anpower 程序能力改良 (目 標(biāo) Cpk= 最小 ) 和贊成的 ppreciation 物 質(zhì) 的地方性的化 = 花 費(fèi) 更下 ,239。 削無背面金屬制的，無溫度要求，薄片與 L/ F 之間使用 Ag 漿糊或環(huán)氧基樹脂，經(jīng)過高溫烘烤治療而成 臨時(shí) 雇 員 +力量 +超 聲 波 200 ～ 300 ℃ 超 聲 波 +力量 室溫～ 150 ℃ 最好的 和 Camp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國研究總數(shù)報(bào)告 KECW 處理器 :GM3CPUA 力量 :GM3PA2A 基礎(chǔ) :GM3BO8M 輸入卡片 :G31D28A 輸出卡片 :G3QTR8A,G3QTR4A 通信卡片： G3LEUEA PENTIUM3850 MHZ 輸入／輸出卡片： SIODI32 ， SIODO32P 記憶： 256 M O/：窗口 20xx 監(jiān)視器：三星 SAMTRON 55 E 加號 ２。 C 的我 amp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國研究總數(shù)報(bào)告 KECW 17 視覺設(shè)定 下載 最好的 KECW 和 Camp。 現(xiàn)在的衡量能力 :LV1 30 V/ A :LV2 25 V/1 A : 如果 25 V/ A :HV 600 V/20 mA 測試時(shí)間 汽車 :500 我們 年代 (仰賴涌流 amp。U5 的相關(guān)電路 數(shù)字電路的 5 個(gè)熔斷絲檢測 : HV ， 177。測試?yán)^電器時(shí)間 R/D 時(shí)間 =3 ms+ 力量時(shí)間 是由于Ｒ elay 的響應(yīng)速度有延遲 測試 M/ C 繼電器延遲時(shí)間 Ass39。 C 的我 amp。 C 的我 amp。小的信號大的信號擴(kuò)大的電晶體 c。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國研究總數(shù)報(bào)告 KECW FABRICATON 的程序 氧化 : 弄干氧化 O2+ Si SiO2 變濕氧化 H2 O+ Si SiO2+2 H2 B。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國研究總數(shù)報(bào)告 KECW 12. Metallization 開著的射極窗戶 Em 來源 DepoPOCL3 Em 來源 930 ℃ 的推進(jìn)力 ,時(shí)間 =100 min 連絡(luò)窗戶打開 Al 蒸發(fā) ,thickness= 力 15. pad 活力 填補(bǔ)打開 9. Em Depo Diff 43 下載 最好的 和 Camp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國研究總數(shù)報(bào)告 KECW b)電晶體的制造 1. wafer 生的肉晶圓 (N類型 ,P類型 ) thickness=630um Epi 點(diǎn)燃船搬運(yùn) doped 層 Thickness=12um 3. 起始氧化物 SiO2 ＝ 10000 197。氧化 開著的 diff:P 類型或 N類型 e。 SEMICODUCTOR 基礎(chǔ)教育情況介紹： ?4 36 下載 最好的 和 Camp。 考試人連絡(luò) ) ( 裝置 NANEamp。 GENERATOR BALANCE調(diào)節(jié) 董事會 1. VCESAT(集成電路 ): 平衡調(diào)節(jié) ,得到調(diào)節(jié) 。 測試時(shí)間 R/ D 時(shí)間 繼電器推進(jìn)力時(shí)間 F/T1,F/T2 力量時(shí)間 R/D F/T1 固定 3 MS 測試 說明： F/ T2 只在 FET 測試中使用 26 下載 最好的 KECW 和 Camp。 15 V 系統(tǒng)內(nèi)直流來源補(bǔ)給 直流以電力驅(qū)動的： 177。 我 KECW ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國研究總數(shù)報(bào)告 20 下載 最好的 KECW 和 Camp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國研究總數(shù)報(bào)告 印記程序 功能 :在 PKG 表面印刷所需的數(shù)據(jù)，如：運(yùn)氣號碼等 印記方法：激光印記 。 裁剪者 /運(yùn)送機(jī)： L/ F 切并送到小片盒子中 *采用凸輪 amp。 C 的我 amp。 那種晶圓 BACKWORD 1 下載 最好的 KECW 和 Camp。 我 ( 20xx. ) PEG KEC 公司韓國研究總數(shù)報(bào)告 內(nèi) 容 1. SMD 線程序 FIS 系統(tǒng) BIS 系統(tǒng) (1) PLC 及個(gè)人計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu) (2) SMD BIS 系統(tǒng)桌子 (3) SMD BIS 程序 考試人研究 1)測試規(guī)格及結(jié)構(gòu) 2)SDT2200 系統(tǒng) 3)直流力量 4)考試人電路板研究 5)系統(tǒng)錯(cuò)誤檢查 6)電路板 BOARDCHECKING 及調(diào)整步驟 7)箱柜信號信號處理的人設(shè)定 SEMCONDUCTOR 一。全工程： SMD FIS 系統(tǒng)介紹 FIS 是什么 ? FIS: 完整的在 線系統(tǒng)