半導(dǎo)體制造工藝之光刻原理課件-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 的粘附性和抗蝕能力 顯影檢查：缺陷、玷污、關(guān)鍵尺寸、對(duì)準(zhǔn)精度等，不合格則去膠返工。半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 光刻膠的一些問題 由于硅片表面高低起伏，可能造成曝光不足或過曝光。 2 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 駐波對(duì)于光刻圖形的影響 3 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 光刻步驟簡(jiǎn)述 前烘 對(duì)準(zhǔn)及曝光 堅(jiān)膜 曝光后烘 4 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 光刻步驟詳述 硅片 增粘處理 ?高溫烘培 ?增粘劑處理 ：六甲基二硅胺烷（ HMDS） 勻膠機(jī) 涂膠： 3000～ 6000 rpm， ~1 mm 前烘： 10～ 30 min， 90～ 100 ?C 熱板 去除光刻膠中的溶劑，改善膠與襯底的粘附性，增加抗蝕性，防止顯影時(shí)浮膠和鉆蝕。 干法去膠（ Ash) 11 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 光源 NGL: X射線 (5197。 缺點(diǎn)：電子束光刻機(jī)產(chǎn)率低，在分辨率小于 ，約為每小時(shí) 10片晶片。 27 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 光柵掃描（左）和矢量掃描 28 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 電子束光刻問題： 1）速度慢！ 29 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 電子束光刻問題： 2）電子散射及二次電子：線條寬 束斑 ?真空下工作 ?焦深大 ?直寫，無(wú)掩膜版 30 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 電子束源： 熱電子發(fā)射 場(chǎng)發(fā)射 光發(fā)射 ?電子束發(fā)射后 , 被準(zhǔn)直或聚焦，然后加速到 20 kV ?束斑直徑 ≈100 197。在電子束圖形曝光中，分辨率好壞是由 電子散射 決定的。當(dāng)利用同步輻射光儲(chǔ)存環(huán)進(jìn)行批量生產(chǎn)時(shí)，一般選擇 X射線源。為了避免 X射線在光源與掩模版間被吸收，通常曝光都在氦的環(huán)境下完成。 34 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 35 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) X射線圖形曝光的幾何效應(yīng) 36 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 離子束圖形曝光 離子束圖形曝光比光學(xué)、 X射線與電子束圖形曝光技術(shù)有更高的分辨率，因?yàn)殡x子有較高的質(zhì)量而且比電子有較小的散射。每種都有其限制：光學(xué)法的衍射現(xiàn)象、電子束的鄰近效應(yīng)、 X射線的掩模版制作復(fù)雜、EUV的掩模版空片的制作困難、離子束的隨機(jī)空間電荷效應(yīng)。對(duì)于每一代新技術(shù)，由于要求更小的特征尺寸與更嚴(yán)格的套準(zhǔn)容差，圖形曝光技術(shù)更成為推動(dòng)半導(dǎo)體工業(yè)的關(guān)鍵性技術(shù)。 :53:2023:53Mar2322Mar23 ? 1故人江海別，幾度隔山川。 。 , March 22, 2023 ? 很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒有。 :53:2023:53:20March 22, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 3月 22日星期三 2時(shí) 53分 20秒 14:53:2023 March 2023 ? 1空山新雨后，天氣晚來(lái)秋。 :53:2023:53Mar2322Mar23 ? 1越是無(wú)能的人，越喜歡挑剔別人的錯(cuò)兒。 2023年 3月 22日星期三 下午 2時(shí) 53分 20秒 14:53: ? 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于
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