半導(dǎo)體制造工藝之光刻原理課件-免費(fèi)閱讀
【正文】 2023年 3月 22日星期三 下午 2時(shí) 53分 20秒 14:53: ? 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過(guò)于提升自我。 2023年 3月 22日星期三 2時(shí) 53分 20秒 14:53:2023 March 2023 ? 1空山新雨后，天氣晚來(lái)秋。 , March 22, 2023 ? 很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒(méi)有。 :53:2023:53Mar2322Mar23 ? 1故人江海別，幾度隔山川。每種都有其限制：光學(xué)法的衍射現(xiàn)象、電子束的鄰近效應(yīng)、 X射線的掩模版制作復(fù)雜、EUV的掩模版空片的制作困難、離子束的隨機(jī)空間電荷效應(yīng)。為了避免 X射線在光源與掩模版間被吸收，通常曝光都在氦的環(huán)境下完成。在電子束圖形曝光中，分辨率好壞是由 電子散射 決定的。 缺點(diǎn)：電子束光刻機(jī)產(chǎn)率低，在分辨率小于 ，約為每小時(shí) 10片晶片。 2 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 駐波對(duì)于光刻圖形的影響 3 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 光刻步驟簡(jiǎn)述 前烘 對(duì)準(zhǔn)及曝光 堅(jiān)膜 曝光后烘 4 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 光刻步驟詳述 硅片 增粘處理 ?高溫烘培 ?增粘劑處理 ：六甲基二硅胺烷（ HMDS） 勻膠機(jī) 涂膠： 3000～ 6000 rpm， ~1 mm 前烘： 10～ 30 min， 90～ 100 ?C 熱板 去除光刻膠中的溶劑，改善膠與襯底的粘附性，增加抗蝕性，防止顯影時(shí)浮膠和鉆蝕。 5 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 硅片對(duì)準(zhǔn)，曝光 每個(gè)視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn) 曝光強(qiáng)度 150 mJ/cm2 曝光后烘烤（ PEB）： 10 min， 100 ?C 顯影： 30～ 60 s 浸泡顯影或噴霧顯影 干法顯影 Alignment mark Previous pattern 6 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 堅(jiān)膜： 10～ 30 min，100～ 140 ?C 去除殘余溶劑、顯影時(shí)膠膜所吸收的顯影液和殘留水分，改善光刻膠的粘附性和抗蝕能力 顯影檢查：缺陷、玷污、關(guān)鍵尺寸、對(duì)準(zhǔn)精度等，不合格則去膠返工。這對(duì)生產(chǎn)掩模版、需求量小的定制電路或驗(yàn)證性電路是足夠了。當(dāng)電子穿過(guò)抗蝕劑與下層的基材時(shí)，這些電子將經(jīng)歷碰撞而造成能量損失與路徑的改變。 可以利用電子束抗蝕劑來(lái)作為 X射線抗蝕劑，因?yàn)楫?dāng) X射線被原子吸收，原子會(huì)進(jìn)入激發(fā)態(tài)而射出電子。 對(duì)于 IC的制造，多層掩模版是必需的，然而，所有的掩模版層并不需要都用相同的圖形曝光方法。 14:53:2023:53:2023:53Wednesday, March 22, 2023 ? 1乍見(jiàn)翻疑夢(mèng)，相悲各問(wèn)年。 14:53:2023:53:2023:533/22/2023 2:53:20 PM ? 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的積累。 下午 2時(shí) 53分 20秒 下午 2時(shí) 53分 14:53: ? 楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 2023年 3月 下午 2時(shí) 53分 :53March 22, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 :53:2023:53:20March 22, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 3月 下午 2時(shí) 53分 :53March 22, 2023 ? 1少年十五二十時(shí)，步行奪得胡馬騎。 下午 2時(shí) 53分 20秒 下午 2時(shí) 53分 14:53: ? 沒(méi)有失敗，只有暫時(shí)停止成功
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