【摘要】LogoIntroductionofICAssemblyProcessIC封裝工藝簡介LogoIntroductionofICAssemblyProcess一、概念半導體芯片封裝是指利用膜技術及細微加工技術,將芯片及其他要素在框架或基板上布局、粘貼固定及連接,引出接線端子并通過可塑性絕緣介質(zhì)灌封固
2025-05-07 12:40
【摘要】IntroductionofICAssemblyProcessIC封裝工藝簡介艾ICProcessFlowCustomer客戶ICDesignIC設計WaferFab晶圓制造WaferProbe晶圓測試AssemblyTestIC封裝測試SMTIC組裝ICPackage(IC的封裝形式)Pack
2025-03-01 04:33
【摘要】第八章光刻哈爾濱工程大學微電子學半導體器件與工藝光刻工藝是半導體工藝過程中非常重要的一道工序,它是用來在晶圓表面建立圖形的工藝過程。這個工藝過程的目標有兩個。首先是在晶圓表面建立盡可能接近設計規(guī)則中所要求尺寸的圖形;第二個目標是在晶圓表面正確定位圖形。整個電路圖形必須被正確地定位于晶圓表面,電路圖形上單獨的每一部分之間的相對位置也必須是
2025-03-01 04:32
【摘要】現(xiàn)代半導體器件物理與工藝桂林電子科技大學圖形曝光與光刻1圖形曝光與光刻現(xiàn)代半導體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices2022,7,30現(xiàn)代半導體器件物理與工藝桂林電子科技大學圖形曝光與光刻2圖形曝光與刻蝕圖形曝光(lithogra
2025-06-12 18:07
【摘要】半導體制造工藝第2章 半導體制造工藝概況第2章 半導體制造工藝概況 引言 器件的隔離 雙極型集成電路制造工藝 CMOS器件制造工藝 引言集成電路的制造要經(jīng)過大約450道工序,消耗6~8周的時間,看似復雜,而實際上是將幾大工藝技術順序、重復運用的過程,最終在硅片上實現(xiàn)所設計的圖形和電學結構。在講述各個工藝之前,介紹一下集成電路芯片的加工工藝過程
2025-03-01 04:28
【摘要】半導體器件半導體器件原理一.半導體基礎二.pn結三.BJT四.MOS結構基礎五.MOSFET六.MS接觸和肖特基二極管七.JFET和MESFET簡介半導體器件硅半導體表面?理想硅表面?鍵的排列從體內(nèi)到表面不變,硅體特性不受影響半導體器
2025-08-16 01:27
【摘要】雙極型晶體管哈爾濱工程大學微電子學半導體器件與工藝雙極型晶體管n晶體管的基本結構和分類雙極型晶體管n晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管n晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管n晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管n晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管n均勻基區(qū)晶體管和緩變基區(qū)晶體管均勻基區(qū)晶
【摘要】集成電路版圖設計與驗證第三章半導體制造工藝簡介學習目的v(1)了解晶體管工作原理,特別是MOS管的工作原理v(2)了解集成電路制造工藝v(3)了解COMS工藝流程主要內(nèi)容工藝流程工藝集成v半導體硅原子結構:4個共價鍵,比較穩(wěn)定,沒有明顯的自由電子。v1、半導體能帶v禁帶帶隙介于導體和絕緣體之間v2
2025-03-01 12:21
【摘要】雙極型晶體管哈爾濱工程大學微電子學半導體器件與工藝雙極型晶體管?晶體管的基本結構和分類雙極型晶體管?晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管?晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管?晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管?晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布雙極型晶體管?均勻基
2025-01-12 09:19
【摘要】學校代碼:10289分類號:TN606論文題目半導體銅線鍵合工藝研究姓名湯振凱江蘇科技大學密級:公開學號:103030005江蘇科技大學專業(yè)碩士學位論文(在職攻讀專業(yè)學位)半導體銅線鍵合工藝研究研究生姓名湯
2025-06-19 17:56
【摘要】第三章Oxidation氧化Oxidation氧化n簡介n氧化膜的應用n氧化機理n氧化工藝n氧化設備nRTO快速熱氧化簡介n硅與O2直接反應可得;nSiO2性能穩(wěn)定;n氧化工藝在半導體制造中廣泛使用Si+O2→SiO2氧化層簡介Oxidation氧化層簡介Silicon氧化膜的應用
【摘要】RuHuang,ime,PKU1半導體器件與工藝2022年8月RuHuang,ime,PKU2?半導體器件?IC的基礎?數(shù)字集成電路建庫等?模擬集成電路、射頻集成電路設計?側重工作原理、特性分析、模型RuHuang,ime,PKU3半導體器件方面的課程內(nèi)容
2025-05-06 12:44
【摘要】寬禁帶半導體材料與工藝寬禁帶半導體的概念和發(fā)展寬禁帶半導體(WBS)是自第一代元素半導體材料(Si)和第二代化合物半導體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代半導體材料。這類材料主要包括SiC(碳化硅)、C-BN(立方氮化硼)、GaN(氮化鎵、)AlN(氮化鋁)、ZnSe(硒化鋅)以及金剛石等。第二代半導體GaAs與Si相比除了禁帶寬度增大外,其電子遷移率與
2025-08-05 05:08
【摘要】半導體制備工藝基礎第四章光刻(上)光刻的作用和目的圖形的產(chǎn)生和布局1半導體制備工藝基礎第四章光刻(上)光刻的定義光刻是一種圖形復印和化學腐蝕相結合的精密表面加工技術。用照相復印的方法將掩模版上的圖案轉移到硅片表面的光刻膠上,以實現(xiàn)后續(xù)的有選擇刻蝕或注入摻雜光刻的目的:光
【摘要】電信學院微電子教研室半導體制造技術byMichaelQuirkandJulianSerda淀積電信學院微電子教研室半導體制造技術byMichaelQuirkandJulianSerda概述薄膜淀積是芯片加工過程中一個至關重要的工藝步驟,通過淀積工藝可以在硅片上生長導各種導電薄膜層和絕緣薄膜層。