【正文】 最常用的源：Freeman離子源和Bernas離子源（2）注入設(shè)備的復(fù)雜性這個過程激活了雜質(zhì)原子，改變了硅的電導(dǎo)率。這一步用來刻蝕掉大部分的多晶硅膜，并不損傷柵氧化層和獲得理想的各向異性的側(cè)壁剖面。這種振蕩增加了電子碰撞的可能性，從而產(chǎn)生高密度的等離子體，獲得大的離子流。物理機理的刻蝕中，等離子體產(chǎn)生的帶能粒子（轟擊的正離子）在強電場下朝硅片表面加速，這些離子通過濺射刻蝕作用去除未被保護的硅片表面材料。？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點。濕法刻蝕中，液體化學(xué)試劑（如酸、堿和溶劑等）以化學(xué)方式去除硅片表面的材料，一般用于尺寸較大的情況下（大于3微米）。光刻膠顯影的目的是什么？（第十五章）(5分)光刻膠顯影是指用化學(xué)顯影液溶解由曝光造成的光刻膠的可溶解區(qū)域，其主要目的是把掩膜版圖形準確復(fù)制到光刻膠中。只存在與準穩(wěn)定激發(fā)態(tài)？（第十四章）(5分）4. 分辨率和焦深二，在后續(xù)工藝中，保護下面的材料（第十三章）（5分）1，分滴，當硅片靜止或者旋轉(zhuǎn)得非常緩慢時，光刻膠被分滴在硅片上第二步：旋轉(zhuǎn)涂膠，將硅片被固定在載片臺上，一定數(shù)量的液體光刻膠滴在硅片上，然后硅片旋轉(zhuǎn)得到一層均勻的光刻膠圖層大部分拋光機都采用旋轉(zhuǎn)運動或軌道運動第十三章、十四章、十五章 光刻？（第十三章）為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？（第十五章）（10分）正性光刻把與掩膜版上相同的圖形復(fù)制到硅片上，負性光刻把與掩膜版上圖形相反的圖形復(fù)制到硅片表面，這兩種基本工藝的主要區(qū)別在于所用的光刻膠的種類不同。（9）淀積銅填充:用ECD淀積銅填充，即填充通孔窗口也填充槽。（2）SiN刻蝕阻擋層淀積:厚250?的SiN刻蝕阻擋層被淀積在內(nèi)層氧化硅上。硅片能夠被電偏置在與氬離子不同的場勢。難熔金屬硅化物的優(yōu)點和其作用：降低接觸電阻，作為金屬與有源層的粘合劑。減少了線的寬度，降低了功耗；。：為了在處理和應(yīng)用過程中經(jīng)受住溫度循環(huán)變化，金屬應(yīng)相對柔軟且有較好的延展性。（4）填充薄膜:用金屬薄膜填充通孔以便在兩層金屬間形成電連接。SiO2＋10H2O＋8CO2淀積速率受反應(yīng)物傳輸速度限制，即不能提供足夠的反應(yīng)物到襯底表面，速率對溫度不敏感（如高壓CVD）。；回充N2（將這些名詞翻譯成中文并做出解釋）（10分）（1）CVD、化學(xué)氣相淀積（Chemical應(yīng)DRAM存儲器高密度儲能的需要，引入了高副產(chǎn)物去除。先驅(qū)物吸附SOD)（15分）。CVD)Chemical介質(zhì)層（2）凝聚成束控制系統(tǒng)控制爐子所有操作，如工藝時間和溫度控制、工藝步驟的順序、氣體種類、氣流速率、升降溫速率、裝卸硅片第十一章 淀積？例舉并描述可接受的薄膜的8個特性?？?、溶解度更高6．為什么晶體管柵結(jié)構(gòu)的形成是非常關(guān)鍵的工藝？更小的柵長會引發(fā)什么問題？（10分）答：因為它包括了最薄的柵氧化層的熱生長以及多晶硅柵的刻印和刻蝕，而后者是整個集成電路工藝中物理尺度最小的結(jié)構(gòu)。⑥拋光，即CMP（化學(xué)機械平坦化）工藝的目的是使硅片表面平坦化。（2）球柵陣列（BGA）:與針柵陣列有相似的封裝設(shè)計，有陶瓷或塑料的基座構(gòu)成基座具有用于連接基座與電路板的共晶Sn/Pb焊料球的面陣列。這項檢查保證了技術(shù)員的測試儀安裝正常。（3）數(shù)據(jù)收集:為了改進工藝，收集硅片數(shù)據(jù)以評估工藝傾向（如溝道長度的改變）。在硅片制造后進行。 。 集成電路制造中的12種不同的質(zhì)量測量： ？（第七章）（5分）硅片關(guān)鍵尺寸測量的主要工具是掃描電子顯微鏡（SEM），它能放大10萬到30萬倍，這明顯高于光學(xué)顯微鏡，用掃描電子顯微鏡觀測硅片的橫截面部分能提供缺陷的信息，常與其他分析技術(shù)結(jié)合使用，如EDX或FIB。優(yōu)點是：體積小，重量輕，功耗低，可靠性好，易于獲得高性能，保密性好，大批量應(yīng)用時顯著降低成本。這些元件無論如何和電源相連，都可以傳輸電流。（第六章）（10分）硅片清洗步驟：(1)H2SO4/H2O2(piranha):有機物和金屬；(2)UPW清洗（超純水）:清洗；(3)HF/H2O（稀HF）:自然氧化層；(4)UPW清洗:清洗；(5)NH4OH/H2O2/H2O(SC1):顆粒；(6)UPW清洗:清洗；(7)HF/H2O:自然氧化層；(8)UPW清洗:清洗；(9)HCL/H2O2/H2O(SC2):金屬；(10)UPW清洗:清洗；(11)HF/H2O:自然氧化層；(12)UPW清洗:清洗；(13)干燥:干燥第三章 器件技術(shù)基礎(chǔ)？每種類型各有什么特征？（40分）答：分為三種，雙極集成電路，MOS集成電路，雙極MOS（BiMOS）集成電路。在什么電阻率級別下水被認為已經(jīng)去離子化？（第六章）（10分）答：用以制造去離子水的去離子化過程是指，用特制的離子交換樹脂去除電活性鹽類的離子。去離子水是硅片生產(chǎn)中用得最多的化學(xué)品（5）工藝用化學(xué)品:為了保證成功的器件成品率和性能，半導(dǎo)體工藝所用的液態(tài)化學(xué)品必須不含沾污；（6）工藝氣體:氣體流經(jīng)提純器和氣體過濾器以去除雜質(zhì)和顆粒；（7）生產(chǎn)設(shè)備:用來制造半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)設(shè)備是硅片生產(chǎn)中最大的顆粒來源。凈化間還意味著遵循廣泛的規(guī)程和實踐，以確保用于半導(dǎo)體制造的硅片生產(chǎn)設(shè)施免受玷污。DI.？（第二章）（5分）答：砷化鎵具有比硅更高的電子遷移率，因此多數(shù)載流子也移動得比硅中的更快。：從事確定設(shè)備設(shè)計參數(shù)和優(yōu)化硅片生產(chǎn)的設(shè)備性能。Fabless：IC 設(shè)計公司，只設(shè)計不生產(chǎn)。 6. 名詞解釋：highk。降低成本——線寬降低、晶片直徑增加。摩爾定律指：IC 的集成度將每隔一年翻一番。 lowk。Fablite：輕晶片廠，有少量晶圓制造廠的IC公司。：分析制造工藝和設(shè)備的性能以確定優(yōu)化參數(shù)設(shè)置。砷化鎵也有減小寄生電容和信號損耗的特性。Water的PH值為7，既不是酸也不是堿，是中性的。？由自然氧化層引起的三種問題是什么？（第六章）（10分）答：自然氧化層:如果曝露于室溫下的空氣或含溶解氧的去離子水中，硅片的表面將被氧化。18MΩcm電阻率級別下水被認為已經(jīng)去離子化。雙極集成電路：采用的有源器件是雙極晶體管，特點：速度高，驅(qū)動能力強，但功耗大，集成能力低。如電阻，電容。（第八章）（5分）答：當真空里的壓強減低時，氣體分子間的空間加大了，這成為氣體流過系統(tǒng)及在工藝腔內(nèi)產(chǎn)生等離子體的重要因素。（4）可靠性:集成電路加電并在高溫下測試，以發(fā)現(xiàn)早期失效（有時候，也在在線參數(shù)測試中進行硅片級的可靠性測試）。（4）特殊測試:在需要的時候評估特殊性能參數(shù)（如特殊客戶需求）。（2）輸出檢查:硅片挑選測試用來測試輸出信號以檢驗芯片性能。（第二十章）（5分）兩種最廣泛使用的集成電路封裝材料是塑料封裝和陶瓷封裝。（3）板上芯片（COB）:被開發(fā)以集成電路芯片直接固定到具有其它SMT和PIH組件的基座上，又被稱為直接芯片粘貼。2．離子注入前一般需要先生長氧化層，其目的是什么？（10分）答：氧化層保護表面免污染，免注入損傷，控制注入溫度。多晶硅柵的寬度通常是整個硅片上最關(guān)鍵的CD線寬。(15分)薄膜：指某一維尺寸遠小于另外兩維上的尺寸的固體物質(zhì)。形成(Si)島，且島不斷長大層間介質(zhì)（ILD）Vapor1)5)（10分）（1）低k介質(zhì)須具備k介質(zhì)，在相同電容（或儲能密度）可以增加VaporPa氣到常壓，取出硅片。（5）BPSG：優(yōu)點：a、低溫淀積；（第十二章）（10分）答：金屬用于硅片制造的七個要求：：為維持電性能的完整性，必須具有高電導(dǎo)率，能夠傳導(dǎo)高電流密度。：很好的抗腐蝕性，在層與層之間以及下層器件區(qū)具有最小的化學(xué)反應(yīng)。更窄的線寬，允許更高密度的電路集成，這意味著需要更少的金屬層。高溫穩(wěn)定性好，抗電遷移性能好可直接在多晶硅上淀積難熔金屬，經(jīng)加溫處理形成硅化物，工藝與現(xiàn)有硅柵工藝兼容。加在硅片上的偏置引起氬原子直接轟擊硅片。SiN需要致密，沒有針孔，因此使用HDPCVD。（10）用CMP清除額外的銅：用化學(xué)機械平坦清除額外的銅。正刻膠在進行曝光后留下來的的光刻膠在曝光前已被硬化，它將留在硅片表面，作為后步工藝的保護層，不需要改變掩膜版的極性，并且負性光刻膠在顯影時會變形和膨脹，所以正膠是普遍使用的光刻膠傳統(tǒng)的I線光刻膠，深紫外光刻膠。 ？掃描投影光刻機努力解決什么問題？（第十四章