半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)流程-在線瀏覽
2024-08-06 12:08本頁(yè)面
【正文】 是晶圓先經(jīng)過(guò)適 當(dāng)?shù)那逑矗–leaning）之后，接著進(jìn)行氧化（Oxidation）及沉積，最后進(jìn)行微影、蝕刻及離子植入等反覆步驟，以完成晶圓上電路的加工與制作。晶圓與晶片的區(qū)別制造半導(dǎo)體前，必須將硅轉(zhuǎn)換為晶圓片。單晶硅是原子以三維空間模式周期形成的固體，這種模式貫穿整個(gè)材料。多晶硅必須融化成單晶體，才能加工成半導(dǎo)體應(yīng)用中使用的晶圓片。激光鋸也有助于減少對(duì)晶圓片的損傷、厚度不均、彎曲以及翹曲缺陷。nbsp。nbsp。nbsp。nbsp。nbsp。nbsp。研磨晶圓片以減少正面和背面的鋸痕和表面損傷。研磨后，進(jìn)入刻蝕和清洗工藝，使用氫氧化鈉、乙酸和硝酸的混合物以減輕磨片過(guò)程中產(chǎn)生的損傷和裂紋。倒角后，要按照最終用戶的要求，經(jīng)常需要對(duì)邊緣進(jìn)行拋光，提高整體清潔度以進(jìn)一步減少破損。一般晶圓制造廠，將多晶硅融解 后，再利用硅晶種慢慢拉出單晶硅晶棒。經(jīng)研磨、拋光、切片后，即成半導(dǎo)體之原料 晶圓片二、晶圓針測(cè)制程 經(jīng)過(guò)晶圓處理制程后，晶圓上即形成一格格的小格 ，我們稱之為晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圓上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圓 上制作不同規(guī)格的產(chǎn)品；這些晶圓必須通過(guò)晶片允收測(cè)試，晶粒將會(huì)一一經(jīng)過(guò)針測(cè)（Probe）儀器以測(cè)試其電氣特性， 而不合格的的晶粒將會(huì)被標(biāo)上記號(hào)（Ink Dot），此程序即 稱之為晶圓針測(cè)制程（Wafer Probe）。半導(dǎo)體制造環(huán)境要求主要污染源：微塵顆粒、中金屬離子、有機(jī)物殘留物
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