半導(dǎo)體制造工藝_08擴(kuò)散(下)-免費(fèi)閱讀
【正文】 2023年 3月 22日星期三 下午 2時(shí) 53分 6秒 14:53: ? 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。 2023年 3月 22日星期三 2時(shí) 53分 6秒 14:53:0622 March 2023 ? 1空山新雨后，天氣晚來秋。 , March 22, 2023 ? 很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒有。 :53:0614:53Mar2322Mar23 ? 1故人江海別，幾度隔山川。這時(shí)必須考慮二維的擴(kuò)散方程式，并使用數(shù)值分析技術(shù)求得在不同初始與邊界條件下的擴(kuò)散分布。 Au和 Pt， γ＝ 2，曲線（ d）所示， 呈一凹陷的形狀。 e xp( )FiVi EECC kT??如果雜質(zhì)擴(kuò)散以空位擴(kuò)散為主，則 D正比于空位密度。 VR 1/C2 對(duì)于均勻摻雜的單邊突變結(jié)，結(jié)電容由下式給出： ?s 硅的介電常數(shù) 。 舟 24 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) 1）液態(tài)源硼擴(kuò)散 ? 源 硼酸三甲脂 B[(CH3)O]3 ? 在 500 oC 以上分解反應(yīng) B[(CH3)O]3 ? B2O3 + CO2 + H2O ＋ ... 2B2O3 + 3Si ? 3SiO2 + 4B ? 例： 預(yù)淀積 : 950 oC 通源 10－ 20 分鐘， N2 再分布 : 1100 － 1200 o C干氧＋濕氧＋干氧 25 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) 2）液態(tài)源磷擴(kuò)散 ? 源 三氯氧磷 (POCl3) 600 ?C 5POCl3 ???? P2O5 + 3PCl5 2P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P (向硅中擴(kuò)散 ) ? PCl5難分解，會(huì)腐蝕硅，故還要通入少量 O2 4PCl5 + 5O2 ???? 2P2O5 + 10Cl2 ? ? 例 ： 預(yù)淀積 :1050 ?C N2 和 O2 再分布 : 950 ?C O2 26 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) 固態(tài)源擴(kuò)散 （ B2O3， P2O5， BN等） 舟 惰性氣體作為載氣把雜質(zhì)源蒸氣輸運(yùn)到硅片表面，在擴(kuò)散溫度下，雜質(zhì)化合物與硅反應(yīng)生成單質(zhì)雜質(zhì)原子相硅內(nèi)擴(kuò)散。 ?高濃度磷擴(kuò)散 時(shí)濃度分布有三個(gè)區(qū)域。 sec/ 214???AsD箱型 1000 ?C下，非本征擴(kuò)散系數(shù)： 14 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) ?對(duì)于 B， P來說，在氧化過程中，其擴(kuò)散系數(shù)增加。 設(shè)計(jì)該工藝過程。 固溶度：在平衡條件下，雜質(zhì)能溶解在硅中而不發(fā)生反應(yīng)形成分凝相的最大濃度。 表面濃度恒定，余誤差函數(shù)分布 (erfc)。 離子注入 ＋ 退火 3 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) 假定推進(jìn)退火獲得的結(jié)深，則根據(jù) 該數(shù)值為推進(jìn)擴(kuò)散的“ 熱預(yù)算 ”。 ?對(duì) Sb來說，擴(kuò)散系數(shù)減小。主要是磷離子與 V0， V，V=三種空位的作用造成的。 27 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴(kuò)散原理 (下 ) 銻的箱法擴(kuò)散 硅片與擴(kuò)散源同放一箱內(nèi)， 在 N2氣保護(hù)下擴(kuò)散 源 ： Sb2O3 : SiO2 = 1:4 (粉末重量比 ) 2Sb2O3 + 3Si = 4Sb + 3SiO2 片狀固態(tài)氮化硼擴(kuò)散 活化處理 4BN + 3O2 ? 2B2O3 + 2N2 900 ?C 1 h. 通 O2 擴(kuò)散 2B2O3 + 3Si ? 3SiO2 + 4B BN片與硅片大小相當(dāng)，和硅片相間均勻放置在舟上。 NB 襯底摻雜濃度 Vbi 結(jié)的內(nèi)建勢 。低摻雜濃度時(shí)，EF＝ Ei，空位密度等于 Ci而與雜質(zhì)濃度無關(guān)。 P，與 V2－ 有關(guān)， D隨 C2而變化， 分布解決曲線（ b）所示。 顯示一恒定表面初始濃度條件下的輪廓線，并假設(shè) D與濃度無關(guān)。 14:53:0614:53:0614:53Wednesday, March 22, 2023 ? 1乍見翻疑夢，相悲各問年。 14:53:0614:53:0614:533/22/2023 2:53:06 PM ? 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的積累。 下午 2時(shí) 53分 6秒 下午 2時(shí) 53分 14:53: ? 楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 2023年 3月 下午 2時(shí) 53分 :53March 22, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 :53:0614:53:06March 22, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像
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