半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)流程-全文預(yù)覽
【正文】 電路。 半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識本征材料：純硅 910個 N型硅： 摻入V族元素磷P、砷As、銻SbP型硅： 摻入 III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)PN結(jié)：半 導(dǎo)體元件制造過程可分為前段（Front End）制程 晶圓處理制程（Wafer Fabrication；簡稱 Wafer Fab）、 晶圓針測制程（Wafer Probe）；后段（Back End） 構(gòu)裝（Packaging）、測試制程（Initial Test and Final Test）晶圓邊緣檢測系統(tǒng)一、晶圓處理制程 晶圓處理制程之主要工作為在矽晶圓上制作電路與電子元件，為各制程中所需技術(shù)最復(fù)雜且資金投入最多的過程 ，以微處理器（Microprocessor）為例，其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道，而其所需加工機(jī)臺先進(jìn)且昂貴，有時可達(dá)數(shù)千萬一臺，其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與 含塵（Particle）均需控制的無塵室（CleanRoom），雖然詳細(xì)的處理程序是隨著產(chǎn)品種類與所使用的技術(shù)有關(guān)；不過其基本處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過適 當(dāng)?shù)那逑矗–leaning）之后，接著進(jìn)行氧化（Oxidation）及沉積，最后進(jìn)行微影、蝕刻及離子植入等反覆步驟，以完成晶圓上電路的加工與制作。單晶硅是原子以三維空間模式周期形成的固體，這種模式貫穿整個材料。激光鋸也有助于減少對晶圓片的損
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