【摘要】半導(dǎo)體制造工藝第4章 氧 化第4章 氧 化 引言 二氧化硅膜的性質(zhì) 二氧化硅膜的用途 熱氧化原理 氧化設(shè)備 氧化膜的質(zhì)量控制 氧化工藝模擬 引言二氧化硅(SiO2)是一種絕緣介質(zhì)。它在半導(dǎo)體器件中起著十分重要的作用。硅暴露在空氣中,即使在室溫條件下,其表面也能生長一層4nm左右的氧化膜。這一層氧化膜結(jié)構(gòu)致密,能防止硅表面繼續(xù)被氧
2025-03-01 04:30
【摘要】Chapter?8離子注入1目標(biāo)?至少列出三種最常使用的摻雜物?辨認(rèn)出至少三種摻雜區(qū)域?描述離子注入的優(yōu)點?描述離子注入機的主要部分?解釋通道效應(yīng)?離子種類和離子能量的關(guān)系?解釋后注入退火?辨認(rèn)安全上的危害2離子注入?簡介?安全性?硬件?制程?概要3材料設(shè)計光罩IC生產(chǎn)
2025-03-01 12:19
【摘要】華中科技大學(xué)機械學(xué)院機械電子信息工程系先進制造技術(shù)半導(dǎo)體制造裝備華中科技大學(xué)機械學(xué)院機械電子信息工程系華中科技大學(xué)機械學(xué)院機械電子信息工程系華中科技大學(xué)機械學(xué)院機械電子信息工程系華中科技大學(xué)機械學(xué)院機械電子信息工程系微電子封裝一般可分為4級,如圖所示,即:0級封裝———芯
2025-02-26 08:37
【摘要】半導(dǎo)體制造技術(shù)陳弈星第十七章離子注入本章目標(biāo)1.解釋摻雜在硅片制造過程中的目的和應(yīng)用.2.討論雜質(zhì)擴散的原理和過程.3.對離子注入有整體的認(rèn)識,包括優(yōu)缺點.4.討論劑量和射程在離子注入中的重要性.5.列舉離子注入機的5個主要子系統(tǒng).6.解釋離子注入中
2025-05-15 01:07
【摘要】半導(dǎo)體制冷實驗五邑大學(xué)物理實驗中心一種新的制冷技術(shù)半導(dǎo)體制冷的優(yōu)點?不用制冷劑,環(huán)保?不用機械部件,可靠性更高,易于實現(xiàn)和維護?冷卻速度和溫度可任意調(diào)節(jié)?冷熱端可互換,制冷與制熱切換簡單?體積和功率可以做得很小帕爾貼效應(yīng)?1834年,法國科學(xué)家帕爾貼在銅絲兩頭各接一根鉍絲,再將兩根鉍絲分別
2025-07-18 13:54
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第七章離子注入原理(上)有關(guān)擴散方面的主要內(nèi)容?費克第二定律的運用和特殊解?特征擴散長度的物理含義?非本征擴散?常用雜質(zhì)的擴散特性及與點缺陷的相互作用?常用擴散摻雜方法?常用擴散摻雜層的質(zhì)量測量Distributionaccordingtoerrorfunction???
2025-03-04 15:32
【摘要】通信與電子工程學(xué)院第三章第三章硅的硅的氧化氧化v緒論vSiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)vSiO2的掩蔽作用v硅的熱氧化生長動力學(xué)v決定氧化速度常數(shù)和影響氧化速率的各種因素v熱氧化過程中的雜質(zhì)再分布v初始氧化階段以及薄氧化層的生長vSi-SiO2界面特性下一頁通信與電子工程學(xué)院二氧化硅是上帝賜給二氧化硅是上帝賜給IC的材料。的材料。通信與電
2025-03-01 04:27
【摘要】半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長1半導(dǎo)體器件與工藝半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長2一、襯底材料的類型1.元素半導(dǎo)體Si、Ge….2.化合物半導(dǎo)體GaAs、SiC、GaN…半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長3二、對襯底材料的要求?導(dǎo)電
【摘要】一、晶圓處理制程?? 晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子組件(如晶體管、電容體、邏輯閘等),為上述各制程中所需技術(shù)最復(fù)雜且資金投入最多的過程,以微處理器(Microprocessor)為例,其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道,而其所需加工機臺先進且昂貴,動輒數(shù)千萬一臺,其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與含塵量(Particle)均需控制的無塵室(Clean-Ro
2025-04-07 20:43
【摘要】《汽車制造工藝》——裝配工藝北京電子科技職業(yè)學(xué)院汽車工程學(xué)院主講教師:威蘭任務(wù):汽車裝配基礎(chǔ)知識輔導(dǎo)教師:馮志新2活動內(nèi)容檢驗評估實施計劃制定計劃收集信息接受任務(wù)總結(jié)提高3熟悉汽車裝配的基礎(chǔ)知識
2025-10-07 12:46
【摘要】UMCConfidential,NoDisclosureDataPreparedbyMorrisIntroductiononFabflowandsemiconductorindustryforITrelatedemployeeMorrisL.YehUMCConfidenti
2025-02-26 01:36
【摘要】LED制造工藝流程工藝過程例如GaAs、Al2O3、Si、SiC等制造襯底封狀成成品制造芯片40000個制造發(fā)光二極管外延片例如MOCVD一片2直徑英寸的外延片可以加工20220多個LED芯片硅(Si)氮化鎵(GaN)50毫米200微米=上游產(chǎn)業(yè):
2025-05-05 18:14
2025-05-01 05:03
【摘要】半導(dǎo)體制程簡介——芯片是如何制作出來的基本過程?晶園制作–WaferCreation?芯片制作–ChipCreation?后封裝–ChipPackaging第1部分晶園制作多晶生成?PolySiliconCreation1–目前半導(dǎo)體制程所使用的主要原料就是晶園(Wafe
2025-08-05 03:55
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝第6章 金 屬 化第6章 金 屬 化 概述 金屬化類型 金屬淀積 金屬化流程 金屬化質(zhì)量控制 金屬淀積的工藝模擬 概述 金屬化的概念 在硅片上制造芯片可以分為兩部分:第一,在硅片上利用各種工藝(如氧化、CVD、摻雜、光刻等)在硅片表面制造出各種有源器件和無源元件。第二,利用金屬互連線將這些元器件連接起來形成完整電路系統(tǒng)