[精選]半導(dǎo)體制造工藝教材-在線瀏覽

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝第2章　半導(dǎo)體制造工藝概況第2章　半導(dǎo)體制造工藝概況　引言　器件的隔離　雙極型集成電路制造工藝　CMOS器件制造工藝　引言集成電路的制造要經(jīng)過大約450道工序，消耗6~8周的時(shí)間，看似復(fù)雜，而實(shí)際上是將幾大工藝技術(shù)順序、重復(fù)運(yùn)用的過程，最終在硅片上實(shí)現(xiàn)所設(shè)計(jì)的圖形和電學(xué)結(jié)構(gòu)。在講述各個(gè)工藝之前，介紹一下集成電路芯片的加工工藝過程

2025-04-02 04:28

[精選]半導(dǎo)體制造工藝簡(jiǎn)介-在線瀏覽

【摘要】集成電路版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證第三章半導(dǎo)體制造工藝簡(jiǎn)介學(xué)習(xí)目的v（1）了解晶體管工作原理，特別是MOS管的工作原理v（2）了解集成電路制造工藝v（3）了解COMS工藝流程主要內(nèi)容工藝流程工藝集成v半導(dǎo)體硅原子結(jié)構(gòu)：4個(gè)共價(jià)鍵，比較穩(wěn)定，沒有明顯的自由電子。v1、半導(dǎo)體能帶v禁帶帶隙介于導(dǎo)體和絕緣體之間v2

2025-04-02 12:21

[精選]半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)教材-在線瀏覽

【摘要】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的作用和目的圖形的產(chǎn)生和布局1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的定義光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。用照相復(fù)印的方法將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面的光刻膠上，以實(shí)現(xiàn)后續(xù)的有選擇刻蝕或注入摻雜光刻的目的：光

2025-04-02 04:28

[精選]半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)-在線瀏覽

【摘要】電信學(xué)院微電子教研室半導(dǎo)體制造技術(shù)byMichaelQuirkandJulianSerda淀積電信學(xué)院微電子教研室半導(dǎo)體制造技術(shù)byMichaelQuirkandJulianSerda概述薄膜淀積是芯片加工過程中一個(gè)至關(guān)重要的工藝步驟，通過淀積工藝可以在硅片上生長(zhǎng)導(dǎo)各種導(dǎo)電薄膜層和絕緣薄膜層。

2025-04-02 04:28

半導(dǎo)體制造工藝簡(jiǎn)介-在線瀏覽

【摘要】集成電路版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證第三章半導(dǎo)體制造工藝簡(jiǎn)介學(xué)習(xí)目的?（1）了解晶體管工作原理，特別是MOS管的工作原理?（2）了解集成電路制造工藝?（3）了解COMS工藝流程主要內(nèi)容??工藝流程?工藝集成?半導(dǎo)體硅原子結(jié)構(gòu)：4個(gè)共價(jià)鍵，比較穩(wěn)定，沒有明顯的自由電子。

2025-06-16 04:54

[精選]半導(dǎo)體制造工藝流程-在線瀏覽

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料：純硅9-10個(gè)9?N型硅：摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅：摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié)：NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段（FrontEnd）制程晶圓處理制程（Wa

2025-04-02 04:29

[精選]半導(dǎo)體器件與工藝-光刻-在線瀏覽

【摘要】第八章光刻哈爾濱工程大學(xué)微電子學(xué)半導(dǎo)體器件與工藝光刻工藝是半導(dǎo)體工藝過程中非常重要的一道工序，它是用來在晶圓表面建立圖形的工藝過程。這個(gè)工藝過程的目標(biāo)有兩個(gè)。首先是在晶圓表面建立盡可能接近設(shè)計(jì)規(guī)則中所要求尺寸的圖形；第二個(gè)目標(biāo)是在晶圓表面正確定位圖形。整個(gè)電路圖形必須被正確地定位于晶圓表面，電路圖形上單獨(dú)的每一部分之間的相對(duì)位置也必須是

2025-04-02 04:32

半導(dǎo)體制造流程-在線瀏覽

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料：純硅9-10個(gè)9?N型硅：摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅：摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié)：NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為

2025-03-30 01:36

[精選]半導(dǎo)體制造工藝課件(ppt98頁)-在線瀏覽

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝半導(dǎo)體制造工藝l微電子學(xué)：Microelectronicsl微電子學(xué)——微型電子學(xué)l核心——半導(dǎo)體器件l半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)芯片檢測(cè)單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測(cè)試物理原理—制造業(yè)—芯片制造過程由氧化、淀積、離子注入或蒸發(fā)形成新的薄膜或膜層曝光刻蝕

2025-04-02 12:21

[精選]半導(dǎo)體制造工藝課件(ppt47頁)-在線瀏覽

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理兩大關(guān)鍵問題：?選擇性?方向性：各向同性/各向異性待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉(zhuǎn)移過程演示圖形轉(zhuǎn)移＝光刻＋刻蝕1半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理刻蝕速率R(etchrate)單位時(shí)間刻蝕的薄膜厚度。對(duì)產(chǎn)

2025-04-02 12:23

半導(dǎo)體制造工藝流程-在線瀏覽

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料：純硅9-10個(gè)9?N型硅：摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅：摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié)：NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段

2025-07-15 20:53

[精選]半導(dǎo)體制造工藝_08擴(kuò)散(下)-在線瀏覽

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步？結(jié)深？薄層電阻？固溶度？2、兩種特殊條件下的費(fèi)克第二定律的解及其特點(diǎn)？特征擴(kuò)散長(zhǎng)度？預(yù)淀積＋退火。預(yù)淀積：氣固相預(yù)淀積擴(kuò)散或離子注入。Rs：表面為正方形的半導(dǎo)體薄層（結(jié)深），在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻，單位為?/?，反映擴(kuò)散入硅

2025-04-04 14:53

[精選]半導(dǎo)體制造工藝第2版-在線瀏覽

【摘要】學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)習(xí)情景三：薄膜制備子情景4：物理氣相淀積學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院半導(dǎo)體制造工藝第2版?書名：半導(dǎo)體制造工藝第2版?書號(hào)：978-7-111-50757-4?作者：張淵?出版社：機(jī)械工業(yè)出版社學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院物理氣相淀積?概念：物

2025-04-02 04:30

半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)流程-在線瀏覽

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)本征材料：純硅9-10個(gè)N型硅：摻入V族元素--磷P、砷As、銻SbP型硅：摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)PN結(jié)：半導(dǎo)體元件制造過程可分為前段（FrontEnd）制程晶圓處理制程（WaferFabrication；簡(jiǎn)稱WaferFab）、晶

2024-08-06 12:08

[精選]半導(dǎo)體制造工藝_07擴(kuò)散(上)-在線瀏覽

【摘要】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(上)摻雜（doping）：將一定數(shù)量和一定種類的雜質(zhì)摻入硅中，并獲得精確的雜質(zhì)分布形狀（dopingprofile）。MOSFET：阱、柵、源/漏、溝道等BJT：基極、發(fā)射極、集電極等摻雜應(yīng)用：BECppn+n-p+p+n+n+B

2025-04-04 14:53

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