半導(dǎo)體工藝流程-預(yù)覽頁
【正文】 摻雜物質(zhì)（原子）離子化后，在數(shù)千到數(shù)百萬伏特電壓的電場(chǎng)下得到加速，以較高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。光刻膠基片 涂膠后基片濕法腐蝕和等離子刻蝕通過光刻顯影后，光刻膠下面的材料要被選擇性地去除，使用O2 → SiO2濕法腐蝕或干法刻蝕后，要去除上面的光刻膠。使用氫氟酸加硝酸（HF使用氫氟酸（HF）腐蝕氮化硅(Si3N4)典型的化學(xué)反應(yīng)為：400～450℃生長(zhǎng)過程中摻磷時(shí)加磷烷的反應(yīng)為：4O2 → 2H2SiH2Cl22HCl化學(xué)氣相沉積根據(jù)CVD反應(yīng)的氣氛和氣壓可分為低壓CVD（LPCVD）、常壓CVD（APCVD）和離子增強(qiáng)CVD（PECVD）等。在已形成圖案的芯片上進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，使之形成平整平面，以減輕多層結(jié)構(gòu)造成的嚴(yán)重不平的表面形態(tài)，滿足光刻時(shí)對(duì)焦深的要
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