半導(dǎo)體制造工藝簡介-在線瀏覽
2025-04-02 12:21本頁面
【正文】 簡介v（ a）顯影后的晶片（ b） SiO2去除后的晶片v氧化工藝1 制造工藝簡介v （ c）光刻工藝處理后的晶片v （ d）擴散或離子注入形成 PN結(jié)v 光刻和刻蝕工藝；擴散和離子注入工藝1 制造工藝簡介v（ e）光刻工藝處理后的晶片（金屬化工藝）v（ f）完整工藝處理后的晶片（光刻工藝）1 制造工藝簡介v工藝總結(jié)一：集成電路的制造是平面工藝，需要多層加工 v工藝總結(jié)二：芯片是由底層 PSub到最上層的不同圖形層次疊加而成。v（ 2）圖形轉(zhuǎn)移工藝：包括光刻工藝和刻蝕工藝。3 工藝流程v以上工藝重復(fù)、組合使用，就形成集成電路的完整制造工藝。3 工藝流程v制版 —— 光刻掩膜版就是講電路版圖的各個層分別轉(zhuǎn)移到一種涂有感光材料的優(yōu)質(zhì)玻璃上，為將來再轉(zhuǎn)移到晶圓做準(zhǔn)備，這就是制版。4 常用工藝之一：外延生長v半導(dǎo)體器件通常不是直接做在襯底上的，而是先在沉底上生長一層外延層，然后將器件做在外延層上。v在雙極型集成電路中：可以解決原件間的隔離；減小集電極串聯(lián)電阻。5 常用工藝之二：光刻v目的：按照集成電路的設(shè)計要求，在 SiO2或金屬層上面刻蝕出與光刻掩膜版完全相對應(yīng)的幾何圖形，以實現(xiàn)選擇性擴散或金屬布線的目的。v （ 2）曝光。v （ 3）顯影、刻蝕。v一個芯片制造可能需要 20或 30個這樣的材料層。v主要的摻雜工藝：擴散和離子注入v擴散：根據(jù)擴散的原理，使雜質(zhì)從高濃度處向低濃度處擴散。7 常用工藝之四：摻雜v離子注入：與擴散比，離子注入技術(shù)具有加工溫度低、大面積注入雜質(zhì)仍能保證均勻、摻雜種類廣泛等優(yōu)點。v漏源自對準(zhǔn)：離子注入可以使用光刻好的薄膜材料作為掩膜來形成對準(zhǔn)方法。v電子碰撞：電子激發(fā)或新的電子空穴對產(chǎn)生v原子核碰撞：使原子碰撞，離開晶格，形成損傷，也稱晶格無序晶格無序退火v由于離子注入所造成的損傷區(qū)及無序團(tuán)，使遷移率和壽命等半導(dǎo)體參數(shù)受到嚴(yán)重影響。8 常用工藝之五：薄膜制備v目的：通過物理或化學(xué)方式在硅晶圓上淀積材料層，來滿足集成電路設(shè)計的需要，如金屬、多晶硅及磷化玻璃等。主要分為干氧氧化、水汽氧化和濕氧氧化三種。8 常用工藝之五：薄膜制備v生產(chǎn) SiO28 常用工藝之五：薄膜制備v氧化質(zhì)量物理氣相淀積v（ 2）物理氣相淀積v利用某種物理過程，例如蒸發(fā)或濺射，來實現(xiàn)物質(zhì)的轉(zhuǎn)移，即把材料的原子由源轉(zhuǎn)移到襯底表面，從而實現(xiàn)淀積形成薄膜。v兩種方法：真空蒸發(fā)；濺射物理氣相淀積物理氣相淀積v標(biāo)準(zhǔn)（離子束）濺射：離子束被加速，撞擊靶材表面v長程濺射：用于控制角度分布v校直濺射：用于填充高寬比較大的接觸孔，防止空洞底部還沒有完全填充，其上部開口就被封閉起來。 CVD膜的結(jié)構(gòu)可以是單晶、多晶或非晶態(tài)，淀積單晶硅薄膜的 CVD過程通常被稱為外延。利用 CVD方法幾乎可以淀積集成電路工藝中
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