電學(xué)半導(dǎo)體制程及原理-免費(fèi)閱讀
【正文】 廢棄物種類(lèi)及特性工廠廢棄物可分為一般事業(yè)廢棄物及有害事業(yè)廢棄物。其電鍍程序依產(chǎn)品差異而有不同，包括有鍍錫鉛、鍍鎳、鍍銀等。采用之酸液主要為硝酸、硫酸，有機(jī)溶劑為三氯乙烷及丙酮。污染物種類(lèi)及特性IC制造主要使用之化學(xué)物質(zhì)半導(dǎo)體制造工業(yè)在產(chǎn)業(yè)史上屬危險(xiǎn)性較高之工業(yè)，尤其是超LSI制程需經(jīng)過(guò)很多層之處理而成形，構(gòu)成非常精密的回路，須于氣相中處理。4. 微影廢液：顯影廢液、微影清洗廢液。(6)濕式洗滌塔廢水：洗滌廢氣所含之污染質(zhì)。晶圓及集成電路制造過(guò)程中幾乎每個(gè)步驟皆分別使用各式各樣的酸鹼物質(zhì)、有機(jī)溶劑及毒性氣體，而各種物質(zhì)經(jīng)過(guò)反應(yīng)后又形成種類(lèi)頗為復(fù)雜之產(chǎn)物，各制程不同使用的化學(xué)物質(zhì)亦不相同，故所有制程幾乎部可能是空氣污染源，且皆為連績(jī)排放。IC芯片去今打彎程序?qū)Ь€電鍍?cè)陔婂儾壑袑⒙对谕饷娴膶?dǎo)線，鍍上一層銅使之易于導(dǎo)電。干法蝕刻(電漿蝕刻)乃利用低壓放電將氣體電離成電漿，所以電漿含全部或部分電離之氣體，其中有離子、電子及中子。IC印刻方法及對(duì)應(yīng)使用之光阻成分電子束印刻正光阻PMMA(聚甲基丙烯酸甲脂)，PBS(聚丁稀諷)。雜質(zhì)的來(lái)源包含數(shù)種，有固體來(lái)源(BN，AS2O3及P2O3)，液體來(lái)源(BBrAsCl3及POCl3)，氣體來(lái)源(B2HAsH及PH3)。擴(kuò)散與離子植入擴(kuò)散及離子植入是用來(lái)控制半導(dǎo)體中雜質(zhì)量的關(guān)鍵程序。最新的集成電路cVD金屬附著是應(yīng)用于難熔金屬的附著。多層金屬處理中當(dāng)作導(dǎo)電材料。介電質(zhì)附著層主要用來(lái)隔離及保護(hù)不同種類(lèi)元件及集成電路。然后切割成芯片，再經(jīng)粘著、連線及包裝等組配工程而成電子產(chǎn)品。 制造流程半導(dǎo)體工業(yè)所使用之材料包含單一組成的半導(dǎo)體元素，如硅(Si)、鍺(Ge)(屬化學(xué)周期表上第四族元素)及多成分組成的半導(dǎo)體含二至三種元素，如鎵砷(GaAs)半導(dǎo)體是由第三族的鎵與第五族的砷所組成。并可分為施體與受體，分述如下：(N型)當(dāng)摻入的雜質(zhì)為五價(jià)電子原子(如砷)，所添入原子取代硅原子，且第五個(gè)價(jià)電子成為不受束縛電子，即成為電流載子。原理簡(jiǎn)介一般固體材料依導(dǎo)電情形可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體及絕緣體。隨著電子信息產(chǎn)品朝輕薄短小化的方向發(fā)展，半導(dǎo)體制造方法亦朝著高密度及自動(dòng)化生產(chǎn)的方向前進(jìn)。而集成電路構(gòu)裝業(yè)共有20家工廠，遍布于臺(tái)北縣、新竹縣、臺(tái)中縣及高雄市，尤以加工出口區(qū)為早期半導(dǎo)體于臺(tái)灣設(shè)廠開(kāi)發(fā)時(shí)之主要據(jù)點(diǎn)。當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體的熱能使某些共價(jià)鍵斯鍵，而造成傳導(dǎo)。半導(dǎo)體各種產(chǎn)品即依上述基本原理，就不同工業(yè)需求使用硅晶圓、光阻劑、顯影液、酸蝕刻液及多種特殊氣體為制程申的原料或添加物等，以完成復(fù)雜的集成電路制作。此類(lèi)硅芯片再經(jīng)過(guò)研磨加工及多次磊晶爐(Epitaxial reactor)則可制成研磨晶圓成長(zhǎng)成為磊晶晶圓，其用途更為特殊，且附加價(jià)值極高。與場(chǎng)氧化層(field oxide)，此二層均由熱氧化程序制造。其分解反應(yīng)為：Si(OC2H5)4→SiO2+副產(chǎn)物高溫附著(900℃)，二氧化硅由二氯硅烷(SiCl2H2)與笑氣(N2O)在低壓下形成：SiCl2H2+2N2O→SiO+2N2+2HCI氮化硅層可用作保護(hù)元件，方可作為硅氧化作用時(shí)的遮蔽層，覆蓋不欲氧化的硅晶部分，氮化硅的附著是在中等溫度(750℃)LPCVD程序或低溫(300℃)電漿CVD程序中形成。金屬處理包含內(nèi)部聯(lián)線、歐姆接觸及整流金屬二半導(dǎo)體接觸等金屬層的形成。 硅化物電阻系數(shù)(300176。離子植入程序的優(yōu)點(diǎn)在于雜質(zhì)量的精確控制，雜質(zhì)分布的再重整，以及低溫下操作。植入雜質(zhì)濃度在1011~1016離子/cm2。再經(jīng)蝕刻程序獲得各不同區(qū)，以便進(jìn)行植入、擴(kuò)散等前幾節(jié)所敘述的步驟。SiO2+6HF→H2SiF6+H2OSi+HNO3+6HF→H2SiF6+HNO2+H2O+H2鎵砷半導(dǎo)體之蝕刻液以H2SO4H2O2H2O為主。C。隨著這些技術(shù)之革新，半導(dǎo)體制造時(shí)所使用之酸鹼溶液、有機(jī)溶劑、特殊氣體材料之種類(lèi)及數(shù)量均在增加之中，而這些制程原料大部份都其有毒性，所以應(yīng)特別注意并加以防范與控制。3.(3)濕式蝕刻廢水：HF、NH4F、HNOH2OHCl、H2SOHAc、H3POHBr、Al、Si。(4)清洗廢水：H2SOHNOH2OH3PO4。2.9. 員工生活廢棄物：餐廳及辦公室廢棄物。同一操作單元所使用之化學(xué)物質(zhì)隨工廠之不同而異，而每個(gè)工廠也不一定使用所有化學(xué)物質(zhì)，而本節(jié)中所列乃為工廠目前主要使用之化學(xué)物質(zhì)。②含氟廢水：含高濃度HF，污染質(zhì)為pH、COD、F_。?重金屬?gòu)U水：電鍍程序產(chǎn)出，包括底材溶出，鍍液帶出，而溶入水洗水，污染質(zhì)包括pH、Zn、Pb等重金屬。其中廢酸包括HF、NH4F、H2SOHCl、HNOHAc、HBr等，廢鹼則為NH4OH。?酸鹼廢水：電鍍前虛理程序產(chǎn)出，含H2SOHCl、NaOH等，污染質(zhì)為pH、COD、SS。廢水種類(lèi)(1)IC制造廠I
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